微波射頻相關(guān)文章 Spansion 通過推出行業(yè)內(nèi)最高性能的 1.8V 串行 NOR閃存 擴展其閃存產(chǎn)品種類 2013年12月19日，中國北京 —— 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司今天推出高性能1.8V NOR閃存：Spansion® FS-S 閃存產(chǎn)品家族，進一步豐富了其高速串行NOR閃存產(chǎn)品線。 發(fā)表于：12/31/2013 GreenChip令X電容放電器的功耗降至1毫瓦 恩智浦半導(dǎo)體NXP SemiconductorsN.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布推出GreenChip? TEA1708——一款用于X電容的自動放電IC，其可在230 V (AC) 下實現(xiàn)1毫瓦的極低功耗。傳統(tǒng)電源依靠電阻對用來降低EMI (電磁干擾) 的X電容器進行放電。電源與主電源斷開之后，通過TEA1708對X電容進行自動放電，相比采用電阻放電可以降低20 – 30 mW的功耗。 發(fā)表于：12/23/2013 意法半導(dǎo)體(ST) 推出新的防潮射頻功率晶體管， 加強在射頻功率市場的表現(xiàn) 意法半導(dǎo)體推出兩款新的防潮射頻(RF，radio-frequency）功率晶體管，以提高目標(biāo)應(yīng)用在高潮濕環(huán)境內(nèi)的耐用性和可靠性。 發(fā)表于：12/23/2013 意法半導(dǎo)體（ST）“無拖尾電流”600V IGBT突破功率設(shè)計限制 意法半導(dǎo)體的先進的V系列600V溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）IGBT具有平順、無拖尾電流的關(guān)機特性，飽和電壓更是低達1.8V，最大工作結(jié)溫高達175°C，這些優(yōu)點將有助于開發(fā)人員提高系統(tǒng)能效和開關(guān)頻率，并簡化散熱設(shè)計和電磁干擾(EMI)設(shè)計。 發(fā)表于：12/16/2013 美高森美推出用于國防、航天、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用的 高可靠性、低電壓齊納二極管產(chǎn)品 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布推出全新 1-2.4 V齊納二極管產(chǎn)品，與標(biāo)準(zhǔn)齊納二極管相比，提供最高4x的更好的電壓調(diào)節(jié)性能和最高40x的典型泄漏電流改進。 發(fā)表于：12/10/2013 貿(mào)澤推出TE Connectivity的防塵防潮型DEUTSCH 369連接器 2013年11月28日，貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 現(xiàn)庫存TE Connectivity (TE) DEUTSCH 369 系列緊湊型高可靠連接器。這款I(lǐng)P67等級連接器非常適合極端灰塵或高壓力及水下環(huán)境，可在條件受限或不可視情況下輕松配接。 發(fā)表于：11/29/2013 富士通半導(dǎo)體攜手武漢力源推出富士通FRAM免費樣片申請活動 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，攜手武漢力源信息技術(shù)股份有限公司（P&S）推出了富士通鐵電存儲器(FRAM)免費樣片申請活動。本次活動面向廣大電子工程師群體，旨在通過本次活動讓更多人了解、熟悉富士通半導(dǎo)體的FRAM系列產(chǎn)品。 發(fā)表于：11/19/2013 恩智浦推出用于NFC天線的ESD保護二極管 發(fā)表于：11/12/2013 瑞薩電子推出全新的先進低功耗SRAM產(chǎn)品 可有效提高用戶系統(tǒng)的可靠性 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723），今日推出了12 款新產(chǎn)品版本的旗艦SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）產(chǎn)品，這些產(chǎn)品屬于RMLV0416E、RMLV0414E 及RMLV0408E 系列先進低功耗SRAM（先進LP SRAM）。新推出的存儲器設(shè)備擁有高達4 兆位（Mb）的密度，并采用極為精密的110 納米（nm）線寬制造工藝。 發(fā)表于：10/22/2013 Vishay推出新款精密薄膜片式電阻實驗室樣品套件 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司現(xiàn)在提供特定精密薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---MCS 0402(LCS 96/4)和MCT 0603(LCT 96/4)套件，幫助工程師開發(fā)各種各樣電子系統(tǒng)的原型和加快產(chǎn)品上市時間。 發(fā)表于：10/16/2013 意法半導(dǎo)體(ST)最新的雙極功率晶體管媲美MOSFET的能效且具備緊湊封裝，節(jié)省電路板空間 意法半導(dǎo)體的3STL2540提供雙極晶體管的成本優(yōu)勢和硅面積使用效率，同時兼具同級MOSFET的能效，為設(shè)計人員提供一個節(jié)省空間的低成本的電源管理和DC-DC電源轉(zhuǎn)換器（DC-DC converters）轉(zhuǎn)換解決方案。 發(fā)表于：10/15/2013 德州儀器推出最小型 2.5kVrms 數(shù)字隔離器件 日前，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界第一個數(shù)字隔離器件系列，其可通過5 毫米x 6 毫米小型 QSOP 封裝提供2.5 kVrms 的最高隔離額定值。該ISO71xx 系列不僅比傳統(tǒng)SOIC 隔離器件小50%，而且還可在相同封裝中提供比同類競爭器件高2.5 倍的隔離額定值。在不影響針對較低隔離額定值或EFT 浪涌的保護性能的同時縮小板級空間，在可編程邏輯控制器(PLC) 與傳感器等工業(yè)自動化應(yīng)用以及DeviceNet、CAN 與RS-485 等Fieldbus 應(yīng)用中已變得日益重要。 發(fā)表于：10/12/2013 LSI Nytro? WarpDrive®閃存加速卡顯著提高VMware虛擬桌面密度和性能 LSI公司（NASDAQ: LSI）日前宣布，其正與VMware進行密切合作，為部署VMware Horizon View?帶來了突破性的虛擬桌面密度。與VMware Horizon View的協(xié)作測試采用了單一的LSI® Nytro? WarpDrive®應(yīng)用加速卡，可在雙節(jié)點集群上同時支持200臺活動虛擬桌面基礎(chǔ)架構(gòu)（VDI）的工作負(fù)載，且不會出現(xiàn)存儲延遲。 發(fā)表于：9/26/2013 恩智浦NextPowerS3可提供帶軟恢復(fù)功能的超快速開關(guān)性能的MOSFET 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術(shù)。NextPowerS3是業(yè)界首款能夠提供高頻率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或類似肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能，而且這種MOSFET沒有令人煩惱的高漏電流問題。NextPowerS3 30V的產(chǎn)品適合于各種應(yīng)用，包括用于通信和云端計算機所需要的高效率電源、高性能便攜式計算機電源和電池供電式電機控制，如可充電電動工具。 發(fā)表于：9/26/2013 JEDEC® 發(fā)布通用閃存標(biāo)準(zhǔn) （UFS）2.0版 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天發(fā)布通用閃存（UFS）標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專為需要高性能低功耗的移動應(yīng)用和計算系統(tǒng)而設(shè)計。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以提高性能，延伸安全功能，并進一步降低功耗。 發(fā)表于：9/23/2013 ?…78798081828384858687…?
