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恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm無引腳封裝的低VCEsat雙晶體管

智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無引腳）封裝。15種采用無引腳、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封裝的全新產(chǎn)品即將上市，它們的集電極電壓(VCEO)為30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。

發(fā)表于：3/25/2013

德州儀器推出支持業(yè)界最低功耗的智能旁路二極管

日前，德州儀器(TI) 宣布推出一款采用標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝封裝并支持15A 電流處理功能與業(yè)界最低功耗的智能旁路二極管。與采用3 個(gè)傳統(tǒng)肖特基二極管的類似接線盒相比，在典型應(yīng)用中每個(gè)SM74611 不但可將功耗銳降80%，而且還可將接線盒內(nèi)的工作溫度降低50 攝氏度。

發(fā)表于：3/18/2013

Everspin推出帶Quad SPI接口的1Mb串行MRAM器件

Everspin科技公司今天宣布推出一款帶有Quad SPI接口的1Mb全新串行MRAM器件 ——MR10Q010。Quad SPI有4個(gè)串行I/O通路，從一個(gè)串行I/O通路的SPI發(fā)展而來。MRAM和Quad SPI的結(jié)合讓用戶可以充分運(yùn)用超高的寫速度，徹底摒棄了Flash或EEPROM器件必須經(jīng)歷的寫延時(shí)。MR10Q010擁有一個(gè)52MBps讀/寫帶寬的104MHz時(shí)鐘速度，Everspin期待它用在需要高頻率、高速寫入重要數(shù)據(jù)的應(yīng)用中。MR10Q010體現(xiàn)了Everspin磁性RAM（MRAM）的所有優(yōu)點(diǎn) —— 最快的非易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，具有超強(qiáng)的可靠性。

發(fā)表于：3/5/2013

德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器旨在滿足 IGBT 與 SiC FET 設(shè)計(jì)需求

日前，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 與碳化硅(SiC) FET 的35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅(qū)動(dòng)器。TI 支持拆分輸出的最新UCC27531 與UCC27532 輸出級柵極驅(qū)動(dòng)器可為隔離式電源設(shè)計(jì)提供最高效率的輸出驅(qū)動(dòng)功能、最低的傳播延遲以及更高的系統(tǒng)保護(hù)力，以充分滿足太陽能DC/AC 逆變器、不間斷電源供應(yīng)以及電動(dòng)汽車充電等應(yīng)用需求。

發(fā)表于：3/4/2013

電源設(shè)計(jì)小貼士 50：鋁電解電容器常見缺陷的規(guī)避方法

因其低成本的特點(diǎn)，鋁電解電容器一直都是電源的常用選擇。但是，它們壽命有限，且易受高溫和低溫極端條件的影響。鋁電解電容器在浸透電解液的紙片兩面放置金屬薄片。這種電解液會(huì)在電容器壽命期間蒸發(fā)，從而改變其電氣屬性。如果電容器失效，其會(huì)出現(xiàn)劇烈的反應(yīng)：電容器中形成壓力，迫使它釋放出易燃、腐蝕性氣體。

發(fā)表于：2/26/2013

英飛凌選用漢高新型導(dǎo)熱膏——導(dǎo)熱性能更出色的TIM

功率半導(dǎo)體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設(shè)計(jì)階段就將散熱管理功能集成到當(dāng)今的功率半導(dǎo)體中。只有這樣，它們才能確保實(shí)現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個(gè)技術(shù)瓶頸是功率器件和散熱器之間的導(dǎo)熱膏。在高功率密度的情況下，目前所用材料往往不能滿足與日俱增功率密度的提高。在尋求解決方案的過程中，英飛凌科技股份公司選中了漢高電子材料提供的TIM材料?，F(xiàn)在，漢高進(jìn)一步推出一種專門針對功率半導(dǎo)體模塊而優(yōu)化的導(dǎo)熱膏。

