日前三星電子正式宣布，其將11nm FinFET制程技術(shù)（11nm LPP，Low Power Plus）提上研發(fā)日程，預計將于明年推出首款采用該工藝的芯片。

11nm LPP工藝由之前的三星14nm LPP進化而來，相比后者，前者表現(xiàn)將提升15%，且在相同功耗的情況下芯片面積減少10%。

由于目前三星在旗艦手機領(lǐng)域主推自家10nm FinFET工藝，因而其期望11nm工藝將成為中高端智能手機的主力軍。新工藝將在明年上半年進行量產(chǎn)。11nm LPP工藝主要應用于中高端手機產(chǎn)品，形成市場差異化，如果沒有意外的話，明年上半年就能見到相應的產(chǎn)品投放了，不過由于三星處理器本身

的原因，有可能首先用在自家的手機上面，如果高通等公司使用該工藝，則會應用在更多Android手機上。
與此同時，三星還確認了包含EUV (extreme ultra violet，遠紫外區(qū)) 光刻技術(shù)的7nm LPP制程已經(jīng)提上日程，目標是將在明年的下半年開始初步試產(chǎn)。

業(yè)界普遍認為7nm工藝是一個重要節(jié)點，是半導體制造工藝引入EUV技術(shù)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折，這是摩爾定律可以延續(xù)到5nm以下的關(guān)鍵；引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟、光罩數(shù)量等制造過程，節(jié)省時間和成本。

不過顯然引入EUV技術(shù)并不容易，其需要投入大量資金購買昂貴的EUV設(shè)備，同時需要進行大量的工藝驗證以確保在生產(chǎn)過程中獲得較佳的良率，才能以經(jīng)濟的成本適用于生產(chǎn)芯片。

三星恰恰擁有這個優(yōu)勢，它由于擁有多個產(chǎn)業(yè)，可以為它的先進半導體制造工藝提供資金支持，而它多年來也愿意為此付出巨額的資金；三星也是全球最大的存儲芯片生產(chǎn)企業(yè)，可以通過在存儲芯片上錘煉先進工藝，例如在過去這三年其就采用EUV技術(shù)處理了20萬片晶圓生產(chǎn)SRAM。

根據(jù)三星的進度，我們可以初步判斷，預計今年年底推出的驍龍845用上7nm制程的可能性不大，有較大可能可能依然采用10nm制程工藝。預計明年Exynos 9810、麒麟980、Helio X40等芯片同樣將延續(xù)此工藝。但最早我們能在2019年年初看到搭載7nm芯片的智能手機。

三星成為了最早公布7nm工藝的廠商，但7nm LPP工藝預計要等到明年下半年才能量產(chǎn)，采用了EUV極紫外光刻技術(shù)。兩款工藝的進一步參數(shù)和細節(jié)預計在9月15日于東京的半導體會議上公布。

而三星最大的競爭對手臺積電方面，在今年3月份則被爆出在和聯(lián)發(fā)科合作試產(chǎn)7nm制程12核心芯片，但根據(jù)臺積電10nm今年難產(chǎn)的現(xiàn)狀來看，實際能夠投放市場的時間目前還說不準。

臺積電作為全球最大的半導體代工企業(yè)也有它的優(yōu)勢，由于它一直居于領(lǐng)先地位，獲取了豐厚的利潤，這為它持續(xù)研發(fā)先進工藝提供了資金支持，近兩年在三星的逼迫下它正在不斷提升研發(fā)投入。

不過由于它采取了更謹慎的態(tài)度，在研發(fā)先進工藝上稍微保守，在研發(fā)16nm工藝的時候它就先在2014年量產(chǎn)了14nm工藝然后再在2015年引入FinFET工藝，而三星則直接在2015年量產(chǎn)14nm FinFET首次取得在先進工藝上對臺積電的領(lǐng)先優(yōu)勢。

在7nm工藝上的競爭，可能會引發(fā)全球兩大芯片企業(yè)高通和蘋果訂單的變動，業(yè)界傳出消息指高通很可能將其明年的高端芯片驍龍845交給臺積電，而三星則可能奪得蘋果A12處理器的訂單。