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Ramtron開始提供MaxArias無線存儲器商用樣片

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation（簡稱Ramtron）宣布，已經(jīng)開始提供基于F-RAM的MaxArias?無線存儲器商用樣片。Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無線存取功能相結(jié)合，實現(xiàn)了創(chuàng)新的移動數(shù)據(jù)采集功能，MaxArias無線存儲器是高價值資產(chǎn)跟蹤、制造和維護歷史數(shù)據(jù)記錄收集，以及智能電表抄表等廣泛應(yīng)用的理想選擇。

發(fā)表于：8/4/2010

電動車用霍爾位置傳感器芯片的使用

電動自行車用的直流無刷電機的轉(zhuǎn)子是由30到40塊釹鐵硼磁鋼構(gòu)成。由于釹鐵硼磁鋼的表面磁場強度超過500mT，電動自行車用的直流無刷電機里的位置傳感器特別適合采用硅霍耳傳感器。硅霍耳傳感器的制造工藝可以與集成電路芯片工藝流程完全兼容，這樣，硅霍耳傳感器后續(xù)的信號處理電路，包括前置放大器，施密特觸發(fā)器和集電極開路輸出級可以方便地集成在同一個硅片上，形成霍耳集成電路芯片。

發(fā)表于：8/3/2010

分析師認為閃存熱但是供應(yīng)鏈不配套

按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達215億美元。

發(fā)表于：8/2/2010

LSI 推出全新高端口數(shù)存儲適配器，進一步擴展6Gb/s SAS 系列

全新 MegaRAID、3ware 以及 HBA 產(chǎn)品使單個卡能夠直接連接服務(wù)器內(nèi)多達 24 個驅(qū)動器，或外部連接多達 512 個器件，從而實現(xiàn)簡單高效的存儲擴展

發(fā)表于：8/2/2010

美光推出新型內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

2010年7月29日，北京訊美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動? 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場的理想存儲解決方案。

發(fā)表于：7/30/2010

先進制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場趨向供過于求

Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴廠競賽劃下句點。

發(fā)表于：7/30/2010

Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)的新款器件

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出滿足嚴(yán)格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導(dǎo)的新款器件，擴充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。

發(fā)表于：7/30/2010

Vishay Siliconix推出業(yè)界面積最小、厚度最薄的N溝道芯片級功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET —— Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。

發(fā)表于：7/29/2010

Vishay推出業(yè)內(nèi)最耐熱的薄膜貼片電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為其用于極高溫度環(huán)境的無源器件產(chǎn)品組合中增添新系列SMD卷包式薄膜貼片電阻 --- Sfernice PHT，這些電阻針對用在鉆井勘探和航天應(yīng)用的多芯片模塊進行了優(yōu)化。

發(fā)表于：7/27/2010

Spansion、爾必達（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯(lián)盟

　2010年7月26日，中國上?！獱柋剡_（Elpida）存儲器公司（TOKYO: 6665）和Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布將擴展在NAND工藝技術(shù)和產(chǎn)品基礎(chǔ)上更深入的NAND閃存合作聯(lián)盟。此外，爾必達公司也獲得基于MirrorBit®電荷捕獲技術(shù)的Spansion® NAND IP非專屬性授權(quán)。爾必達公司將在其位于廣島的尖端300mm晶圓生產(chǎn)廠生產(chǎn)全新NAND產(chǎn)品。雙方將分開經(jīng)營產(chǎn)品銷售。

發(fā)表于：7/27/2010

基于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的遠程智能抄表系統(tǒng)設(shè)計

智能遠程抄表系統(tǒng)節(jié)省時間、人力、物力、提高工作效率，降低物業(yè)成本，準(zhǔn)確及時地將住戶所使用的電表數(shù)據(jù)顯示出來，為實現(xiàn)小區(qū)科學(xué)、系統(tǒng)的物業(yè)管理提供了有效的解決方法。智能遠程抄表系統(tǒng)的核心是提供了一個控制信號采集和數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠脚_，可遠程對電表進行參數(shù)設(shè)置、實時監(jiān)控和故障判斷。該系統(tǒng)可用于對水表、氣表等其他儀表的遠程監(jiān)控。

發(fā)表于：7/26/2010

全球MEMS技術(shù)應(yīng)用及其市場發(fā)展?fàn)顩r

MEMS有廣泛的應(yīng)用，但其封裝測試成本是決定其能否有光明市場前景的重要因素

發(fā)表于：7/26/2010

市場低迷大廠獲益誰是下一個奇夢達

近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調(diào)2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業(yè)務(wù)支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數(shù)字是此前支出計劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預(yù)計這些支出中將有相當(dāng)一部分進入DRAM業(yè)務(wù)。

發(fā)表于：7/23/2010

汽車制造行業(yè)對電感式傳感器的優(yōu)化選擇

汽車生產(chǎn)工藝上來看，近年來，國內(nèi)汽車制造業(yè)的自動化水平大幅提升，明顯趨勢于提高裝配精度、提高生產(chǎn)效率。作為定位及檢測手段，多種傳感器已經(jīng)普及到生產(chǎn)線各個環(huán)節(jié)中，尤其是車廠廣泛用于定位的電感式傳感器，實時監(jiān)控著整條線的運行狀態(tài)。但面對于市場上不同廠家、多系列的傳感器，如何選擇最適合汽車制造領(lǐng)域應(yīng)用的產(chǎn)品，成為關(guān)鍵。

發(fā)表于：7/23/2010

惠瑞捷全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案為 DDR3、DDR4和更高級的內(nèi)存提供了低廉的測試成本

【2010年7月23日，北京訊】惠瑞捷 (Verigy)（納斯達克代碼：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案，進一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲器 IC 和更高級存儲器件測試能力的 V93000 HSM 平臺。V93000 HSM3G 獨特的優(yōu)勢在于其未來的可升級性，能夠為數(shù)據(jù)傳輸速度高達6.8 Gbps未來的三代 DDR 存儲器提供價格低廉的測試服務(wù)，從而前所未有地長期節(jié)約經(jīng)濟成本。

發(fā)表于：7/23/2010