美國半導體業(yè)者英特爾(Intel)2016年研發(fā)支出年增5%，達127.40億美元，續(xù)稱霸所有半導業(yè)者。臺灣臺積電與聯(lián)發(fā)科則是分別以支出22.15億與17.30億美元，名列全球六與七名。

調(diào)研機構IC Insights表示，2016年全球所有半導體業(yè)者投入在研發(fā)上的支出年增1%，達565億美元，創(chuàng)歷史新高。

其中英特爾支出就獨占22.5%，遠高于其他業(yè)者。此外，英特爾研發(fā)支出約占當年該公司總銷售額的22.4%。在支出排名前13大業(yè)者中，該項占比僅次于支出排名第二高通(Qualcomm)的33.1%，以及排名第五東芝(Toshiba)的27.6%。

據(jù)悉，2016年高通與東芝研發(fā)支出雖分別年減7%與5%，但仍以51.09億美元與27.77億美元，居全球第二與五名。

IC Insights表示，雖然2016年英特爾研發(fā)支出仍居全球各業(yè)者之冠，但當年支出年增率低于該公司自2011年以來平均支出年增率的9%，以及自2001年以來平均支出年增率的8%。

不過近20年來該公司研發(fā)支出在總銷售額中的占比仍在不斷揚升。由1995年的9.3%，揚升為2005年的14.5%，然后再揚升為2016年的22.4%。

就純IC設計(fabless)業(yè)者而言，高通2016年研發(fā)支出居其他純IC設計業(yè)者之冠。其次為博通(Broadcom)、聯(lián)發(fā)科，以及NVIDIA等業(yè)者。

博通、聯(lián)發(fā)科與NVIDIA 2016年研發(fā)支出分別為31.88億、17.3億與14.63億美元，在所有半導體業(yè)者中居第三、六與11名。

就記憶體主要業(yè)者而言，三星電子(Samsung Electronics)、東芝與美光科技(Micron)2016年研發(fā)支出分別為28.81億、27.77億與16.81億美元，名列第四、五與八名。

不過三星2016年研發(fā)支出僅占該公司當年總銷售額的6.5%，為前13大業(yè)者之末。

在純晶圓代工業(yè)者(pure-play foundry)方面，則是僅有臺積電名列前十。該公司2016年研發(fā)支出年增7%，達22.15億美元，排名第六。此外，該公司研發(fā)支出占總銷售額的7.5%。

IC Insights表示，先前半導體業(yè)者間的整并，對整體半導體產(chǎn)業(yè)研發(fā)支出成長具有重要影響。