三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國(guó)業(yè)者追上。

韓媒 etnews 18 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標(biāo)最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。

三星從 20 納米制程（28→25→20），轉(zhuǎn)進(jìn) 10 納米制程（18→17），縮小線寬（Line－width）的速度明顯放緩。三星尚未成立 15 納米制程以下的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，因?yàn)橛纱碎_始，電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯，需要開發(fā)新的材質(zhì)。

三星設(shè)備解決方案部門的半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室人員 Jung Eun－seung 說，為了繼續(xù)縮小線寬，必須開發(fā)與當(dāng)前不同的新材質(zhì)，并提高制程穩(wěn)定性，以便進(jìn)入量產(chǎn)。業(yè)界人士估計(jì)，15 納米或許是制程微縮的極限，未來(lái)三星可能難以透過制程微縮拉大與對(duì)手差距，并擔(dān)憂中國(guó)業(yè)者急起直追，趕上三星。