三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5－6400內(nèi)存芯片，基于10nm級（10～20nm）工藝。
據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容量8Gb（1GB），8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。
其它基本規(guī)格還有，內(nèi)存速度（針腳帶寬）最高6400Mbps，是LPDDR4X 4266Mbps的1．5倍。三星稱，每秒可以傳送51．2GB數(shù)據(jù)（比如高端手機常見的64bit bus），相當于14部1080P電影（每部3．7GB）。要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力。
與此同時，功耗比LPDDR4X降低高達30％，主要是得益于動態(tài)調(diào)節(jié)電壓、避免無效消耗、深度睡眠等技術加入。
三星的8Gb LPDDR5規(guī)格彈性較高，1．1V工作電壓下可達6400Mbps，1．05V下可達5500Mbps，供手機、車載平臺自行選擇。
資料顯示，三星在2014年首先成功量產(chǎn)8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片，之后，就開始推進向LPDDR5新標準的過渡。
新的8Gb LPDDR5內(nèi)存芯片是三星高端DRAM產(chǎn)品線的一部分，后者已經(jīng)包括10nm級的16Gb GDDR6顯存芯片（2017年12月量產(chǎn)）和16Gb DDR5內(nèi)存芯片（今年2月份開發(fā)完成）。
LPDDR5內(nèi)存芯片將用于移動設備如手機、平板、二合一電腦等，三星稱，5G和AI將是其主力服務的場景。
三星將在位于韓國平澤市的工廠量產(chǎn)LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內(nèi)容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。