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連接器第三講：電連接器的制造過程

電子連接器種類繁多,但制造過程是基本一致的,一般可分為下面四個階段：沖壓(Stamping) 、電鍍(Plating)、注塑(Molding) 、組裝(Assembly) 。

發(fā)表于：1/21/2010

連接器第二講：連接器的基本技術(shù)性能

連接器是電子設(shè)備中不可缺少的部件，它在電路內(nèi)被阻斷處或孤立不通的電路之間，架起溝通的橋梁，從而使電流流通，使電路實(shí)現(xiàn)預(yù)定的功能。連接器形式和結(jié)構(gòu)是千變?nèi)f化的，隨著應(yīng)用對象、頻率、功率、應(yīng)用環(huán)境等不同，有各種不同形式的連接器。盡管連接器種類眾多，但基本性能可分歸納為三大類：即機(jī)械性能、電氣性能和環(huán)境性能。

發(fā)表于：1/21/2010

LSI 推出新型 MegaRAID 控制卡和主機(jī)總線適配器，進(jìn)一步擴(kuò)展6Gb/s SAS 產(chǎn)品系列

LSI 公司 (NYSE: LSI) 日前宣布推出新型 MegaRAID® 控制卡和主機(jī)總線適配器 (HBA)，進(jìn)一步壯大了業(yè)界最豐富的 6Gb/s SATA+SAS 存儲適配器產(chǎn)品陣營。最新推出的產(chǎn)品包括：業(yè)界首款MegaRAID 入門級 6Gb/s 控制卡、MegaRAID 經(jīng)濟(jì)型和功能型系列擴(kuò)展產(chǎn)品，以及采用多端口配置的新型 HBA。

發(fā)表于：1/21/2010

詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動電路

在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。本文對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。

發(fā)表于：1/16/2010

MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路總結(jié)

在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。本文對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。

發(fā)表于：1/16/2010

關(guān)于旁路電容的深度研討(三)

旁路電容是關(guān)注度低、沒有什么魅力的元器件，一般來說，在許多專題特寫中不把它作為主題，但是，它對于成功、可靠和無差錯的設(shè)計(jì)是關(guān)鍵。來自Intersil公司的作者David Ritter和Tamara Schmitz參加了關(guān)于該主題的進(jìn)一步對話。本文是對話的第三部分。Dave和Tamara信仰辯論的價值、教育的價值以及謙虛地深入討論核心問題的價值；簡而言之，為了獲取知識而展開對一個問題的討論。

發(fā)表于：1/14/2010

關(guān)于旁路電容的深度研討(二)

旁路電容是關(guān)注度低、沒有什么魅力的元器件，一般來說，在許多專題特寫中不把它作為主題，但是，它對于成功、可靠和無差錯的設(shè)計(jì)是關(guān)鍵。通過一次關(guān)于基本知識的對話，讓我們深入考察那沒有什么魅力但是極其關(guān)鍵的旁路電容和去耦電容。

發(fā)表于：1/14/2010

關(guān)于旁路電容的深度研討(一)

旁路電容是關(guān)注度低、沒有什么魅力的元器件，一般來說，在許多專題特寫中不把它作為主題，但是，它對于成功、可靠和無差錯的設(shè)計(jì)是關(guān)鍵。來自Intersil公司的作者David Ritter和Tamara Schmitz參加了關(guān)于該主題的進(jìn)一步對話。本文是對話的第一部分。Dave和Tamara信仰辯論的價值、教育的價值以及謙虛地深入討論核心問題的價值；簡而言之，為了獲取知識而展開對一個問題的討論。下面請“聆聽”并學(xué)習(xí)。

發(fā)表于：1/14/2010

電阻市場發(fā)展前景向好 2010年需求強(qiáng)勁

電阻器是各類電子設(shè)備不可或缺的元器件，在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)的背景下，電阻器廠家面對生產(chǎn)成本上升與產(chǎn)品價格下降的雙重壓力，激烈的市場競爭也在不斷壓縮廠家的利潤空間。盡管挑戰(zhàn)嚴(yán)峻，但隨著全球消費(fèi)類電子產(chǎn)品的不斷增加，如DVD播放器、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器以及手機(jī)、電腦和外圍設(shè)備、數(shù)字A/V設(shè)備和汽車電子產(chǎn)品等強(qiáng)大的銷量和需求維持著中國電阻市場的發(fā)展。

發(fā)表于：1/14/2010

Vishay最新推出的超小型雙向?qū)ΨQ單線ESD保護(hù)二極管具有極低容值

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用LLP006封裝的新款雙向?qū)ΨQ(BiSy)單線ESD保護(hù)二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護(hù)便攜式電子設(shè)備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。

發(fā)表于：1/12/2010

Vishay最新推出的超小型雙向?qū)ΨQ單線ESD保護(hù)二極管具有極低容值

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用LLP006封裝的新款雙向?qū)ΨQ(BiSy)單線ESD保護(hù)二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護(hù)便攜式電子設(shè)備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。

發(fā)表于：1/8/2010

功率電感對電源的改善

將集中控制電源的PMIC(Power Management IC)的開關(guān)頻率，將從一直使用的1MHz變?yōu)?MHz,還有管理單獨(dú)電源的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC中主流頻率一直是3～4MHz，對于此種情況，作為主要元件的功率電感就需要1.0uH到2.2uH的低感值產(chǎn)品。而開關(guān)頻率數(shù)的提高使靜噪成為必須，為了解決這些課題，推動了功率電感的開發(fā)。

發(fā)表于：1/7/2010

Vishay新一代超高精度Bulk Metal®箔電阻設(shè)定新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，并開啟電阻全新應(yīng)用領(lǐng)域

器件具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，穩(wěn)定率可達(dá)2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns；H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有±0.2ppm/℃

發(fā)表于：1/6/2010

MOSFET柵漏電流噪聲模型研究

基于MOSFET柵氧擊穿效應(yīng)和隧穿效應(yīng)，總結(jié)了柵漏電流噪聲特性，歸納了4種柵漏電流噪聲模型，并對各種模型的特性和局限性進(jìn)行了分析。

發(fā)表于：1/6/2010

光電式電流互感器原理及應(yīng)用

光電式電流互感器原理及應(yīng)用。

發(fā)表于：1/6/2010