蘋(píng)果在的發(fā)布會(huì)上提到了其芯片使用了SIP封裝，但你了解嗎？
SIP是System in Package (系統(tǒng)級(jí)封裝、系統(tǒng)構(gòu)裝)的簡(jiǎn)稱(chēng)，這是基于SoC所發(fā)展出來(lái)的種封裝技術(shù)，根據(jù)Amkor對(duì)SiP定義為“在一IC包裝體中，包含多個(gè)芯片或一芯片，加上被動(dòng)元件、電容、電阻、連接器、天線…等任一元件以上之封裝，即視為SiP”，也就是說(shuō)在一個(gè)封裝內(nèi)不僅可以組裝多個(gè)芯片，還可以將包含上述不同類(lèi)型的器件和電路芯片疊在一起，構(gòu)建成更為復(fù)雜的、完整的系統(tǒng)。
SiP包括了多芯片模組(Multi-chip Module；MCM)技術(shù)、多芯片封裝(Multi-chip Package；MCP)技術(shù)、芯片堆疊(Stack Die)、PoP (Package on Package)、PiP (Package in Package) ，以及將主/被動(dòng)元件內(nèi)埋于基板(Embedded Substrate)等技術(shù)。以結(jié)構(gòu)外觀來(lái)說(shuō)，MCM屬于二維的2D構(gòu)裝，而MCP、Stack Die、PoP、PiP等則屬于立體的3D構(gòu)裝；由于3D更能符合小型化、高效能等需求，因而在近年來(lái)備受業(yè)界青睞。
SiP封裝中互連技術(shù)(Interconnection) 多以打線接合(Wire Bonding) 為主，少部分還采用覆晶技術(shù)(Flip Chip)，或是Flip Chip 搭配Wire Bonding 作為與Substrate (IC載板) 間的互連。但以Stack Die (堆疊芯片) 為例，上層的芯片仍需藉由Wire Bonding來(lái)連接，當(dāng)堆疊的芯片數(shù)增加，越上層的芯片所需的Wire Bonding長(zhǎng)度則將越長(zhǎng)，也因此影響了整個(gè)系統(tǒng)的效能；而為了保留打線空間的考量，芯片與芯片間則需適度的插入Interposer，造成封裝厚度的增加。
隨著SoC制程技術(shù)從微米(Micrometer)邁進(jìn)納米的快速演進(jìn)，單一芯片內(nèi)所能容納的電晶體數(shù)目將愈來(lái)愈多，同時(shí)提升SoC的整合能力，并滿(mǎn)足系統(tǒng)產(chǎn)品對(duì)低功耗、低成本及高效能之要求。但是當(dāng)半導(dǎo)體制程進(jìn)入納米世代后，SoC所面臨的各種問(wèn)題，也愈來(lái)愈難以解決，如制程微縮的技術(shù)瓶頸及成本愈來(lái)愈大、SoC芯片開(kāi)發(fā)的成本與時(shí)間快速攀升、異質(zhì)(Heterogeneous )整合困難度快速提高、產(chǎn)品生命周期變短，及時(shí)上市的壓力變大，使SiP技術(shù)有發(fā)展的機(jī)會(huì)。
SiP技術(shù)具整合彈性可大幅縮減電路載板面積
系統(tǒng)封裝(SiP)技術(shù)在現(xiàn)有集成電路工程并非高困難度的制程，因?yàn)楦鞣N功能芯片利用集成電路封裝技術(shù)整合，除考量封裝體的散熱處理外，功能芯片組構(gòu)可以將原本離散的功能設(shè)計(jì)或元件，整合在單一芯片，不僅可以避免設(shè)計(jì)方案被抄襲復(fù)制，也能透過(guò)多功能芯片整合的優(yōu)勢(shì)讓最終產(chǎn)品更具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，尤其在產(chǎn)品的體積、功耗與成本上都能因?yàn)镾iP技術(shù)而獲得改善。
