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美國(guó)對(duì)華HBM出口管制規(guī)則公布
發(fā)表于：12/3/2024 1:32:38 PM
三星將展示42.5Gbps超高速24GB GDDR7顯存
發(fā)表于：12/2/2024 9:55:55 AM
三星電子官宣2025年度重大組織與高管結(jié)構(gòu)調(diào)整
發(fā)表于：11/27/2024 1:51:40 PM
2024Q3全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收260.2億美元
發(fā)表于：11/27/2024 1:01:10 PM
TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌
發(fā)表于：11/21/2024 10:19:00 AM
ASML在2024 年投資者日會(huì)議上就市場(chǎng)機(jī)遇提供最新看法
發(fā)表于：11/18/2024 11:00:36 PM
TrendForce研報(bào)預(yù)計(jì)2025年DRAM 價(jià)格將下跌
發(fā)表于：11/18/2024 8:10:34 PM
DDR4內(nèi)存正逐漸被放棄
發(fā)表于：11/11/2024 10:41:33 AM
鎧俠宣布斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存
發(fā)表于：11/8/2024 8:52:15 AM
TrendForce預(yù)測(cè)2025年DRAM產(chǎn)量同比增長(zhǎng)25%
發(fā)表于：11/7/2024 10:56:35 AM
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：11/4/2024 1:16:16 PM
三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)三季度獲利環(huán)比大跌40%
發(fā)表于：11/1/2024 8:18:53 AM
三星前員工涉嫌向韓國(guó)泄露國(guó)產(chǎn)內(nèi)存秘密被中國(guó)警方逮捕
發(fā)表于：10/31/2024 9:27:05 AM
消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出
發(fā)表于：10/30/2024 11:22:15 AM
消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發(fā)表于：10/23/2024 11:18:21 AM
三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：10/18/2024 10:19:43 AM
TrendForce預(yù)測(cè)2024年第四季度DRAM價(jià)格漲幅放緩
發(fā)表于：10/14/2024 10:01:38 AM
摩根士丹利報(bào)告顯示DRAM市場(chǎng)寒冬將至
發(fā)表于：9/19/2024 11:21:01 AM
兩名前三星員工涉嫌泄露價(jià)值32億美元商業(yè)機(jī)密被捕
發(fā)表于：9/12/2024 8:50:18 AM
英飛凌支付7.5億歐元與奇夢(mèng)達(dá)和解
發(fā)表于：8/25/2024 3:12:50 PM
2024年第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)24.8%
發(fā)表于：8/16/2024 8:50:50 AM
消息稱SK海力士啟動(dòng)M16擴(kuò)產(chǎn)
發(fā)表于：8/15/2024 9:47:46 AM
消息稱三星電子確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資
發(fā)表于：8/13/2024 10:39:10 AM
機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2024年DRAM收入將激增至980億美元
發(fā)表于：8/6/2024 9:56:00 AM
傳稱三星將轉(zhuǎn)移30%產(chǎn)能生產(chǎn)HBM
發(fā)表于：7/17/2024 10:10:00 PM
DRAM和NAND現(xiàn)貨價(jià)格下跌短期內(nèi)難以回升
發(fā)表于：6/21/2024 8:30:26 AM
消息稱美光正在全球擴(kuò)張HBM內(nèi)存產(chǎn)能
發(fā)表于：6/20/2024 8:35:40 AM
消息稱三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存良率不足五成
發(fā)表于：6/12/2024 8:59:45 AM
南亞科技首款1Cnm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品明年初試產(chǎn)
發(fā)表于：5/30/2024 11:19:00 AM
消息稱SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠
發(fā)表于：5/30/2024 11:13:05 AM

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