發(fā)表于：2/26/2013

意法半導(dǎo)體（ST）與阿姆斯特丹大學(xué)理工學(xué)院合作追蹤鳥類飛行記錄

意法半導(dǎo)體與阿姆斯特丹（UvA）大學(xué)理工學(xué)院攜手宣布，該大學(xué)研發(fā)的先進(jìn)鳥類追蹤系統(tǒng)采用了意法半導(dǎo)體的先進(jìn)MEMS傳感技術(shù)。

發(fā)表于：2/22/2013

瑞薩電子發(fā)布擁有世界頂級超高開關(guān)速度，且集成IGBT柵極驅(qū)動(dòng)保護(hù)功能的光電耦合器

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今天宣布發(fā)布兩款帶有集成絕緣柵門極晶體管（IGBT）[注釋1]保護(hù)功能的全新光電耦合器：PS9332L 和PS9332L2，這兩款光電耦合器適用于工業(yè)機(jī)械和太陽能系統(tǒng)等應(yīng)用條件。

發(fā)表于：2/5/2013

瑞薩電子宣布推出適用于功率效率更高、緊湊型服務(wù)器電源的低通態(tài)電阻功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）于今天宣布推出三種新型的低通態(tài)電阻MOSFET 產(chǎn)品，包括在網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和存儲(chǔ)系統(tǒng)內(nèi)的電源裝置中作為ORing [注釋3] FET使用的 µPA2766T1A。

發(fā)表于：2/4/2013

Avago Technologies推出新一代智能門驅(qū)動(dòng)光電耦合器

有線、無線和工業(yè)應(yīng)用模擬接口零組件領(lǐng)先供應(yīng)商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出一款高度集成的新智能門驅(qū)動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品，ACPL-339J為面向MOSFET緩沖器高電壓和低電壓側(cè)門驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，具有雙輸出的1A電流輸出門驅(qū)動(dòng)光電耦合器，ACPL-339J內(nèi)置定時(shí)主動(dòng)控制電路，可以避免交越傳導(dǎo)并極小化MOSFET緩沖電路的開關(guān)損耗。

發(fā)表于：2/1/2013

Vishay推出可承受12kV高壓浪涌的業(yè)內(nèi)首款軸向水泥繞線電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列軸向水泥繞線電阻---Z300-C系列，是業(yè)內(nèi)首個(gè)具有12kV定制高壓浪涌承受能力的器件。

發(fā)表于：1/29/2013

TT electronics電阻系列產(chǎn)品全面增強(qiáng)浪涌和脈沖保護(hù)能力

TT electronics公司推出全面的繞線電阻系列，具有范圍從2W至7W的業(yè)界最高額定浪涌能量。WHS系列防燃電阻適用于廣泛的脈沖應(yīng)用，特別瞄準(zhǔn)需要線路輸入電阻來實(shí)現(xiàn)啟動(dòng)電流限制和保護(hù)的電源設(shè)計(jì)人員的需求。

發(fā)表于：1/25/2013

美高森美擴(kuò)展碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品系列

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。該功率模塊系列還提供了更寬的溫度范圍，以期滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對更高的功率密度、工作頻率和效率的要求。

發(fā)表于：1/25/2013

恩智浦推出針對熱插拔應(yīng)用的新一代功率MOSFET

憑借在功率MOSFET領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日推出了其NextPower Live產(chǎn)品組合，設(shè)計(jì)出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時(shí)提供出色的線性模式性能和極低的RDS（on）值，該獨(dú)特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。

發(fā)表于：1/24/2013

殘留頻差對自適應(yīng)陣列天線的影響

自適應(yīng)陣列天線可以通過數(shù)字下變頻實(shí)現(xiàn)信號正交化，把中頻數(shù)字信號轉(zhuǎn)換到零中頻，然后進(jìn)行加權(quán)求和。分析了變頻過程中因沒有進(jìn)行載波同步所導(dǎo)致的殘留頻差對自適應(yīng)陣列天線算法的影響。通過詳細(xì)的理論分析表明，只要上、下變頻采用相同本振，殘留頻差對算法并沒有影響，即使對帶通采樣系統(tǒng)，該結(jié)論同樣成立。對頻譜、陣列增益的仿真證明了理論分析的正確性。

發(fā)表于：1/23/2013