三星和臺(tái)積電目前已量產(chǎn)10nm工藝，它們正計(jì)劃在明年初量產(chǎn)7nm工藝，在這兩家競(jìng)爭(zhēng)的如火如荼的時(shí)候，中國(guó)最大的半導(dǎo)體制造廠中芯國(guó)際宣布它也將投入研發(fā)7nm工藝。

作為中國(guó)最大的半導(dǎo)體制造廠，中芯國(guó)際承擔(dān)著推動(dòng)中國(guó)制造升級(jí)轉(zhuǎn)型的重任，獲得了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的支持。這幾年中芯國(guó)際走上了穩(wěn)步發(fā)展的道路，營(yíng)收和凈利潤(rùn)連續(xù)高速增長(zhǎng)，這讓它有了加大研發(fā)投入的底氣，縮短工藝研發(fā)周期。

2015年、2016年中芯國(guó)際營(yíng)收增速分別為13.1%、30.3%，呈現(xiàn)加速增長(zhǎng)的勢(shì)頭；同期聯(lián)電的營(yíng)收增速分別為-1.3%、2.1%。2016年中芯國(guó)際的資本支出增加至27億美元，創(chuàng)下歷史新高，同期聯(lián)電的資本支出為22億美元，這是中芯國(guó)際首次在該項(xiàng)投入方面超過(guò)聯(lián)電。

中芯國(guó)際已經(jīng)制定了在2020年趕超中國(guó)臺(tái)灣的第二大半導(dǎo)體代工廠聯(lián)電的目標(biāo)，聯(lián)電也是全球第四大半導(dǎo)體代工廠，不過(guò)由于它在工藝研發(fā)方面落后于臺(tái)積電和三星，眼下又因?yàn)?4nmFinFET工藝進(jìn)展不如預(yù)期，去年其在廈門(mén)的半導(dǎo)體工廠投產(chǎn)后未能引入28nm工藝而只能采用40nm工藝。

去年初中芯國(guó)際成功投產(chǎn)28nmHKMG工藝，之后選擇跳過(guò)20nm工藝直接開(kāi)發(fā)14nmFinFET工藝，以快速追趕三星和臺(tái)積電，縮短與它們的工藝差距，預(yù)計(jì)14nmFinFET工藝將在明年上半年投產(chǎn)，這比原來(lái)的預(yù)計(jì)到2020年投產(chǎn)的時(shí)間提前了兩年時(shí)間。

中芯國(guó)際的工藝研發(fā)進(jìn)展速度獲得加快的另一個(gè)原因是它獲得了高通、華為海思、比利時(shí)微電子中心的支持。這幾年全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電一直都優(yōu)先照顧蘋(píng)果，這讓高通、華為海思等芯片企業(yè)感到擔(dān)憂，希望支持中芯國(guó)際的發(fā)展來(lái)分散風(fēng)險(xiǎn)，確保自己獲得先進(jìn)的工藝產(chǎn)能。

正是在這樣的情況下，中芯國(guó)際在當(dāng)前仍然需要投入資源研發(fā)14nmFinFET工藝的情況下依然可以分出部分資源研發(fā)7nm工藝，這也意味著它決心再次跨越10nm工藝以研發(fā)更先進(jìn)的工藝來(lái)追趕三星和臺(tái)積電。

除了中芯國(guó)際外，華虹宏力也成功投產(chǎn)了28nm工藝，紫光去年收購(gòu)了中芯國(guó)際建立的武漢新芯半導(dǎo)體工廠近期它宣布將投資300億美元建立南京半導(dǎo)體工廠，中國(guó)制造在位居上游的半導(dǎo)體制造業(yè)上大力投入體現(xiàn)了它們?cè)谥圃旆矫嫔?jí)轉(zhuǎn)型的愿望，而中芯國(guó)際在半導(dǎo)體制造工藝研發(fā)上所取得的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)代表著中國(guó)制造實(shí)力的上升。