臺積電13日的法說會中，針對近期兩大熱門議題：日本半導體大廠東芝NAND Flash部門競標案、先進制程3奈米晶圓廠的選址，一一對外界做最新的回覆。

自從臺積電董事長張忠謀公開表示，考慮參與日本半導體大廠東芝(Toshiba)競標案后，臺積電對該案的態(tài)度備受市場關(guān)注，尤其參與競標者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。

臺積電13日指出，內(nèi)部確實評估過該案，但最后決定不去參與競標，主要是兩大原因，第一，內(nèi)部認為這種標準型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣，第二是認為這樣做并沒有太多綜效，因此，臺積電沒有參與，且強調(diào)假使臺積電參與其中，也會自己去競標，不會是呼朋引伴的景象，間接否認和鴻海一同競標的猜測是不正確的。

針對記憶體技術(shù)的布局，臺積電表示，對于標準型獨立式的記憶體晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并沒有興趣，但是對于嵌入式記憶體技術(shù)的布局，則是下了很大功夫。

臺積電目前是全球最大的嵌入式記憶體技術(shù)提供者，用在邏輯制程平臺上，做晶圓代工，像是新式記憶體技術(shù)如ReRAM、MRAM等，臺積電都有這些嵌入式記憶體技術(shù)，且因為28奈米以下，傳統(tǒng)的嵌入式記憶體技術(shù)會有瓶頸，MRAM是很好接棒的技術(shù)人選，臺積電已經(jīng)在提供該技術(shù)使用在邏輯制程上了！

針對另一個熱門議題，也就是臺積電3奈米制程的選址案，因為之前傳出臺積電基于穩(wěn)定和充足的水、電供應考量，有意到美國設(shè)立3奈米制程晶圓廠。

臺積電指出，延續(xù)之前董事長張忠謀說法，不排除任何可能性，但在美國設(shè)晶圓廠并不是最理想的選擇，希望有更多地點可以選。