SiP元器件若設(shè)計(jì)規(guī)畫(huà)得當(dāng)，已可相當(dāng)于一系統(tǒng)載板的相關(guān)功能芯片、電路的總和，而依據(jù)不同的功能芯片進(jìn)行系統(tǒng)封裝，可以采簡(jiǎn)單的Side by Side芯片布局，也可利用相對(duì)更復(fù)雜的多芯片模組MCM(Multi-chip Module)技術(shù)、多芯片封裝MCP(Multi-chip Package)技術(shù)、芯片堆疊(Stack Die)、PoP(Package on Package)、PiP(Package in Package)等不同難度與制作方式進(jìn)行系統(tǒng)組構(gòu)。也就是說(shuō)，在單一個(gè)封裝體內(nèi)不只可運(yùn)用多個(gè)芯片進(jìn)行系統(tǒng)功能建構(gòu)，甚至還可將包含前述不同類(lèi)型器件、被動(dòng)元件、電路芯片、功能模組封裝進(jìn)行堆疊，透過(guò)內(nèi)部連線或是更復(fù)雜的3D IC技術(shù)整合，構(gòu)建成更為復(fù)雜的、完整的SiP系統(tǒng)功能。
而在SiP整合封裝中，關(guān)鍵的技術(shù)就在于SiP封裝體中的芯片或功能模組的芯片內(nèi)互連技術(shù)(Interconnection)，在一般簡(jiǎn)單形式或是對(duì)芯片體積要求不高的方案中，運(yùn)用打線接合(Wire Bonding)即可滿(mǎn)足多數(shù)需求，而打線接合形式芯片多用Side by Side并列布局為主，當(dāng)功能芯片數(shù)量多時(shí)，芯片的占位面積就會(huì)增加，而若要達(dá)到SiP封裝體再積極微縮設(shè)計(jì)，就可改用技術(shù)層次更高的覆晶技術(shù)(Flip Chip)或是Flip Chip再搭配打線接合與IC載板(Substrate)之間進(jìn)行互連。
基本上堆疊芯片(Stack Die)的作法在上層的芯片或模塊仍然需要透過(guò)打線接合進(jìn)行連接，但若碰到SiP的整合芯片、功能模塊數(shù)量較多時(shí)，即堆疊的芯片、功能模組數(shù)量增加，這會(huì)導(dǎo)致越是設(shè)于SiP結(jié)構(gòu)上層的芯片、模塊所需要的打線連接電子線路長(zhǎng)度將因此增長(zhǎng)，傳輸線路拉長(zhǎng)對(duì)于高時(shí)脈運(yùn)作的功能模塊會(huì)產(chǎn)生線路雜訊或是影響了整體系統(tǒng)效能；至于SiP在結(jié)構(gòu)上為了預(yù)留Wire Bonding的打線空間，對(duì)芯片與芯片或是功能模塊與功能模塊間插入的Interposer處理，也會(huì)因?yàn)檫@些必要程序?qū)е耂iP最終封裝成品的厚度增加。
隨著IC集成電路制造、封裝技術(shù)不斷演進(jìn)，芯片或功能模塊的裸晶本身制程，已從微米制程升級(jí)至納米等級(jí)，這代表單一個(gè)功能芯片或功能模塊可以越做越小，也代表SiP的功能可因而得到倍數(shù)的成長(zhǎng)，甚至還能游刃有余地維持相同的封裝體尺寸。
也是拜半導(dǎo)體科技進(jìn)步之賜，單一芯片功能在效能、體積、功耗表現(xiàn)的持續(xù)優(yōu)化，也同時(shí)提升了芯片的SoC(System on Chip)整合能力。
但SoC在面對(duì)微縮、異質(zhì)核心(Heterogeneous)整合、產(chǎn)品快速更迭版本／功能等要求越來(lái)越高下，也讓制程相對(duì)單純、更利于多芯片整合的SiP制程技術(shù)抬頭，讓SiP在更多發(fā)展場(chǎng)域有其發(fā)展優(yōu)勢(shì)與條件。
SiP功能優(yōu)勢(shì)多成為輕薄電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)重要方案再來(lái)檢視SiP的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
首先SiP可利用封裝技術(shù)讓整合設(shè)計(jì)更具效率，也就是說(shuō)SiP可在單一封裝體內(nèi)裝多組功能芯片，例如單一SiP若整合兩組功能芯片，使用堆疊設(shè)計(jì)可以在相同芯片占位面積設(shè)置雙芯片功能，若是三個(gè)功能芯片構(gòu)裝，則可以在單一芯片略大的體積設(shè)置多芯片功能。
