我國最近在舉國家之力發(fā)展存儲(chǔ)器，在這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，反觀和學(xué)習(xí)三星存儲(chǔ)器的成功之道是十分必要而現(xiàn)實(shí)的。

三星電子在存儲(chǔ)器方面的成功，有外在因素如韓國政府的大力支持，以及美國對(duì)于日本半導(dǎo)體的反傾銷策略等，但顯然三星電子的內(nèi)在因素起著決定性的作用。尤其是三星電子有一股氣勢(shì)，一定要成功超過日本，上下齊心合力，人的因素起了關(guān)鍵作用。

眾所周知，DRAM的制造決定于成品率與產(chǎn)品成本，所以工藝生產(chǎn)線上每一步操作的成品率起著十分重要的作用。再加上三星的正確策略，在美國設(shè)立研發(fā)中心，采用與韓國制造同樣的設(shè)備，以及用高薪聘請(qǐng)?jiān)诿雷龃鎯?chǔ)器的韓國工程師，并在美國培訓(xùn)人才后，再回到韓國工作。另外在全球存儲(chǔ)器周期性下降時(shí)，它采用反周期的加大投資策略，積極擴(kuò)充產(chǎn)能等。

內(nèi)在與外在的因素綜合在一起，推動(dòng)了三星電子的存儲(chǔ)器業(yè)成功。同樣分析天時(shí)、地利與人和，在中國似乎都具備了條件，好象僅是某些地方差了一點(diǎn)點(diǎn)。因此未來中國在突破艱難的存儲(chǔ)器制造業(yè)中必須十分清醒，僅擁有大市場與足夠的投資還不一定能獲得成功，需要人才的配合，并要有一股氣勢(shì)與勇氣，以及技術(shù)上的真正過硬。

三星半導(dǎo)體業(yè)起步

韓國半導(dǎo)體在1974年才開始起步，那時(shí)韓國正在推行一種叫”新社會(huì)運(yùn)動(dòng)”的活動(dòng)。韓國半導(dǎo)體工業(yè)的第一個(gè)fab為韓國半導(dǎo)體Puchon廠，建于1974年10月。由于開張就面臨財(cái)務(wù)危機(jī)，在同年12月僅生存三個(gè)月后，就被李健熙（LeeKunhe）主席的私人投資兼并，后被并入三星。

自1980年代之后，韓國半導(dǎo)體業(yè)才開始跨越式的進(jìn)步，三星在1983年開始籌備集成電路制造也即DRAM的研發(fā)。

64K DRAM的研發(fā)成功對(duì)于韓國半導(dǎo)體業(yè)具有里程碑意義，也是邁向全球存儲(chǔ)器強(qiáng)國的第一步。在那時(shí)三星電子的科研工作者，日以繼夜，努力追趕，放棄一切節(jié)假日休息，靠的是一股精神及志氣。

在64K DRAM研發(fā)中，韓國非常清楚自己與先進(jìn)國家之間的技術(shù)（1．5微米）差距為4年半，需要一步一步地追趕。在256K DRAM（1．2微米）時(shí)，這一差距已縮短為3年。在1989年10月，三星已經(jīng)成功開發(fā)出16M DRAM（采用0．25微米技術(shù)），它已領(lǐng)先于全球任何一家制造商。

也即三星電子從1983年開發(fā)存儲(chǔ)器，到1989年的16M DRAM研發(fā)成功，僅利用6年的時(shí)間，就前進(jìn)了5代DRAM的技術(shù)，使三星電子一躍成為全球最先進(jìn)的存儲(chǔ)器制造商。

三星電子從1983年開始DRAM的研發(fā)，1987年就實(shí)現(xiàn)第一次盈利，一直到1993年16M DRAM的量產(chǎn)，奠定了它在全球存儲(chǔ)器霸主的地位。

它最為關(guān)鍵的決策是三星在1993年時(shí)就大膽投資興建8英寸硅片生產(chǎn)線來生產(chǎn)DRAM。在當(dāng)時(shí)全球6英寸硅片是主流地位，英特爾與臺(tái)積電分別于1992年及1996年才興建它們的第一條8英寸生產(chǎn)線。因?yàn)楫?dāng)時(shí)投資一條8英寸生產(chǎn)線的費(fèi)用高達(dá)10000億韓元（相當(dāng)于10億美元以上），風(fēng)險(xiǎn)很大。

1994年是韓國半導(dǎo)體工業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，三星首先發(fā)布全球首塊256M DRAM，當(dāng)時(shí)256M DRAM意味著在手指甲大小的芯片上集成2．56億個(gè)晶體管及2．56億個(gè)電容。

為了超過日本半導(dǎo)體，三星電子在開發(fā)64M DRAM的同時(shí)就已組建256M DRAM研發(fā)團(tuán)隊(duì)。70位研究人員在Hwan Chang－Kyu領(lǐng)導(dǎo)下努力奮戰(zhàn)，經(jīng)過兩年的努力終于在1994年8月29日研制成功全球第一塊256M DRAM芯片。

