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臺(tái)積電5nm工廠破土動(dòng)工 手機(jī)有望在2020年用上

2018-02-02
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 三星 芯片 晶圓

臺(tái)積電Fab18工廠正式啟動(dòng)了第一階段的工廠奠基儀式,這意味著三星、格羅方德與IBM合作發(fā)布的5nm工藝,很可能由臺(tái)積電搶先完成量產(chǎn)。臺(tái)積電Fab18以及會(huì)在2020年將5nm工藝芯片投入量產(chǎn)階段,12英寸晶圓年產(chǎn)量達(dá)到100萬(wàn)片。

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這所臺(tái)積電工廠一共會(huì)分成三個(gè)階段完成,第一階段為建筑主體建設(shè),大概需要一年時(shí)間完成。隨后臺(tái)積電會(huì)在2019年開(kāi)始進(jìn)行設(shè)備遷移,在2020年完成第一階段設(shè)備遷移之后開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn),另一個(gè)階段的設(shè)備遷移會(huì)在2021年完成,最終實(shí)現(xiàn)增產(chǎn)。

TIM截圖20180201203851.jpg

一旦臺(tái)積電Fab18所有建造完成,產(chǎn)量將超過(guò)Fab12、Fab14和Fab15工廠的總和,總潔凈室面積甚至相當(dāng)于25座足球場(chǎng)面積,可見(jiàn)臺(tái)積電對(duì)5nm技術(shù)已經(jīng)抱著相當(dāng)樂(lè)觀的態(tài)度。

除了成為世界上第一個(gè)5nm工藝芯片生廠商,對(duì)于臺(tái)積電而言還意味著芯片尺寸下降和成本降低。不過(guò)臺(tái)積電并沒(méi)有詳細(xì)介紹5nm制造如何實(shí)現(xiàn),只知道仍然依靠EUV光刻技術(shù)。再加上臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)5CLN5FF技術(shù)來(lái)完成SRAM單元制造,全面步入5nm工藝不過(guò)是時(shí)間上的問(wèn)題。

一旦順利投產(chǎn),包括手機(jī)在內(nèi)的移動(dòng)數(shù)碼設(shè)備在性能和能耗上會(huì)大幅改善。更重要的是,臺(tái)積電與三星半導(dǎo)體制造之爭(zhēng)再次火力升級(jí),幾乎與此同時(shí),三星4nm工廠和臺(tái)積電3nm的傳言噴涌而出,如果傳言為真,很快我們手機(jī)中的芯片運(yùn)作機(jī)制恐怕需要量子力學(xué)才能解釋了。


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