SiP另一大優(yōu)勢(shì)在于構(gòu)裝芯片的設(shè)計(jì)驗(yàn)證會(huì)比同樣多功能芯片整合的SoC設(shè)計(jì)方案更簡(jiǎn)單許多，因?yàn)镾iP為利用已有的功能芯片、矽智財(cái)IP或是功能模塊芯片進(jìn)行構(gòu)裝，基本上這些功能獨(dú)立的芯片皆已可透過(guò)既有的驗(yàn)證流程確認(rèn)功能完整性，而在SiP制程中僅針對(duì)芯片與芯片、功能模塊與功能模塊的內(nèi)部連線在封裝后是否正常無(wú)誤進(jìn)行驗(yàn)證，大幅減少設(shè)計(jì)流程與驗(yàn)證成本。
而SoC卻需要透過(guò)版圖布局／布線，不僅在設(shè)計(jì)流程與負(fù)荷相對(duì)復(fù)雜，在后期的芯片驗(yàn)證調(diào)校成本也相對(duì)較高，兩者相較SiP在爭(zhēng)取產(chǎn)品上市時(shí)間有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，SiP的優(yōu)點(diǎn)還有可以結(jié)合不同功能芯片、功能模塊，在面對(duì)異質(zhì)芯片構(gòu)裝方面可以極具彈性，在封裝體內(nèi)還可設(shè)置被動(dòng)元件，甚至集成天線模塊進(jìn)封裝體，芯片的封裝成果可以自成一套電子系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)嵌入式無(wú)源元件的設(shè)計(jì)方案組合。
另外SiP也可大幅減低系統(tǒng)開(kāi)發(fā)成本，因?yàn)橄嚓P(guān)的電子回路都可以透過(guò)封裝體內(nèi)的線路與元件布局進(jìn)行整合，如此一來(lái)不僅節(jié)省了SiP終端元器件本身的占位空間，也能把部分電路載板的關(guān)鍵線路、零組件并入SiP封裝體中，極度簡(jiǎn)化PCB電路板的復(fù)雜度與面積，成本與驗(yàn)證程序可獲得大幅優(yōu)化。
高度集成電路封裝整合提升產(chǎn)品抗機(jī)械、抗化學(xué)腐蝕能力 SiP也具備極好的抗機(jī)械、抗化學(xué)腐蝕能力，因?yàn)橄嚓P(guān)電路都以封裝體整個(gè)包覆起來(lái)，可增加電路載板的抗機(jī)械應(yīng)力、抗化學(xué)腐蝕能力，同時(shí)提高了電子系統(tǒng)的可靠性。
而與傳統(tǒng)集成電路芯片或封裝元器件不同的是，SiP不只是可處理數(shù)位系統(tǒng)電子的通用運(yùn)算，像是DSP(Digital signal processing)數(shù)位信號(hào)處理系統(tǒng)、感測(cè)器、微機(jī)電MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)甚至是光通訊應(yīng)用領(lǐng)域，都可以透過(guò)關(guān)鍵模組元件整合，以極小芯片的SiP封裝元器件實(shí)踐以往需要大片電路功能載板處理的功能設(shè)計(jì)。
由于SiP可使用的芯片內(nèi)布局、內(nèi)部連線技術(shù)方案的差異，可讓SiP實(shí)現(xiàn)如單一封裝體透過(guò)多芯片互連、倒裝、IC芯片直接芯片互連等設(shè)計(jì)方案完成SiP元器件設(shè)計(jì)，這可以讓SiP在多芯片整合后對(duì)外的電氣連接介面大幅縮減，不僅可有效減少封裝體尺寸與引腳數(shù)量，也可縮短功能IC間的連接線路長(zhǎng)度，讓電氣性能表現(xiàn)大幅提升，而SiP透過(guò)芯片內(nèi)部互連可以提供更高品質(zhì)的電氣連接效果、低功耗、低噪訊的連接品質(zhì)，尤其在高外部頻率的工作環(huán)境中，SiP的運(yùn)行效能可以達(dá)到接近SoC元器件的運(yùn)行效果。
