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東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

6月29日消息，據(jù)scitechdaily報(bào)道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。

譚建榮院士：元宇宙將推動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)進(jìn)入3.0時(shí)代所有互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用都需升級(jí)

新浪科技訊 8月9日上午消息，在世界5G大會(huì)的前瞻論壇上，中國工程院院士譚建榮發(fā)表《元宇宙：從概念到產(chǎn)業(yè)-關(guān)鍵技術(shù)與發(fā)現(xiàn)趨勢(shì)》的主題演講。

發(fā)表于：8/9/2022

軟件無線電架構(gòu)的導(dǎo)航接收機(jī)模擬前端設(shè)計(jì)

針對(duì)基于超外差或低中頻的傳統(tǒng)導(dǎo)航接收機(jī)模擬前端電路功能復(fù)雜、功耗高、不利于單片集成等問題，基于模擬最小化，數(shù)字最大化的思想，通過芯片內(nèi)部集成高增益射頻放大器、低功耗的高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器、低抖動(dòng)的時(shí)鐘鎖相環(huán)，創(chuàng)新性地設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一款基于軟件無線電架構(gòu)的接收機(jī)模擬前端電路。通過55 nm CMOS 工藝電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)、仿真及硅流片驗(yàn)證，測(cè)試結(jié)果表明該接收機(jī)前端電路各模塊功能正常，實(shí)現(xiàn)了單個(gè)模擬接收通道處理多模導(dǎo)航信號(hào)，極大地降低了模擬電路的規(guī)模及功耗并成功應(yīng)用于一款多模導(dǎo)航SoC芯片中。

發(fā)表于：8/9/2022

基于電壓比較器的固態(tài)功率控制器驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路研究

研究了基于電壓比較器的固態(tài)功率控制器驅(qū)動(dòng)保護(hù)技術(shù)原理，設(shè)計(jì)了降柵壓保護(hù)電路。通過設(shè)置降柵壓保護(hù)電路的輸出電壓值和電壓上升/下降的速度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)MOSFET柵極電壓的控制和對(duì)負(fù)載在過流或短路時(shí)的及時(shí)保護(hù)功能。解決了現(xiàn)有技術(shù)中使用穩(wěn)壓二極管判斷過流門限電壓，導(dǎo)致對(duì)MOSFET柵極電壓的控制精度不高和受保護(hù)MOSFET在一個(gè)時(shí)延內(nèi)反復(fù)開通/關(guān)斷的問題。經(jīng)過電路分析和仿真實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明降柵壓保護(hù)電路可以在45 μs內(nèi)對(duì)短路負(fù)載進(jìn)行關(guān)斷保護(hù)。

發(fā)表于：8/9/2022

自動(dòng)駕駛政策頻出駕駛員仍難“下崗” 商業(yè)化步入漸進(jìn)式發(fā)展軌道

　《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》8月9日訊（記者曾樂），隨著自動(dòng)駕駛產(chǎn)業(yè)配套政策接連出臺(tái)，其商業(yè)化步入漸進(jìn)式發(fā)展軌道。

發(fā)表于：8/9/2022

創(chuàng)紀(jì)錄，三個(gè)月虧掉1580億，風(fēng)投巨頭大潰??！日本前首富：將使用裁員等手段消減成本

　8月8日下午前日本首富孫正義旗下軟銀集團(tuán)（以下簡(jiǎn)稱“軟銀”）發(fā)布了其2022財(cái)年第一季度（截至2022年6月30日的三個(gè)月）業(yè)績報(bào)告。報(bào)告顯示，2022財(cái)年第一季度歸屬軟銀股東凈虧損3.16萬億日元（約合人民幣1580億元），這一數(shù)字也刷新了該公司虧損紀(jì)錄。

發(fā)表于：8/9/2022

高通將從GlobalFoundries額外采購42億美元芯片

新浪科技訊北京時(shí)間8月9日早間消息，據(jù)周一公布的一份文件顯示，高通同意從半導(dǎo)體晶圓代工公司GlobalFoundries紐約工廠額外采購價(jià)值42億美元的半導(dǎo)體芯片，這就使其到2028年的總購買額達(dá)到了74億美元。

發(fā)表于：8/9/2022

拜登簽署芯片法案前夕，芯片與汽車業(yè)CEO舉行會(huì)議

　新浪科技訊北京時(shí)間8月9日早間消息，據(jù)報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一，芯片制造商格芯和Applied Material，以及汽車制造商福特汽車和通用汽車的負(fù)責(zé)人與美國政府官員舉行閉門峰會(huì)，討論政府投資半導(dǎo)體的計(jì)劃。

發(fā)表于：8/9/2022

大數(shù)據(jù)技術(shù)在企業(yè)和政府中都有應(yīng)用！

經(jīng)濟(jì)發(fā)展模式的創(chuàng)新以及常態(tài)化管理工作機(jī)制的構(gòu)建，為企業(yè)的穩(wěn)定發(fā)展以及市場(chǎng)營銷管理模式的構(gòu)建提供了新的發(fā)展思路和發(fā)展機(jī)遇，同時(shí)也提出了新的挑戰(zhàn)。在此發(fā)展背景下，相關(guān)企業(yè)應(yīng)當(dāng)不斷升級(jí)優(yōu)化市場(chǎng)營銷管理模式，強(qiáng)化風(fēng)險(xiǎn)管控，不斷地拓展新興的業(yè)務(wù)模式。

發(fā)表于：8/9/2022

大數(shù)據(jù)技術(shù)已經(jīng)被應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域！

電子營銷發(fā)展管理工作的全面推進(jìn)，主要是基于現(xiàn)代化互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的，通過反復(fù)創(chuàng)新優(yōu)化和技術(shù)改革，從而推動(dòng)企業(yè)與企業(yè)之間建立起良好穩(wěn)定的發(fā)展關(guān)系，加強(qiáng)企業(yè)與個(gè)人之間的交流溝通。

發(fā)表于：8/9/2022

星載雙頻雙端口天線設(shè)計(jì)

針對(duì)星載收發(fā)機(jī)的使用需求，設(shè)計(jì)了一種雙頻段、雙端口、雙天線共口徑的微帶天線。通過輻射貼片加載短路過孔技術(shù)，配合外部方形圓孔貼片和內(nèi)部圓形貼片切角技術(shù)，使雙天線均工作在主模。雙天線共口徑工作，分別輻射左旋圓極化和右旋圓極化波，有效降低星載雙天線布局復(fù)雜度。仿真結(jié)果表明：天線在中心頻點(diǎn)1.615 GHz處回波損耗為-13 dB，10 dB帶寬為50 MHz，增益為6 dB，半功率波束寬度為90°，±60°波束內(nèi)軸比小于3 dB；天線在中心頻點(diǎn)2.491 GHz處回波損耗為-18 dB，10 dB帶寬為40 MHz，增益為6 dB,半功率波束寬度為90°，±60°波束內(nèi)軸比小于3 dB；雙端口隔離度優(yōu)于32 dB。經(jīng)加工，實(shí)測(cè)結(jié)果與仿真結(jié)果一致，該天線對(duì)星載雙頻段、雙端口共口徑天線設(shè)計(jì)具有一定指導(dǎo)意義。

發(fā)表于：8/9/2022