文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2017.07.008
中文引用格式: 張頂頂,張釗鋒,廖友春. 基于電流復(fù)用技術(shù)的低功耗正交信號(hào)VCO[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2017,43(7):32-35,39.
英文引用格式: Zhang Dingding,Zhang Zhaofeng,Liao Youchun. A low-power quadrature signal generation VCO based on current reusing technology[J].Application of Electronic Technique,2017,43(7):32-35,39.
0 引言
頻率合成器是射頻收發(fā)機(jī)的重要模塊,其中的壓控振蕩器(Voltage Controlled Oscillator,VCO)和分頻器工作在整個(gè)電路的最高頻率,是頻率合成器的主要功耗來(lái)源,因此,頻率合成器設(shè)計(jì)的主要目標(biāo)之一就是降低VCO和分頻器的功耗。VCO主要用于產(chǎn)生穩(wěn)定的射頻信號(hào),其中正交信號(hào)在正交上/下變頻的收發(fā)機(jī)中至關(guān)重要,常見(jiàn)的正交信號(hào)產(chǎn)生方式包括無(wú)源多相網(wǎng)絡(luò)、雙VCO耦合、VCO后置二分頻電路[1]。無(wú)源多相網(wǎng)絡(luò)要求器件之間匹配并且輸入輸出間都要引入緩沖電路。雙VCO耦合產(chǎn)生正交信號(hào)會(huì)導(dǎo)致VCO面積直接增加將近一倍。而且耦合因子很大會(huì)導(dǎo)致VCO振蕩頻率偏移諧振狀態(tài),影響諧振回路的品質(zhì)因子,導(dǎo)致相位噪聲惡化,但諧振因子太小會(huì)破壞信號(hào)的正交關(guān)系。VCO后置二分頻器的面積較小,輸出信號(hào)的正交性較好,但是二分頻器會(huì)工作在VCO振蕩頻率,因此會(huì)引入額外功耗。
目前,通過(guò)電流復(fù)用技術(shù)降低電路功耗已經(jīng)得到了廣泛使用,在文獻(xiàn)[2]中實(shí)現(xiàn)VCO和接收機(jī)電路的電流復(fù)用,整體電路僅消耗1 mA電流。與此類似,文獻(xiàn)[3]通過(guò)實(shí)現(xiàn)Colpitts VCO和二分頻器的電流復(fù)用,輸出2.1~2.2 GHz正交信號(hào)時(shí)僅消耗2.8 mA。如果能夠?qū)崿F(xiàn)VCO和二分頻器的電流復(fù)用,就可以保證低功耗正交信號(hào)產(chǎn)生。
文獻(xiàn)[4-6]通過(guò)變壓器反饋降低VCO的工作電壓,并且實(shí)現(xiàn)VCO和二分頻器的電流復(fù)用以降低功耗。但是引入變壓器會(huì)導(dǎo)致芯片面積急劇增大,增加生產(chǎn)成本。文獻(xiàn)[7]通過(guò)N-PMOS VCO中的PMOS負(fù)阻對(duì)實(shí)現(xiàn)和二分頻器的堆疊,PMOS負(fù)阻對(duì)同時(shí)作為二分頻器的開(kāi)關(guān)管存在。但是PMOS負(fù)阻對(duì)消耗一個(gè)約0.6 V閾值電壓,因此該結(jié)構(gòu)必須通過(guò)襯底偏置技術(shù)[8]降低NOMS和PMOS負(fù)阻對(duì)的閾值電壓,否則在1.8 V電壓下難以穩(wěn)定工作。然而襯底偏置技術(shù)要求使用雙阱工藝,增加生產(chǎn)成本,而且該電路的工作電流是不穩(wěn)定的,這導(dǎo)致整個(gè)電路的工作點(diǎn)尤其是VCO和二分頻器的中間節(jié)點(diǎn)電壓Vmid會(huì)隨PVT變化出現(xiàn)劇烈波動(dòng)。