SiP元器件也并非全無(wú)缺點(diǎn)，SiP在運(yùn)行速度、介面頻寬、功耗表現(xiàn)多數(shù)仍較SoC元器件來(lái)得遜色，因?yàn)镾oC為功能極度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，已對(duì)運(yùn)行效能、介面頻寬、元器件功耗表現(xiàn)進(jìn)行最佳化調(diào)教，而SiP為利用矽智財(cái)IP、功能IC或部分功能模塊進(jìn)行封裝體內(nèi)的內(nèi)部連結(jié)整合，較SoC多了許多電晶體數(shù)量差距，導(dǎo)致功耗表現(xiàn)無(wú)法直接與SoC產(chǎn)品相抗衡。此外，內(nèi)部打線連接若是采TSV(Through-Silicon Via)連接，因?yàn)榻泳€未能如SoC達(dá)到極度優(yōu)化，金屬線材連接會(huì)因阻抗導(dǎo)致傳輸延遲，加上各功能芯片也有其獨(dú)立電源供應(yīng)，也會(huì)導(dǎo)致功耗優(yōu)化的程度提升受限。
產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)完整臺(tái)廠發(fā)展SiP最大優(yōu)勢(shì)
2007年第一代iPhone推出后，逐漸開(kāi)啟行動(dòng)裝置產(chǎn)品的普及。隨著輕薄短小、多功能、低功耗等產(chǎn)品趨勢(shì)形成，SiP技術(shù)漸成封裝技術(shù)發(fā)展的目標(biāo)；2015年，體積更小的Apple Watch等穿戴式產(chǎn)品開(kāi)始興起，亦亟需使用SiP技術(shù)協(xié)助。
而在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代即將來(lái)臨之際，對(duì)多功能整合、低功耗與微型化等需求更將逐步增加，SiP技術(shù)將能提供較為理想的解決方案。因此，不但國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有封測(cè)大廠極力發(fā)展SiP技術(shù)，相關(guān)基板廠、EMS廠乃至于上游晶圓代工廠，皆有廠商跨入以搶食商機(jī)。
由于SiP須不同專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域互相配合，包括IC基板、封裝技術(shù)、模組設(shè)計(jì)與系統(tǒng)整合能力等，這對(duì)相關(guān)臺(tái)灣業(yè)者來(lái)說(shuō)，是很好的發(fā)展機(jī)會(huì)。因?yàn)?，臺(tái)灣在半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)完整，廠商分布廣泛，具有發(fā)展SiP技術(shù)的先天條件。就以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來(lái)分析，分布領(lǐng)域廣泛且完整，使臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者具有上中下游合作的基礎(chǔ)條件。
尤其對(duì)封測(cè)業(yè)者來(lái)說(shuō)，以技術(shù)為主的封裝廠可與IC設(shè)計(jì)廠緊密合作，以領(lǐng)先的封裝技術(shù)來(lái)滿(mǎn)足IC設(shè)計(jì)業(yè)者對(duì)產(chǎn)品的各種設(shè)計(jì)需求；也可與記憶體廠乃至晶圓代工廠技術(shù)合作，發(fā)展SiP異質(zhì)整合。
而對(duì)于專(zhuān)注在測(cè)試為主的后段測(cè)試廠而言，SiP對(duì)晶片功能檢測(cè)與多晶片測(cè)試的需求增加，也將帶給部分專(zhuān)業(yè)測(cè)試廠切入機(jī)會(huì)，專(zhuān)業(yè)測(cè)試廠可積極爭(zhēng)取與封裝廠或晶圓代工廠垂直分工，以分食SiP所帶來(lái)的龐大商機(jī)。
