MOS管(MOSFET)的壓降
是指MOSFET飽和導(dǎo)通的時(shí)候,VDS=I*RDS(on)的電壓。VDS表示場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極的電壓,G表示柵極,I表示流過(guò)DS的電流,RDS(on)表示導(dǎo)通電阻,一般為幾百毫歐。
MOSFET的管壓降,一般指的是靜態(tài)壓降。只要知道導(dǎo)通阻抗和通過(guò)的電流的話用上面的公式就可以計(jì)算出來(lái)壓降是多少了。
三極管管壓降
三極管的管壓降Uce就是指集電極與發(fā)射極的電壓。一般情況下,CE極電壓在0.3或者0.3V以下時(shí),三極管進(jìn)入飽和區(qū)的工作狀態(tài),集電極電流不隨著基集電流增加而增加了,也叫飽和電壓。
正常三極管管壓降為0.1-0.7V。 由于管壓降Uce與集電極電流ic具有非線性的函數(shù)關(guān)系,Uce的大小隨著Ice的增大,在一定的范圍內(nèi)增大。
通過(guò)Ic與Uce(飽和壓降)的曲線圖,就可以清晰的知道Uce的大小了。
對(duì)比應(yīng)用
通過(guò)初步計(jì)算,在流過(guò)相同的電流(小于100MA)的情況下,場(chǎng)效應(yīng)管的管壓降要比三極管的管壓降略低。一般小于0.1V。隨著電流增大,三極管管壓降最大達(dá)到0.7V左右。
下圖為三極管的管壓降示例圖,一般在DATASHEET中都有給出。
對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),VDS取決于電流和導(dǎo)通電阻RDS(on)。導(dǎo)通電阻一般變化不大,但是與VGS有關(guān),VGS大導(dǎo)通程度也大,導(dǎo)通電阻就小。
如果RDS(on)=250MΩ,流過(guò)電流為100MA,管壓降VDS=0.025V。圖一為0.05V,圖二為0.03V。
因此,可以看出,在實(shí)際開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,如果要使被控的電壓的壓降盡量小,MOSFET比三極管有略微的優(yōu)勢(shì)。