微波射頻相關(guān)文章 富士通半導(dǎo)體推出擁有1Mb內(nèi)存的全新FRAM器件 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，成功開發(fā)出擁有1Mb內(nèi)存(128K字符X 8位)的全新FRAM產(chǎn)品---MB85RC1MT，是所有富士通半導(dǎo)體I2C串行接口產(chǎn)品中最高內(nèi)存容量的產(chǎn)品，且即日起即可為客戶提供樣品。 發(fā)表于：2/28/2014 Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR閃存 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司今天宣布推出突破性的Spansion® HyperBus? 接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)（SoC）制造商都正在廣泛部署Spansion HyperBus接口。 發(fā)表于：2/19/2014 意法半導(dǎo)體(ST)推出新款先進(jìn)的9軸運(yùn)動和位置傳感器，鎖定尺寸更小、更智能的電子產(chǎn)品應(yīng)用 意法半導(dǎo)體（ST），推出最先進(jìn)的9軸運(yùn)動位置傳感器模塊。新產(chǎn)品將目標(biāo)應(yīng)用鎖定下一代移動設(shè)備和穿戴式裝置市場。 發(fā)表于：1/23/2014 意法半導(dǎo)體(ST)650V碳化硅二極管具有獨(dú)一無二的雙管配置，可提高安全性、能效并節(jié)省空間 意法半導(dǎo)體的新雙管配置碳化硅(SiC)肖特基二極管是市場上同類產(chǎn)品中首款每只管子額定電壓650V且共陰極或串聯(lián)配置的整流二極管，可用于交錯式或無橋型功率因數(shù)校正(PFC)電路。 發(fā)表于：1/17/2014 Spansion為多圖像應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先性能的雙四路串行閃存 2013年12月19日，中國北京 —— 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司（紐約證交所代碼：CODE）今天宣布推出一個新的串行外設(shè)接口（SPI）閃存產(chǎn)品家族。為了滿足汽車儀表板與工業(yè)人機(jī)交互界面等多圖像應(yīng)用的需求，該產(chǎn)品家族具備業(yè)內(nèi)最高的讀取性能與最小的封裝占板面積。Spansion® FL 雙四路 SPI 產(chǎn)品家族的啟動時間與代碼執(zhí)行時間非常短，快速圖片讀取性能可達(dá)到160MB/s，比目前最快的其他SPI提升240%。 發(fā)表于：12/31/2013 Spansion 通過推出行業(yè)內(nèi)最高性能的 1.8V 串行 NOR閃存 擴(kuò)展其閃存產(chǎn)品種類 2013年12月19日，中國北京 —— 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司今天推出高性能1.8V NOR閃存：Spansion® FS-S 閃存產(chǎn)品家族，進(jìn)一步豐富了其高速串行NOR閃存產(chǎn)品線。 發(fā)表于：12/31/2013 GreenChip令X電容放電器的功耗降至1毫瓦 恩智浦半導(dǎo)體NXP SemiconductorsN.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布推出GreenChip? TEA1708——一款用于X電容的自動放電IC，其可在230 V (AC) 下實現(xiàn)1毫瓦的極低功耗。傳統(tǒng)電源依靠電阻對用來降低EMI (電磁干擾) 的X電容器進(jìn)行放電。電源與主電源斷開之后，通過TEA1708對X電容進(jìn)行自動放電，相比采用電阻放電可以降低20 – 30 mW的功耗。 發(fā)表于：12/23/2013 意法半導(dǎo)體(ST) 推出新的防潮射頻功率晶體管， 加強(qiáng)在射頻功率市場的表現(xiàn) 意法半導(dǎo)體推出兩款新的防潮射頻(RF，radio-frequency）功率晶體管，以提高目標(biāo)應(yīng)用在高潮濕環(huán)境內(nèi)的耐用性和可靠性。 發(fā)表于：12/23/2013 意法半導(dǎo)體（ST）“無拖尾電流”600V IGBT突破功率設(shè)計限制 意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的V系列600V溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）IGBT具有平順、無拖尾電流的關(guān)機(jī)特性，飽和電壓更是低達(dá)1.8V，最大工作結(jié)溫高達(dá)175°C，這些優(yōu)點(diǎn)將有助于開發(fā)人員提高系統(tǒng)能效和開關(guān)頻率，并簡化散熱設(shè)計和電磁干擾(EMI)設(shè)計。 發(fā)表于：12/16/2013 美高森美推出用于國防、航天、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用的 高可靠性、低電壓齊納二極管產(chǎn)品 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)宣布推出全新 1-2.4 V齊納二極管產(chǎn)品，與標(biāo)準(zhǔn)齊納二極管相比，提供最高4x的更好的電壓調(diào)節(jié)性能和最高40x的典型泄漏電流改進(jìn)。 發(fā)表于：12/10/2013 貿(mào)澤推出TE Connectivity的防塵防潮型DEUTSCH 369連接器 2013年11月28日，貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 現(xiàn)庫存TE Connectivity (TE) DEUTSCH 369 系列緊湊型高可靠連接器。這款I(lǐng)P67等級連接器非常適合極端灰塵或高壓力及水下環(huán)境，可在條件受限或不可視情況下輕松配接。 發(fā)表于：11/29/2013 富士通半導(dǎo)體攜手武漢力源推出富士通FRAM免費(fèi)樣片申請活動 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，攜手武漢力源信息技術(shù)股份有限公司（P&S）推出了富士通鐵電存儲器(FRAM)免費(fèi)樣片申請活動。本次活動面向廣大電子工程師群體，旨在通過本次活動讓更多人了解、熟悉富士通半導(dǎo)體的FRAM系列產(chǎn)品。 發(fā)表于：11/19/2013 恩智浦推出用于NFC天線的ESD保護(hù)二極管 發(fā)表于：11/12/2013 瑞薩電子推出全新的先進(jìn)低功耗SRAM產(chǎn)品 可有效提高用戶系統(tǒng)的可靠性 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723），今日推出了12 款新產(chǎn)品版本的旗艦SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）產(chǎn)品，這些產(chǎn)品屬于RMLV0416E、RMLV0414E 及RMLV0408E 系列先進(jìn)低功耗SRAM（先進(jìn)LP SRAM）。新推出的存儲器設(shè)備擁有高達(dá)4 兆位（Mb）的密度，并采用極為精密的110 納米（nm）線寬制造工藝。 發(fā)表于：10/22/2013 Vishay推出新款精密薄膜片式電阻實驗室樣品套件 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司現(xiàn)在提供特定精密薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---MCS 0402(LCS 96/4)和MCT 0603(LCT 96/4)套件，幫助工程師開發(fā)各種各樣電子系統(tǒng)的原型和加快產(chǎn)品上市時間。 發(fā)表于：10/16/2013 ?…80818283848586878889…?