不僅如此，臺(tái)灣在IC基板廠商近年來(lái)開(kāi)始走向類(lèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域，發(fā)展SiP所需的積體電路內(nèi)埋基板，提供相關(guān)材料。而在模組設(shè)計(jì)與系統(tǒng)整合方面，更是有鴻海等EMS大廠可進(jìn)行相關(guān)支援。因此，在整體產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)完整的優(yōu)勢(shì)下，臺(tái)灣廠商具有發(fā)展SiP技術(shù)的先天條件。
目前在高階封裝技術(shù)仍保有領(lǐng)先地位的臺(tái)廠，若能再?gòu)?qiáng)化廠商間合作與善用優(yōu)勢(shì)，則臺(tái)灣廠商在SiP領(lǐng)域?qū)⒖删S持技術(shù)領(lǐng)先并擁有更多發(fā)展商機(jī)。
IC基板廠投入SiP領(lǐng)域
由于封測(cè)廠商積極發(fā)展SiP技術(shù)，因此吸引部分IC基板廠商開(kāi)始聚焦SiP所帶來(lái)的潛在商機(jī)。IC基板埋入主被動(dòng)元件而成為SiP基板，在更薄的載板空間內(nèi)埋入IC，亦逐漸成為發(fā)展趨勢(shì)。未來(lái)，在行動(dòng)裝置、穿戴式與物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用下，SiP基板預(yù)料將為IC基板廠商帶來(lái)另一波成長(zhǎng)動(dòng)能。
在國(guó)外廠商部分，除日商TDK發(fā)展積體電路內(nèi)埋式基板，并與日月光結(jié)盟，共同朝SiP領(lǐng)域邁進(jìn)之外；另一家日系大廠Ibiden、韓廠Semco以及奧地利廠商AT&S等，也都積極投入發(fā)展SiP所需的IC基板。
國(guó)內(nèi)其他IC基板大廠也陸續(xù)展開(kāi)布局，其中南電發(fā)展的系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品已導(dǎo)入量產(chǎn)，主要應(yīng)用于手機(jī)和網(wǎng)通產(chǎn)品，并積極開(kāi)發(fā)中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)與封測(cè)客戶(hù)。
另一間IC基板大廠景碩的SiP產(chǎn)品所占營(yíng)收比重在2015年已經(jīng)超過(guò)一成，包括應(yīng)用于功率放大器、NAND Flash與網(wǎng)通等產(chǎn)品，并與國(guó)內(nèi)封測(cè)大廠建立供應(yīng)鏈關(guān)系，同時(shí)也是美系客戶(hù)供應(yīng)商。而欣興電子也積極開(kāi)發(fā)新原料與新制程，以作為系統(tǒng)級(jí)封裝基板的技術(shù)基礎(chǔ)。
SiP技術(shù)不但是諸多封測(cè)廠發(fā)展的目標(biāo)，也吸引部分EMS廠商與IC基板廠商投入。
近年來(lái)，部分晶圓代工廠也在客戶(hù)一次購(gòu)足的服務(wù)需求下（Turnkey Service），開(kāi)始擴(kuò)展業(yè)務(wù)至下游封測(cè)端，以發(fā)展SiP等先進(jìn)封裝技術(shù)來(lái)打造一條龍服務(wù)模式，滿(mǎn)足上游IC設(shè)計(jì)廠或系統(tǒng)廠。
然而，晶圓代工廠發(fā)展SiP等先進(jìn)封裝技術(shù)，與現(xiàn)有封測(cè)廠商間將形成微妙的競(jìng)合關(guān)系。首先，晶圓代工廠基于晶圓制程優(yōu)勢(shì)，擁有發(fā)展晶圓級(jí)封裝技術(shù)的基本條件，跨入門(mén)檻并不甚高。
因此，晶圓代工廠可依產(chǎn)品應(yīng)用趨勢(shì)與上游客戶(hù)需求，在完成晶圓代工相關(guān)制程后，持續(xù)朝晶圓級(jí)封裝等后段領(lǐng)域邁進(jìn)，以完成客戶(hù)整體需求目標(biāo)。這對(duì)現(xiàn)有封測(cè)廠商來(lái)說(shuō)，可能形成一定程度的競(jìng)爭(zhēng)。