非常有趣的是第一批樣品就實(shí)現(xiàn)了全功能，但隨后檢驗(yàn)及測量的次數(shù)反復(fù)達(dá)10次之多，生怕有誤差，由此奠定了在存儲(chǔ)器方面韓國超過日本的基礎(chǔ)。

三星電子成功的原因初探

1980年代后韓國政府改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策，轉(zhuǎn)向扶持DRAM，此時(shí)三星半導(dǎo)體開始獲得政府支持。當(dāng)時(shí)韓國政府組織”官民一體”的DRAM共同開發(fā)項(xiàng)目，也是通過政府的投資來發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)。

進(jìn)入DRAM市場初期，三星電子首先向當(dāng)時(shí)遇到資金問題的美光（Micron）公司購買64K DRAM技術(shù)，之后開始自己開發(fā)256K DRAM。為了提高技術(shù)，這時(shí)三星半導(dǎo)體用高薪聘請(qǐng)?jiān)诿绹雽?dǎo)體公司工作過的韓國人，工資比總裁高4－5倍。

另外，三星在美國建立研發(fā)中心，并配置相同的生產(chǎn)設(shè)備，讓這些高薪人員來培訓(xùn)本土的工程師。然后經(jīng)過培訓(xùn)后的工程師再回到本部，日以繼夜地工作，很快三星在DRAM方面超過日本。

再有一點(diǎn)非常關(guān)鍵，1993年全球半導(dǎo)體市場轉(zhuǎn)弱，但三星采用反周期的投資策略，加大投資DRAM力度建設(shè)8英寸生產(chǎn)線。

1984年9月三星推出64K DRAM，但是由于DRAM價(jià)格迅速下滑，從1984年初的4美元／片下降到1985年的30美分／片，而此時(shí)三星的生產(chǎn)成本是1．3美元／片。到1986年底，三星半導(dǎo)體累積虧損3億美元，股權(quán)資本完全虧空。

由于DRAM市場不景氣，Intel等美國公司退出存儲(chǔ)器市場，日本公司也縮減投資規(guī)模和生產(chǎn)能力。而由于三星的反周期投資，繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，并開發(fā)更大容量的DRAM。當(dāng)1987年產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)時(shí)，加上美國政府發(fā)起對(duì)于日本半導(dǎo)體業(yè)的反傾銷訴訟案，美國政府和日本企業(yè)達(dá)成自動(dòng)出口限制協(xié)議，由于日本企業(yè)減少向美國出口，導(dǎo)致DRAM價(jià)格回升，三星開始首次實(shí)現(xiàn)盈利。

三星從1983年開始投資半導(dǎo)體，做存儲(chǔ)器。那時(shí)韓國的半導(dǎo)體遠(yuǎn)沒有目前的先進(jìn)，有人認(rèn)為韓國有勞動(dòng)力成本低的優(yōu)勢(shì)。實(shí)際上當(dāng)時(shí)在工廠中作操作的人員，大部分是農(nóng)村來的婦女，文化程度并不高，但是素質(zhì)很好，她們的工作十分認(rèn)真與精細(xì)。

三星經(jīng)過若干年后能成為全球存儲(chǔ)器業(yè)的領(lǐng)先者，主要是在韓國政府傾國力的支持下，加上強(qiáng)有力的領(lǐng)導(dǎo)集體包括三星的前董事長李健熙等能獻(xiàn)身于事業(yè)。除此之外，企業(yè)上下有股氣勢(shì)，一定要趕超日本的決心和信念，再加上有一批由美國培訓(xùn)回來的第一流工程師，由于它們奮發(fā)圖強(qiáng)加速發(fā)展半導(dǎo)體工藝，才取得如此輝煌的成績。

還有一個(gè)原因是，東芝與其它日本公司的研發(fā)中心與制造基地分別位于不同的地方，相距甚遠(yuǎn)。而三星電子的研發(fā)中心與制造部分在同一地方，既節(jié)省時(shí)間與成本，又便于研發(fā)與制造之間相互的溝通。

此外，三星電子還有另外一個(gè)優(yōu)勢(shì)是有自己的終端電子產(chǎn)品。不僅有半導(dǎo)體，還有面板、電視等，這樣垂直式的產(chǎn)業(yè)鏈有利于整合，既有利于以最快速度反映市場的需求，也有利于終端產(chǎn)品與芯片各環(huán)節(jié)之間的協(xié)調(diào)。

全球存儲(chǔ)器業(yè)總是周期性的起伏，只有堅(jiān)持到底，不懼怕暫時(shí)的虧損，才有可能成功?，F(xiàn)在的盲點(diǎn)是不知道我們的持續(xù)虧損要多久？能否有決心堅(jiān)持下去，因?yàn)橥ǔＶ挥袊乙庵静庞袌?jiān)持下去的可能性。