三星方面宣布其將推出4層單元閃存，即QLC NAND芯片。目前容量最高的閃存單元是具有每單元容納3 bits的TLC（三層單元）。然而由于QLC芯片所用材料較TLC而言，其讀寫速度更慢且使用壽命也更低，所以QLC芯片的制備難度也隨之增大。

SSD可并行訪問多塊晶片以提升訪問速度，同時還能夠憑借冗余配置以延長其耐用性。

迄今為止，東芝公司與西部數(shù)據公司，東芝方面的代工合作伙伴已經開始運行配有768 Gbit容量的QLC芯片產品生產線。而如果該合資企業(yè)沒有因為東芝方面出售其存儲器業(yè)務而引發(fā)關系決裂，那么該芯片預計將于明年推出。

一位三星員工在接受Business Korea采訪時表示：“盡管目前QLC NAND閃存尚未進入批量生產階段，但公司內部已經開始著手進行這方面的準備工作了?！?/p>

此外，QLC NAND芯片將采用三星公司的V－NAND（3D NAND）技術，并且其晶片容量將可達到1 Tb（128 GB）。據了解，該芯片將會采用三星公司的第五代V－NAND技術，并且由于該技術的第四代為64層V－NAND，那么其第五代將可能達到96層。

在此之前，三星還曾談到一款容量為128 TB的2．5英寸QLC SSD。另外，SK海力士也在準備推出QLC閃存芯片。

根據HIS Markit的統(tǒng)計報告顯示，QLC閃存芯片預計應該于2018年第一季度推出，且其市場份額在2018年底之前將達到5．1％，2021年則可能達到30％。

如果QLC定價明顯低于TLC，那么其將開創(chuàng)適用于QLC的全新使用環(huán)境，具體包括高容量與快速訪問近線閃存，低訪問延遲歸檔或對象存儲等。