由于封測(cè)廠幾乎難以向上游跨足晶圓代工領(lǐng)域，而晶圓代工廠卻能基于制程技術(shù)優(yōu)勢(shì)跨足下游封測(cè)代工，尤其是在高階SiP領(lǐng)域方面；因此，晶圓代工廠跨入SiP封裝業(yè)務(wù)，將與封測(cè)廠從單純上下游合作關(guān)系，轉(zhuǎn)向微妙的競(jìng)合關(guān)系。
以晶圓代工龍頭臺(tái)積電量產(chǎn)在即的整合扇出型封裝（InFO）技術(shù)來(lái)說(shuō)，2016年將可量產(chǎn)應(yīng)用于行動(dòng)裝置產(chǎn)品，再搭配前端晶圓代工先進(jìn)制程，打造出一條龍的服務(wù)。
InFO架構(gòu)是以邏輯晶片與記憶體晶片進(jìn)行整合，亦屬于SiP范疇，與過(guò)去TSV 2.5D IC技術(shù)層級(jí)的CoWoS技術(shù)相比，其亮點(diǎn)是無(wú)需矽中介層，因此成本更低，更輕薄且散熱程度更好。
目前臺(tái)積電跨入SiP業(yè)務(wù)多為因應(yīng)客戶(hù)需求，是否對(duì)于封測(cè)廠形成搶單效應(yīng)，值得后續(xù)關(guān)注。不過(guò)，封測(cè)廠面臨晶圓代工廠可能帶來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)，并非完全處于劣勢(shì)而毫無(wú)機(jī)會(huì)。
封測(cè)廠一方面可朝差異化發(fā)展以區(qū)隔市場(chǎng)，另一方面也可選擇與晶圓代工廠進(jìn)行技術(shù)合作，或是以技術(shù)授權(quán)等方式，搭配封測(cè)廠龐大的產(chǎn)能基礎(chǔ)進(jìn)行接單量產(chǎn)，共同擴(kuò)大市場(chǎng)。此外，晶圓代工廠所發(fā)展的高階異質(zhì)封裝，其部份制程步驟仍須專(zhuān)業(yè)封測(cè)廠以現(xiàn)有技術(shù)協(xié)助完成，因此雙方仍有合作立基點(diǎn)。
龐大的市場(chǎng)規(guī)模
全球終端電子產(chǎn)品的發(fā)展不斷地朝向輕薄短小、多功能、低功耗等趨勢(shì)邁進(jìn)，對(duì)于空間節(jié)省、功能提升，以及功耗降低的要求越來(lái)越高，SiP的成長(zhǎng)潛力也越來(lái)越大。2015年Apple Watch等穿戴式產(chǎn)品問(wèn)世后，SiP技術(shù)擴(kuò)及應(yīng)用到穿戴式產(chǎn)品。
雖然，目前穿戴式產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模尚難與智慧型手機(jī)匹敵，但未來(lái)穿戴式產(chǎn)品預(yù)期仍將呈現(xiàn)成長(zhǎng)，為SiP帶來(lái)成長(zhǎng)動(dòng)能。
此外，物聯(lián)網(wǎng)即將逐漸普及之際，在萬(wàn)物聯(lián)網(wǎng)的趨勢(shì)下，必然會(huì)串聯(lián)組合各種行動(dòng)裝置、穿戴裝置、智慧交通、智慧醫(yī)療，以及智慧家庭（圖2）等網(wǎng)路，多功能異質(zhì)晶片整合預(yù)估將有龐大需求，低功耗也會(huì)是重要趨勢(shì)。
因此，SiP預(yù)料仍將扮演重要的封裝技術(shù)。雖然，全球物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)業(yè)者目前仍處于建立平臺(tái)與制定規(guī)格階段，尚未呈現(xiàn)具體商機(jī)。然而，若將來(lái)相關(guān)平臺(tái)建立完成，相關(guān)規(guī)格與配套措施皆完備后，物聯(lián)網(wǎng)亦成為SiP動(dòng)能成長(zhǎng)來(lái)源。
整體來(lái)說(shuō)，未來(lái)智慧型手機(jī)等行動(dòng)裝置仍可呈現(xiàn)微幅成長(zhǎng)趨勢(shì)，且內(nèi)建功能將越趨豐富，對(duì)SiP需求將會(huì)有所提升；而穿戴裝置產(chǎn)品朝向微小化發(fā)展，將更仰賴(lài)SiP技術(shù)協(xié)助；加上未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，多功能異質(zhì)整合與低功耗趨勢(shì)，將以SiP技術(shù)作為重要解決方案。因此，SiP市場(chǎng)預(yù)期仍將持續(xù)成長(zhǎng)。
