Intel在微處理器晶體管設(shè)計上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實現(xiàn)。

　　3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極，使得晶體管可以更加緊密地靠在一起，從而大大提高晶體管密度。這種設(shè)計可以在晶體管開啟狀態(tài)(高性能負載)時通過盡可能多的電流，同時在晶體管關(guān)閉狀態(tài)(節(jié)能)時將電流降至幾乎為零，并能在兩種狀態(tài)之間極速切換。這種高效支持發(fā)展的速度能讓摩爾定律延續(xù)數(shù)年，促進處理器性能大幅提升，并且可以更節(jié)能，而一款代號為Ivy Bridge的22納米處理器將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。該處理器不僅可以用在電腦、手機和消費電子產(chǎn)品上，還可以用在汽車、宇宙飛船、家用電器、醫(yī)療設(shè)備和云計算服務(wù)器上。3D Tri-Gate晶體管架構(gòu)能夠有效提高單位面積內(nèi)的晶體管數(shù)量，非常適合輕薄著稱的移動設(shè)備，它將取代CPU領(lǐng)域現(xiàn)有的2D架構(gòu)，手機和消費電子等移動領(lǐng)域都將應(yīng)用這一技術(shù)。

　　摩爾定律

　　硅技術(shù)的發(fā)展使得每2年晶體管密度就會翻倍，伴隨性能增加與成本降低。這已是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基本商業(yè)模式。

　　性能和能耗大幅改進

　　在低電壓條件下22納米的3D Tri-Gate晶體管比Intel32納米平面晶體管性能提高37%，同等條件下其耗電量也不及后者的一半，這意味著它能用在許多小的手持設(shè)備中。

　　給ARM構(gòu)成威脅

　　Intel推出的新芯片技術(shù)，在微處理器裝上更多的晶體管，并希望借此掌握平板、智能手機市場的話語權(quán)。