文獻(xiàn)[9]中直接采用NMOS VCO的振蕩信號(hào)給二分頻器提供偏置,這雖然避免了偏置電路,但是二分頻器阻抗作為VCO諧振網(wǎng)絡(luò)的負(fù)載存在,導(dǎo)致相位噪聲惡化,而且Vmid也會(huì)隨PVT變化出現(xiàn)劇烈波動(dòng)。文獻(xiàn)[10]中通過(guò)NMOS VCO的交流信號(hào)給二分頻器提供控制信號(hào),避免了二分頻器對(duì)VCO諧振網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生負(fù)載;二分頻器的直流偏壓通過(guò)電流鏡提供。但是以上電路依舊消耗較大面積接地電容以維持中間節(jié)點(diǎn)Vmid的電壓穩(wěn)定,而且,電路的直流電流依舊會(huì)隨二分頻器的時(shí)鐘控制對(duì)的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)劇烈變化,導(dǎo)致消耗的平均電流很大。
綜上討論,為了節(jié)省成本,本文采用通用的0.18 μm TSMC單阱工藝進(jìn)行正交信號(hào)電路設(shè)計(jì),應(yīng)用場(chǎng)景為低功耗藍(lán)牙(Bluetooth Low Energy,BLE)滑動(dòng)中頻收發(fā)機(jī),需要產(chǎn)生1.6 GHz信號(hào)和0.8 GHz正交信號(hào),頻率覆蓋范圍為800~828 MHz,相位噪聲要求為-125 dBc/Hz@1 MHz,主要設(shè)計(jì)目標(biāo)為降低VCO和二分頻器的功耗。本設(shè)計(jì)通過(guò)NMOS VCO和二分頻器堆疊實(shí)現(xiàn)電流復(fù)用,并且論證了尾電流源對(duì)進(jìn)一步降低功耗的作用,同時(shí)中間節(jié)點(diǎn)Vmid的接地電容被進(jìn)一步降低。仿真結(jié)果表明,在電源電壓為1.8 V時(shí)實(shí)現(xiàn)的相位噪聲是-126 dBc/Hz@1 MHz,消耗電流1.05 mA。
1 電路設(shè)計(jì)
1.1 VCO電路
本文采用的VCO和二分頻器電路結(jié)構(gòu)如圖1。通過(guò)NMOS VCO和二分頻器的簡(jiǎn)單堆疊實(shí)現(xiàn)電流復(fù)用以降低功耗,中間節(jié)點(diǎn)Vmid將電路分為VCO和二分頻器兩部分。VCO部分包括M1、M2構(gòu)成的負(fù)阻對(duì)和LC諧振網(wǎng)絡(luò),使用NMOS負(fù)阻對(duì)可以最大程度降低VCO消耗的電壓。VCO下方是二分頻器,實(shí)質(zhì)上相當(dāng)于VCO的尾電流源,Vb1和Vb2是由外部電流鏡提供的偏置電壓,Vb2和尾電流源管M13決定電路的整體電流。
對(duì)二分頻器而言,無(wú)尾電流源管可以使偏置電路得到簡(jiǎn)化,并且電路的工作頻率進(jìn)一步提高,這是因?yàn)闀r(shí)鐘控制對(duì)M11、M12的反轉(zhuǎn)電流不受限制。但是,無(wú)尾電流源導(dǎo)致二分頻器狀態(tài)翻轉(zhuǎn)時(shí)的電流波動(dòng)較大,這意味著平均有效電流增加,也就是功耗增加。同時(shí),消除尾電流源管會(huì)降低VCO的低頻噪聲。事實(shí)上,BLE應(yīng)用中對(duì)二分頻器的工作頻率要求不高,在1.6~1.8 GHz之間即可;而且,增加尾電流源可以保證電路的DC電流工作點(diǎn)基本穩(wěn)定,電流圍繞靜態(tài)電流周期性波動(dòng),波動(dòng)幅度較小,因此平均電流約為靜態(tài)電流。同時(shí),增加尾電流源對(duì)于降低VCO對(duì)電源電壓的敏感度有重要意義。綜上所述,該電路相比文獻(xiàn)[6,7,10]增加了尾電流源管,使二分頻器反轉(zhuǎn)電流更為可控,有利于平均電流進(jìn)一步降低。
