美女精品久久久久久国产潘金莲,亚洲精品国产精品乱码不卞20..

微波射頻相關文章

惠瑞捷在韓國客戶的生產(chǎn)廠安裝首款具有每接腳8 Gbps高速存儲卡V93000測試機

2010年7月23日，北京訊首屈一指的半導體測試公司惠瑞捷 (Verigy) (納斯達克交易代碼：VRGY) 在韓國一家不具名客戶的生產(chǎn)廠內(nèi)安裝并驗證其首款可生產(chǎn)的V93000 HSM6800系統(tǒng)。這套新系統(tǒng)是唯一的一款面向當今 GDDR5超快存儲集成電路 (IC)（運行速度超過每接腳4 Gbps）的快速高良率測試解決方案。與當今市場上的其它超高速存儲器測試系統(tǒng)相比，它具有明顯的產(chǎn)能優(yōu)勢。

發(fā)表于：7/23/2010

Spansion公司發(fā)布2010年第二財季報告

2010年7月23日，中國上海——全球領先的閃存解決方案供應商Spansion公司 (NYSE: CODE) 今天發(fā)布截止至2010年6月27日第二財季的運營情況。由于公司重組后實行的新會計計量產(chǎn)生的影響，Spansion公司同時提供GAAP和非GAAP結果。公司美國GAAP凈銷售額為2.557億美元，經(jīng)營虧損300萬美元，凈收入為3.418億美元。公司美國非GAAP調(diào)整后凈銷售額2.927億美元，調(diào)整后運營收入4030萬美元，調(diào)整后凈收入為2740萬美元。

發(fā)表于：7/23/2010

Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管

器件具有緊湊的2.3mmx2.3mmx2.8mm占位，具有350nm至1120nm或470nm至1090nm的光譜帶寬，采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式封裝

發(fā)表于：7/22/2010

飛兆半導體150V低RDS(ON) MOSFET在隔離DC-DC應用中實現(xiàn)更高性能

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產(chǎn)品的需求。該器件利用飛兆半導體先進的工藝技術和封裝技術，以及系統(tǒng)專有技術，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。

發(fā)表于：7/22/2010

Vishay推出使用壽命長達10000小時的新系列牛角式功率鋁電容器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級從350V至450V，在85℃下的使用壽命長達10,000小時。

發(fā)表于：7/21/2010

將MEMS傳感器用于各種創(chuàng)新的消費類產(chǎn)品設計

MEMS即微機電系統(tǒng)，是利用微米級立體結構實現(xiàn)感應和執(zhí)行功能的一項關鍵技術。其中，微米級立體結構是利用被稱為“微加工”的特殊工藝實現(xiàn)的微米大小的立體機械結構。

發(fā)表于：7/21/2010

先柵極還是后柵極業(yè)界爭論高K技術

隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術幾乎已經(jīng)成為45nm以下級別制程的必備技術.不過在制作HKMG結構晶體管的工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first（先柵極）工藝流派和以Intel為代表的Gate-last（后柵極）工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術，但一般來說使用Gate-first工藝實現(xiàn)HKMG結構的難點在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-last工藝的難點則在于工藝較復雜，芯片的管芯密度同等條件下要比Gate-first工藝低，需要設計方積極配合修改電路設計才可以達到與Gate-first工藝相同的管芯密度級別。

發(fā)表于：7/21/2010

Vishay推出業(yè)界首類具有75V電壓等級的固鉭貼片電容器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首類具有高達75V的工業(yè)電壓等級的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D，增強了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能，擴大其在高壓固鉭貼片電容器領域的領先地位。

發(fā)表于：7/20/2010

SD協(xié)會為 SDXC和SDHC內(nèi)存卡以及設備定義新的高速性能選擇

近日，SD 協(xié)會宣布針對速度最快的 SDXC 和 SDHC 設備以及內(nèi)存卡推出兩個全新的高速性能符號。第一個符號是用來表示總線界面速度每秒高達 104 MB、可提高設備性能的產(chǎn)品。第二個符號是用來表示具備允許實時視頻錄制的性能選項之 SD 內(nèi)存卡和產(chǎn)品。

發(fā)表于：7/20/2010

Diodes全新小巧晶體管實現(xiàn)小型化產(chǎn)品設計

Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。

發(fā)表于：7/19/2010

NOR Flash產(chǎn)業(yè)版圖醞釀大挪移　臺廠大舉擴產(chǎn)

2010年存儲器市場最夯產(chǎn)品非NOR Flash莫屬，從年初開始供貨吃緊且價格一路飛漲，盡管各家NOR Flash廠對于第3季價格都是持續(xù)看漲，但產(chǎn)業(yè)供需結構卻是暗潮洶涌，其中，旺宏與華邦大舉擴充12寸廠產(chǎn)能，飛索(Spansion)脫離破產(chǎn)保護而獲得重生，加上Microchip旗下超捷(SST)新營運策略出爐，其亞洲獨家代理商倍微對于搶回低容量NOR Flash市場龍頭信誓旦旦，都讓2010年NOR Flash產(chǎn)業(yè)版圖呈現(xiàn)即將大幅變動的氛圍。

發(fā)表于：7/19/2010

半導體材料市場反彈至創(chuàng)新的記錄

根據(jù)SEMI于SEMICON West上最新的數(shù)據(jù)報道，由于IC出貨量的持續(xù)增加，導致半導體材料用量己經(jīng)回到近08年水平，但是預期2011年的增速減緩。

發(fā)表于：7/19/2010

28nm節(jié)點將引發(fā)全球代工攻堅戰(zhàn)

按Gartner副總裁Dean Freeman看法，能進行先進制程設計的fabless公司目前正處于極好時光。因為Freeman看到頂級代工廠正義無反顧的向40及28nm進軍，同時為爭奪更大的市場份額，而使硅片代工的價格迅速下降。

發(fā)表于：7/16/2010

使用壓電薄膜傳感器作為加速度計

加速度計可以用在儀表中，測量加速度(速度對時間的變化率)和測量傾斜度(物體的縱軸和與地球表面相切的平面的垂線之間形成的傾角)。傾斜度測量可以被看成“直流”或穩(wěn)態(tài)測量。在理論上，加速度可以是穩(wěn)態(tài)的，但在實際應用當中，加速度通常是一個短期的暫時現(xiàn)象。

發(fā)表于：7/15/2010

Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。　

發(fā)表于：7/14/2010