《電子技術(shù)應(yīng)用》
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華為P10閃存混著用因供應(yīng)鏈Flash嚴(yán)重缺貨

2017-04-23
關(guān)鍵詞: 閃存 Flash NAND 半導(dǎo)體

余承東日前爆料稱,P10系列手機(jī)混用UFS和EMMC兩種閃存方案的核心原因,就是供應(yīng)鏈Flash嚴(yán)重缺貨,華為的存儲至今還處于缺貨之中。那么,NAND Flash制造商如今產(chǎn)能狀況如何?缺貨問題何時能夠得到緩解?

據(jù)DIGITIMES報道,全球存儲器主要的幾家大型原廠開始針對3D NAND Flash提高產(chǎn)能,包括三星電子、SK海力士、東芝、美光、英特爾等,3D NAND產(chǎn)能將有望在今年下半年放量。有后段封測廠表示,供給緊缺局面得到稍微緩解、價格回穩(wěn),至少要等到2017年第三季度。

主要是因?yàn)?017年存儲器大廠將工藝從2D NAND轉(zhuǎn)換到3D NAND的過程中,良率一直不穩(wěn)定,2D NAND需求旺盛產(chǎn)能滿載,總體閃存產(chǎn)能供給減少,造成NAND Flash價格上漲、供需緊張局面。半導(dǎo)體相關(guān)廠商表示,韓廠2017年下半年將陸續(xù)量產(chǎn),三星的64層3D NAND、SK海力士的72層3D NAND領(lǐng)先業(yè)界。

三星兩年前斥資144億美元建設(shè)的平澤工廠基本完工了,三星稱其為世界最大的半導(dǎo)體工廠,預(yù)計7月份正式投產(chǎn),主要生產(chǎn)64層堆棧的新一代3D NAND閃存。

平澤工廠預(yù)計會在7月份正式投產(chǎn),雖然號稱是全球最大的半導(dǎo)體工廠,不過產(chǎn)能提升也是有個過程的,今年內(nèi)產(chǎn)能可能只有7-8萬片晶圓/月,一兩年之后才能全速運(yùn)轉(zhuǎn)。三星平面及3D閃存工廠加起來每月產(chǎn)能大約是45萬片晶圓,平澤工廠將占據(jù)10-20%的份額。

三星平澤工廠在未來兩三年內(nèi)可能還是最大的半導(dǎo)體工廠,不過這個最大工廠的名頭很有可能被中國的長江存儲科技取代——該公司在武漢、南京建設(shè)的晶圓廠規(guī)模更大,2020年時每個晶圓廠月產(chǎn)能可達(dá)30萬片晶圓(還是12英寸的),真要投產(chǎn)了這兩個工廠的產(chǎn)能就足以比肩三星全部NAND工廠產(chǎn)能,而武漢基地規(guī)劃的產(chǎn)能最終是在2030年達(dá)到每月100萬片晶圓。目前,紫光集團(tuán)正在通過旗下上市平臺紫光國芯并購長江存儲公司。

與臺灣存儲產(chǎn)業(yè)關(guān)系密切的美光科技,預(yù)計2017年第二季度實(shí)現(xiàn)64層3D NAND的量產(chǎn)工作,2017年下半年開始有望放量生產(chǎn)。日本廠商東芝半導(dǎo)體業(yè)率先鎖定了64層3D NAND Flash產(chǎn)品,擴(kuò)大持續(xù)擴(kuò)大3D NAND產(chǎn)能。

英特爾大連工廠已于2016年底量產(chǎn)3D NAND,2017年下半年更會生產(chǎn)新一代3D XPoint存儲器——NVM非揮發(fā)性存儲器,效能大勝于NAND Flash。目前,英特爾僅推出第一款采用3D Xpoint之固態(tài)硬盤。后段封測代工廠力成表示,美光的3D NAND和英特爾3D XPoint訂單增長,第二季度將優(yōu)于第一季度。由于具有相當(dāng)難度,交期恐怕延長。

有存儲業(yè)者表示,預(yù)估2017年上半年DRAM、NAND Flash缺貨漲價行情會持續(xù),市場進(jìn)入第三季度,隨著國際大廠陸續(xù)放量生產(chǎn)3D NAND,整體NAND Flash漲價態(tài)勢稍微趨緩,產(chǎn)業(yè)供需緊張可望稍微調(diào)整腳步。


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