可以看出,電路堆疊導(dǎo)致電源線之間的晶體管級(jí)數(shù)增加,因此有必要論證增加尾電流源管依舊可以使各級(jí)晶體管的電壓滿足正常工作的要求。電壓余度分析如下:VCO部分的最小電壓余度為Vtn,不包含尾電流源管時(shí)二分頻器部分的最小電壓余度是2Vds+Vtn+IssRss/4,Rss是二分頻器電阻,IssRss/4是二分頻器正交信號(hào)的擺幅。假設(shè)正交信號(hào)的擺幅為200 mV,Vds取150~200 mV,Vtn取0.5 V,因此不包含尾電流源的最小電壓余度是1.5~1.6 V。由于電源電壓是1.8 V,所以增加尾電流源管依舊可以使電路穩(wěn)定工作。
除共用電流外,VCO和二分頻電路可以看做獨(dú)立電路。外部電流鏡給二分頻器的時(shí)鐘控制對(duì)M11、M12和尾電流源管M13提供直流偏壓,這對(duì)于維持VCO和二分頻電路的直流工作點(diǎn)穩(wěn)定具有重要意義。一旦VCO和二分頻器的電流固定,為了保證兩級(jí)電路DC工作點(diǎn)的穩(wěn)定,只需要保證Vmid點(diǎn)的電壓穩(wěn)定即可,所以需要在Vmid點(diǎn)加接地電容。通過(guò)參數(shù)仿真選取符合要求的Vmid點(diǎn)電容的最小值,最終選擇的NMOS電容為10 pF,相對(duì)文獻(xiàn)[10]降低了58.3%。
VCO諧振網(wǎng)絡(luò)輸出的交流信號(hào)通過(guò)電容耦合到二分頻器開(kāi)關(guān)管,保證二分頻器的正常分頻與正交信號(hào)產(chǎn)生。為了實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的調(diào)諧增益和輸出頻率范圍,采用3 bit控制字調(diào)節(jié)電容陣列實(shí)現(xiàn)粗調(diào)諧,細(xì)調(diào)諧電壓Vtune范圍是0.4~1.4 V。
1.2 電感模型
LC負(fù)阻振蕩器包含諧振電路和負(fù)阻對(duì),兩者都對(duì)VCO的性能具有重要影響。根據(jù)Lesson提出的線性模型[11],振蕩器的相位噪聲L{Δw}如下:
其中,F(xiàn)是噪聲系數(shù),Psig是信號(hào)功率,Qtank是諧振電路品質(zhì)因數(shù)。由于相位噪聲和Qtank平方成反比,因此增大諧振電路品質(zhì)因數(shù)有利于改善相位噪聲。一般情況下,諧振電路的品質(zhì)因數(shù)約等于其中電感品質(zhì)的因數(shù),因此電感的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。通過(guò)ASITIC軟件繪制差分電感,線寬為30 μm,線間隔為3 μm,內(nèi)徑為100 μm,圈數(shù)為3。然后在Momentum中進(jìn)行版圖S參數(shù)提取,最后根據(jù)提取到的S參數(shù)通過(guò)ADS軟件對(duì)電感電學(xué)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化擬合,優(yōu)化仿真中采用基于雙端口π模型[1]的2π電感模型,如圖2。
ADS優(yōu)化得到的電感模型S參數(shù)如圖3,在VCO振蕩頻率范圍內(nèi)(1.5~2.0 GHz)與版圖提取S參數(shù)基本相符。最終得到的差分電感電學(xué)模型參數(shù)已經(jīng)在圖2中給出,品質(zhì)因數(shù)是9.75@1.7 GHz。
2 仿真結(jié)果分析
在Cadence Virtuoso中完成版圖繪制,VCO部分和二分頻器采用全對(duì)稱設(shè)計(jì),并且使用Dummy晶體管和Dummy電阻減小制造誤差。采用TSMC 0.18 μm單阱工藝?yán)L制版圖,包含VCO、二分頻器、PAD、偏置電路和測(cè)試Buffer等的整體版圖如圖4,除PAD外,面積為0.38 mm2。
