11月26日消息，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布最新研究報(bào)告稱，雖然受中國(guó)手機(jī)業(yè)者去化庫(kù)存和陸系DRAM供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)，以及三大DRAM原廠的LPDDR4及DDR4出貨量下降影響，但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM需求上升，推動(dòng)今年第三季DRAM市場(chǎng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)13.6%至260.2億美元。

在三季度的DRAM平均售價(jià)方面，三星、SK海力士、美光著三大DRAM原廠仍延續(xù)了二季度上漲的態(tài)勢(shì)，加上HBM持續(xù)排擠整體DRAM產(chǎn)能，使得合約價(jià)第三季達(dá)成8%~13%漲幅。

分析今年第三季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收，受服務(wù)器及PC DRAM合約價(jià)上漲帶動(dòng)，三大DRAM業(yè)者營(yíng)收皆持續(xù)環(huán)比增長(zhǎng)。其中，三星DRAM營(yíng)收為107億美元，環(huán)比增長(zhǎng)9%，排名維持第一。策略性出清LPDDR4及DDR4庫(kù)存，造成第三季位出貨量與上季持平。

SK海力士第三季DRAM營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)13.1%至89.5億美元，排名第二。DRAM位元出貨量環(huán)比下滑1%~3%，反映即使HBM3e出貨擴(kuò)大放量，仍無(wú)法抵銷LPDDR4及DDR4出貨萎縮。

美光第三季DRAM營(yíng)收為57.8億美元，環(huán)比增幅度高達(dá)28.3%。其服務(wù)器DRAM及HBM3e出貨增加，推升位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)約13%。

TrendForce表示，第三季臺(tái)系DRAM供應(yīng)商營(yíng)收皆呈季減，大幅落后三大業(yè)者。南亞科技因一般型DRAM終端銷售動(dòng)能轉(zhuǎn)弱，和陸系供應(yīng)商DDR4市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，出貨量環(huán)比下滑逾20%。第三季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率自-23.4%惡化至-30.8%，也反映出此前停電造成的損失。

華邦電子第三季出貨量同樣因一般型DRAM需求轉(zhuǎn)弱而較上季減少，營(yíng)收也環(huán)比減少8.6%，下降至1.54億美元。力積電DRAM營(yíng)收若只計(jì)算自家生產(chǎn)一般型DRAM產(chǎn)品，呈環(huán)比下滑27.6%；若加計(jì)代工營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)18%，反映代工客戶補(bǔ)庫(kù)存需求仍有延續(xù)。

展望2024年第四季，TrendForce預(yù)估整體原廠位元出貨量將較前一季增加，價(jià)格因HBM排擠產(chǎn)能效應(yīng)可能較預(yù)期弱，以及陸系供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)PC OEM和手機(jī)業(yè)者積極去化庫(kù)存，以取得較低價(jià)DRAM產(chǎn)品，一般型DRAM（conventional DRAM）合約價(jià)、一般型DRAM與HBM合并合約價(jià)都下跌。

值得一提的是，《日經(jīng)新聞》的最新報(bào)道也顯示，雖然AI服務(wù)器需求持續(xù)強(qiáng)勁，但是由于PC市場(chǎng)需求疲軟，拖累了DRAM價(jià)格在9月和10月連兩個(gè)月下跌。

報(bào)道稱，DRAM需求約50%來(lái)自PC和服務(wù)器、約35%來(lái)自智能手機(jī)。今年10月，指標(biāo)性產(chǎn)品DDR4 8Gb批發(fā)價(jià)（大宗交易價(jià)格）為每個(gè)1.98美元左右，容量較小4Gb產(chǎn)品價(jià)格1.52美元，皆較9月下跌3%，這也是連第二個(gè)月下跌。DRAM批發(fā)價(jià)格為內(nèi)存廠商和客戶間每個(gè)月或每季敲定一次。

韓國(guó)三星電子、SK海力士及美國(guó)美光（Micron）為全球前三大DRAM廠，英國(guó)調(diào)查公司Omdia指出，中國(guó)市場(chǎng)營(yíng)收（2023年實(shí)績(jī)）占上述三大廠營(yíng)收比重分別為27%、30%、17%。