《電子技術(shù)應(yīng)用》
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破, 為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本

包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-09

 

碳化硅功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)將重新界定大功率應(yīng)用的性能和能效,推出全新產(chǎn)品系列— 50A碳化硅功率器件。該產(chǎn)品系列不僅包括業(yè)界首款1700V Z-FET碳化硅MOSFET器件,還包括1200V Z-FET碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec®碳化硅肖特基二極管,能夠提供創(chuàng)紀(jì)錄的能效以及比傳統(tǒng)技術(shù)更低的擁有成本,開創(chuàng)了新一代電源系統(tǒng)。

科銳50A碳化硅功率器件采用裸芯片形式,針對太陽能功率逆變器、不間斷電源設(shè)備以及電機(jī)驅(qū)動器等大功率模組應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計。該類器件以更小的尺寸、更低的物料成本以及更高的效率使得電力電子工程師能夠?yàn)橄到y(tǒng)擁有成本設(shè)定新的標(biāo)準(zhǔn)。

科銳副總裁兼功率與射頻總經(jīng)理Cengiz Balkas表示:“正是科銳通過不斷的創(chuàng)新,以及科銳在碳化硅領(lǐng)域獨(dú)創(chuàng)的材料技術(shù)、晶圓片工藝和器件設(shè)計,才使得這樣技術(shù)突破得以實(shí)現(xiàn)。大尺寸的芯片能夠?qū)崿F(xiàn)更多的優(yōu)勢,使得碳化硅MOSFET器件能夠使用在更高的功率應(yīng)用中應(yīng)用,從而能夠取代在大功率、高電壓應(yīng)用領(lǐng)域中的低效傳統(tǒng)硅IGBT器件。”

該系列高額定碳化硅器件的推出保持了科銳在碳化硅技術(shù)屢創(chuàng)第一的傳統(tǒng),如業(yè)界第一款1200V 碳化硅MOSFET器件以及第一個量產(chǎn)1200V和1700V碳化硅肖特基二極管。

科銳全新產(chǎn)品系列50A碳化硅器件包括40mΩ1700V MOSFET器件、25mΩ1200V MOSFET器件以及50A/1700V、50A/1200V和50A/650V肖特基二極管。該產(chǎn)品系列現(xiàn)已提供樣品及基礎(chǔ)數(shù)據(jù)表,預(yù)計2012年秋實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。如需索取樣品及進(jìn)一步了解科銳碳化硅功率器件的更多詳情,敬請訪問:www.cree.com/power。

關(guān)于科銳(CREE

科銳成立于1987年,是美國上市公司(1993年,納斯達(dá)克:CREE),為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者。科銳LED 照明產(chǎn)品的優(yōu)勢體現(xiàn)在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等方面獨(dú)一無二的材料技術(shù)與先進(jìn)的白光技術(shù),擁有1,300多項(xiàng)美國專利、2,900多項(xiàng)國際專利和389項(xiàng)中國專利(以上包括已授權(quán)和在審專利),使得科銳LED產(chǎn)品始終處于世界領(lǐng)先水平??其J照明級大功率LED,具有光效高、色點(diǎn)穩(wěn)、壽命長等優(yōu)點(diǎn)??其J在向客戶提供高質(zhì)量、高可靠發(fā)光器件產(chǎn)品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案??其J碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管開關(guān)器件(MOSFET Switch)的導(dǎo)通電阻小、溫度系數(shù)穩(wěn)、漏電流低、開關(guān)時間短,以及科銳碳化硅肖特基功率二極管(Schottky Power Diode)零反向恢復(fù)電流等特性,使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統(tǒng)。

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