采用1.8 V電源電壓進(jìn)行后仿,當(dāng)VCO諧振網(wǎng)絡(luò)的振蕩頻率為1.701 2 GHz時(shí),二分頻器輸出正交信號(hào)以及VCO振蕩信號(hào)的瞬態(tài)波形如圖5、圖6所示,結(jié)果表明二分頻器可以實(shí)現(xiàn)正交性較好的信號(hào)輸出,在各個(gè)Corner和溫度下的信號(hào)幅度都大于200 mV,對(duì)應(yīng)頻率為850.6 MHz。VCO諧振網(wǎng)絡(luò)的輸出信號(hào)幅度為295 mV,可以滿足一級(jí)變頻的輸出信號(hào)要求。
為了驗(yàn)證尾電流源管對(duì)電路總電流的影響,仿真得到流經(jīng)尾電流源管的瞬態(tài)電流,如圖7所示,電流在1.05 mA上下周期性波動(dòng),波動(dòng)幅度為0.05 mA,相比無(wú)尾電流源的電流復(fù)用結(jié)構(gòu)波動(dòng)范圍較小,平均電流損耗降低。同時(shí),雖然交流電容降低為10 pF,相對(duì)文獻(xiàn)[10]降低了58.3%,但是最終實(shí)現(xiàn)的中間節(jié)點(diǎn)Vmid的電壓基本穩(wěn)定在1.085 V,如圖8所示,這保證了VCO和二分頻器在電流復(fù)用狀態(tài)下的正常工作。
針對(duì)3 bit電容陣列進(jìn)行鎖定頻率仿真,得到的調(diào)諧曲線如圖9,有效調(diào)諧電壓范圍為0.4~1.4 V,調(diào)諧頻率覆蓋783~866 MHz,單條調(diào)諧曲線頻率范圍約為17~18 MHz,保證了較好的頻率交疊。
在1.8 V電源電壓下的仿真結(jié)果表明,當(dāng)輸出信號(hào)頻率為850.6 MHz時(shí),消耗電流1.05 mA,1 MHz偏移處的相位噪聲為-126 dBc/Hz。信號(hào)的相位噪聲如圖10所示。
將本文實(shí)現(xiàn)的電流復(fù)用VCO和文獻(xiàn)中的正交信號(hào)產(chǎn)生VCO進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果如表1,其中FoM值公式如下:
結(jié)果表明,在1.8 V電壓下產(chǎn)生的850.6 MHz正交信號(hào)對(duì)應(yīng)的FoM值為182 dBc。相比采用相同工藝和電流復(fù)用技術(shù)的文獻(xiàn)[10],本設(shè)計(jì)的FoM值提高了2 dB。FoM值得到改善的根本原因在于,本文對(duì)文獻(xiàn)[10]的改進(jìn)使電路功耗降低了約38.24%,同時(shí)相位噪聲性能基本保持不變,這對(duì)于低功耗藍(lán)牙應(yīng)用具有重要意義。
3 結(jié)束語(yǔ)
在TSMC 0.18 μm工藝下實(shí)現(xiàn)了一個(gè)用于BLE射頻收發(fā)機(jī)的低功耗正交信號(hào)產(chǎn)生器,通過(guò)電流復(fù)用技術(shù)降低了VCO和二分頻器的整體功耗。仿真結(jié)果表明,在1.8 V電源電壓下僅消耗1.05 mA電流,對(duì)低功耗藍(lán)牙應(yīng)用具有重要意義。正交信號(hào)頻率為850.6 MHz時(shí)對(duì)應(yīng)的相位噪聲為-126 dBc/Hz@1MHz,F(xiàn)oM值約為182 dBc。二分頻器輸出的正交信號(hào)頻率范圍是783~866 MHz,覆蓋目標(biāo)頻率范圍,整體版圖面積為0.38 mm2。在維持相位噪聲滿足指標(biāo)要求的情況下,本設(shè)計(jì)對(duì)其他低功耗應(yīng)用具有指導(dǎo)意義。
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作者信息:
張頂頂1,2,3,張釗鋒1,3,廖友春1,2
(1.中國(guó)科學(xué)院 上海高等研究院,上海201210;2.中國(guó)科學(xué)院大學(xué),北京100049;3.上??萍即髮W(xué),上海201210)