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Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標準的新款器件

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出滿足嚴格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導的新款器件，擴充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。

發(fā)表于：7/30/2010

Vishay Siliconix推出業(yè)界面積最小、厚度最薄的N溝道芯片級功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET —— Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。

發(fā)表于：7/29/2010

Vishay推出業(yè)內(nèi)最耐熱的薄膜貼片電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為其用于極高溫度環(huán)境的無源器件產(chǎn)品組合中增添新系列SMD卷包式薄膜貼片電阻 --- Sfernice PHT，這些電阻針對用在鉆井勘探和航天應用的多芯片模塊進行了優(yōu)化。

發(fā)表于：7/27/2010

Spansion、爾必達（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯(lián)盟

　2010年7月26日，中國上?！獱柋剡_（Elpida）存儲器公司（TOKYO: 6665）和Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布將擴展在NAND工藝技術(shù)和產(chǎn)品基礎上更深入的NAND閃存合作聯(lián)盟。此外，爾必達公司也獲得基于MirrorBit®電荷捕獲技術(shù)的Spansion® NAND IP非專屬性授權(quán)。爾必達公司將在其位于廣島的尖端300mm晶圓生產(chǎn)廠生產(chǎn)全新NAND產(chǎn)品。雙方將分開經(jīng)營產(chǎn)品銷售。

發(fā)表于：7/27/2010

基于無線傳感器網(wǎng)絡的遠程智能抄表系統(tǒng)設計

智能遠程抄表系統(tǒng)節(jié)省時間、人力、物力、提高工作效率，降低物業(yè)成本，準確及時地將住戶所使用的電表數(shù)據(jù)顯示出來，為實現(xiàn)小區(qū)科學、系統(tǒng)的物業(yè)管理提供了有效的解決方法。智能遠程抄表系統(tǒng)的核心是提供了一個控制信號采集和數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠脚_，可遠程對電表進行參數(shù)設置、實時監(jiān)控和故障判斷。該系統(tǒng)可用于對水表、氣表等其他儀表的遠程監(jiān)控。

發(fā)表于：7/26/2010

全球MEMS技術(shù)應用及其市場發(fā)展狀況

MEMS有廣泛的應用，但其封裝測試成本是決定其能否有光明市場前景的重要因素

發(fā)表于：7/26/2010

市場低迷大廠獲益誰是下一個奇夢達

近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調(diào)2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業(yè)務支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數(shù)字是此前支出計劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預計這些支出中將有相當一部分進入DRAM業(yè)務。

發(fā)表于：7/23/2010

汽車制造行業(yè)對電感式傳感器的優(yōu)化選擇

汽車生產(chǎn)工藝上來看，近年來，國內(nèi)汽車制造業(yè)的自動化水平大幅提升，明顯趨勢于提高裝配精度、提高生產(chǎn)效率。作為定位及檢測手段，多種傳感器已經(jīng)普及到生產(chǎn)線各個環(huán)節(jié)中，尤其是車廠廣泛用于定位的電感式傳感器，實時監(jiān)控著整條線的運行狀態(tài)。但面對于市場上不同廠家、多系列的傳感器，如何選擇最適合汽車制造領域應用的產(chǎn)品，成為關(guān)鍵。

發(fā)表于：7/23/2010

惠瑞捷全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案為 DDR3、DDR4和更高級的內(nèi)存提供了低廉的測試成本

【2010年7月23日，北京訊】惠瑞捷 (Verigy)（納斯達克代碼：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案，進一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲器 IC 和更高級存儲器件測試能力的 V93000 HSM 平臺。V93000 HSM3G 獨特的優(yōu)勢在于其未來的可升級性，能夠為數(shù)據(jù)傳輸速度高達6.8 Gbps未來的三代 DDR 存儲器提供價格低廉的測試服務，從而前所未有地長期節(jié)約經(jīng)濟成本。

發(fā)表于：7/23/2010

惠瑞捷在韓國客戶的生產(chǎn)廠安裝首款具有每接腳8 Gbps高速存儲卡V93000測試機

2010年7月23日，北京訊首屈一指的半導體測試公司惠瑞捷 (Verigy) (納斯達克交易代碼：VRGY) 在韓國一家不具名客戶的生產(chǎn)廠內(nèi)安裝并驗證其首款可生產(chǎn)的V93000 HSM6800系統(tǒng)。這套新系統(tǒng)是唯一的一款面向當今 GDDR5超快存儲集成電路 (IC)（運行速度超過每接腳4 Gbps）的快速高良率測試解決方案。與當今市場上的其它超高速存儲器測試系統(tǒng)相比，它具有明顯的產(chǎn)能優(yōu)勢。

發(fā)表于：7/23/2010

Spansion公司發(fā)布2010年第二財季報告

2010年7月23日，中國上?！蝾I先的閃存解決方案供應商Spansion公司 (NYSE: CODE) 今天發(fā)布截止至2010年6月27日第二財季的運營情況。由于公司重組后實行的新會計計量產(chǎn)生的影響，Spansion公司同時提供GAAP和非GAAP結(jié)果。公司美國GAAP凈銷售額為2.557億美元，經(jīng)營虧損300萬美元，凈收入為3.418億美元。公司美國非GAAP調(diào)整后凈銷售額2.927億美元，調(diào)整后運營收入4030萬美元，調(diào)整后凈收入為2740萬美元。

發(fā)表于：7/23/2010

Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管

器件具有緊湊的2.3mmx2.3mmx2.8mm占位，具有350nm至1120nm或470nm至1090nm的光譜帶寬，采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式封裝

發(fā)表于：7/22/2010

飛兆半導體150V低RDS(ON) MOSFET在隔離DC-DC應用中實現(xiàn)更高性能

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關(guān)損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產(chǎn)品的需求。該器件利用飛兆半導體先進的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)，以及系統(tǒng)專有技術(shù)，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。

發(fā)表于：7/22/2010

Vishay推出使用壽命長達10000小時的新系列牛角式功率鋁電容器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級從350V至450V，在85℃下的使用壽命長達10,000小時。

發(fā)表于：7/21/2010

將MEMS傳感器用于各種創(chuàng)新的消費類產(chǎn)品設計

MEMS即微機電系統(tǒng)，是利用微米級立體結(jié)構(gòu)實現(xiàn)感應和執(zhí)行功能的一項關(guān)鍵技術(shù)。其中，微米級立體結(jié)構(gòu)是利用被稱為“微加工”的特殊工藝實現(xiàn)的微米大小的立體機械結(jié)構(gòu)。

發(fā)表于：7/21/2010