東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布，該公司將拆除四日市業(yè)務(wù)部(Yokkaichi Operations)生產(chǎn)基地的2號半導(dǎo)體生產(chǎn)廠(Fab 2)，并在同一地點新建晶圓廠。Fab 2是該公司位于日本三重縣的NAND閃存制造廠。為共同投資新廠房，東芝還與閃迪公司(SanDisk, NASDAQ: SNDK)簽署了一份不具約束力的諒解備忘錄。新建晶圓廠的主要目的旨在提供生產(chǎn)空間，以便將現(xiàn)有的東芝和閃迪2D NAND產(chǎn)能從2016年開始向3D NAND進行轉(zhuǎn)化。

現(xiàn)有Fab 2的拆除工作將于今年5月啟動，而新廠將于2014年9月開始施工，并預(yù)計于2015年夏季竣工。新晶圓廠內(nèi)的無塵室將分階段進行建設(shè)，以便與2D NAND產(chǎn)能向3D NAND轉(zhuǎn)化的時間安排相吻合。第一階段無塵室建設(shè)將按時完成，以配合2016年產(chǎn)出。產(chǎn)能轉(zhuǎn)化加速和設(shè)備投資、生產(chǎn)啟動，以及新晶圓廠的產(chǎn)量水平方面的決策將根據(jù)市場趨勢作出。

新晶圓廠將提供工藝配套設(shè)施，主要用于3D NAND存儲器的生產(chǎn)，并將與四日市的其他設(shè)施密切配合使用。東芝和閃迪將通過合資企業(yè)，利用其最先進的光刻、沉積和蝕刻制造設(shè)備支持3D存儲器生產(chǎn)。

東芝公司企業(yè)高級副總裁、半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司總裁兼首席執(zhí)行官Yasuo Naruke表示：“我們決心開發(fā)先進的技術(shù)彰顯出我們響應(yīng)對NAND閃存持續(xù)需求的承諾。我們相信，東芝與閃迪在四日市成立的合資企業(yè)將使我們能夠生產(chǎn)具有成本競爭力的下一代存儲器產(chǎn)品。”

閃迪公司總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“我們很高興能夠與東芝在這一新的晶圓廠繼續(xù)我們的長期合作，這將推動我們在存儲器技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位跨入3D NAND領(lǐng)域。”

該新晶圓廠將采用減震結(jié)構(gòu)和環(huán)保設(shè)計，包括整棟建筑的LED照明。它還將配備最先進的節(jié)能生產(chǎn)設(shè)備，從而確保提高生產(chǎn)力，同時降低功耗。高效利用廢熱將有助于降低燃料消耗和減少二氧化碳排放量，相比Fab 5可減少15％。而Fab 5是目前四日市生產(chǎn)基地中最先進的晶圓廠。

在向3D NAND過渡期間，東芝和閃迪將通過合資企業(yè)，充分利用四日市生產(chǎn)基地資源，以最大化投資效率。展望未來，兩家公司將繼續(xù)共同開發(fā)先進的工藝技術(shù)，并進行投資以滿足市場需求。