2014年全球SiP產(chǎn)值約為48.43億美元，較2013年成長(zhǎng)12.4%左右；2015年在智慧型手機(jī)仍持續(xù)成長(zhǎng)，以及Apple Watch等穿戴式產(chǎn)品問(wèn)世下，全球SiP產(chǎn)值估計(jì)達(dá)到55.33億美元，較2014年成長(zhǎng)14.3%。
2016年，雖然智慧型手機(jī)可能逐步邁入成熟期階段，難有大幅成長(zhǎng)的表現(xiàn)，但SiP在應(yīng)用越趨普及的趨勢(shì)下，仍可呈現(xiàn)成長(zhǎng)趨勢(shì)，因此，預(yù)估2016年全球SiP產(chǎn)值仍將可較2015年成長(zhǎng)17.4%，來(lái)到64.94億美元。
全球主要封測(cè)大廠中，日月光早在2010年便購(gòu)并電子代工服務(wù)廠（EMS）--環(huán)電，以本身封裝技術(shù)搭配環(huán)電在模組設(shè)計(jì)與系統(tǒng)整合實(shí)力，發(fā)展SiP技術(shù)。使得日月光在SiP技術(shù)領(lǐng)域維持領(lǐng)先地位，并能夠陸續(xù)獲得手機(jī)大廠蘋(píng)果的訂單，如Wi-Fi、處理器、指紋辨識(shí)、壓力觸控、MEMS等模組，為日月光帶來(lái)后續(xù)成長(zhǎng)動(dòng)能。
此外，日月光也與DRAM制造大廠華亞科策略聯(lián)盟，共同發(fā)展SiP范疇的TSV 2.5D IC技術(shù)；由華亞科提供日月光矽中介層（Silicon Interposer）的矽晶圓生產(chǎn)制造，結(jié)合日月光在高階封測(cè)的制程能力，擴(kuò)大日月光現(xiàn)有封裝產(chǎn)品線。
不僅如此，日月光也與日本基板廠商TDK合作，成立子公司日月旸，生產(chǎn)積體電路內(nèi)埋式基板，可將更多的感測(cè)器與射頻元件等晶片整合在尺寸更小的基板上，讓SiP電源耗能降低，體積更小，以因應(yīng)行動(dòng)裝置、穿戴裝置與物聯(lián)網(wǎng)之需求。
全球第二大封測(cè)廠Amkor則是將韓國(guó)廠區(qū)作為發(fā)展SiP的主要基地。除了2013年加碼投資韓國(guó)，興建先進(jìn)廠房與全球研發(fā)中心之外；Amkor目前SiP技術(shù)主要應(yīng)用于影像感測(cè)器與動(dòng)作感測(cè)器等產(chǎn)品。
全球第三大暨臺(tái)灣第二大封測(cè)廠矽品，則是布局IC整合型SiP，以扇出型疊層封裝（FO PoP）技術(shù)為主，其主要應(yīng)用于智慧型手機(jī)，目前與兩岸部分手機(jī)晶片大廠合作中，2016年可望正式量產(chǎn)。
由于矽品在模組設(shè)計(jì)與系統(tǒng)整合方面較為欠缺，因此近期積極尋求與EMS大廠鴻海策略聯(lián)盟，以結(jié)合該公司在模組設(shè)計(jì)與系統(tǒng)整合能力，讓SiP技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展更趨完整。
原本位居全球第四大封測(cè)廠的星科金朋也在韓國(guó)廠區(qū)積極開(kāi)發(fā)SiP技術(shù)，但因整體營(yíng)運(yùn)狀況不如前三大廠，因此難以投入大額資本以擴(kuò)充SiP規(guī)模。
不過(guò)，隨著大陸封測(cè)廠江蘇長(zhǎng)電并購(gòu)星科金朋而帶來(lái)資金，將能夠結(jié)合原本星科金朋的技術(shù)，預(yù)期在SiP領(lǐng)域有望成長(zhǎng)。擁有資金并進(jìn)一步取得技術(shù)之后的江蘇長(zhǎng)電，未來(lái)在SiP技術(shù)領(lǐng)域所帶來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)力，特別值得臺(tái)廠留意。