IC Insights在其《2018年麥克萊恩報告》的9月更新中披露，在過去兩年中，DRAM制造商的存儲器晶圓廠一直滿載運行，這導(dǎo)致DRAM價格穩(wěn)步上升，并為供應(yīng)商帶來可觀的利潤。圖1顯示，2018年8月DRAM的平均銷售價格（ASP）達到了6.79美元，比兩年前的2016年8月增長了165%。雖然今年的DRAM ASP增速已經(jīng)放緩，但2018年前八個月仍保持穩(wěn)健上升趨勢。

　　圖 1

　　眾所周知，DRAM市場是非常周期性的，在經(jīng)歷了兩年的強勁增長之后，歷史的先例現(xiàn)在強烈表明DRAM平均售價（和市場）將很快開始下滑。一個顯示DRAM平均價格即將下滑的指標(biāo)是DRAM資本支出連續(xù)幾年大幅增加以擴大或增加新晶圓廠產(chǎn)能（圖2）。2017年DRAM資本支出增長81%至163億美元，預(yù)計今年將再增加40%至229億美元。如此水平的資本支出通常會導(dǎo)致大量的新產(chǎn)能和隨后的價格快速下降。

　　圖 2

　　然而，這次稍有不同的在于，與前幾代產(chǎn)品相比，頂級DRAM供應(yīng)商現(xiàn)在使用的低于20nm工藝節(jié)點通常與顯著的支出升級相關(guān)的大的生產(chǎn)率提升要小得多。

　　在今年早些時候舉行的分析日活動中，美光公司提供的數(shù)據(jù)顯示，制造低于20納米節(jié)點的DRAM需要增加35%的掩模層數(shù)，每個關(guān)鍵掩模層增加110%的非光刻步驟數(shù)量，以及增加80%的每晶圓潔凈室面積。因為制造20nm以下的器件，需要更多的設(shè)備（每個設(shè)備比上一代具有更大的占位面積）。在向較小的技術(shù)節(jié)點過渡之后，先前平均約50%的位體積增加是在≤20nm節(jié)點處的該量的一小部分。最終結(jié)果是由于DRAM位產(chǎn)出增長較少而使供應(yīng)商必須投入更多的資金。因此，最近資本支出的上漲雖然不尋常，但可能不會像過去那樣導(dǎo)致類似數(shù)量的產(chǎn)能過剩。

　　如圖2所示，預(yù)計2018年DRAM平均售價將上漲38%至6.65美元，但IC Insights預(yù)測隨著更多產(chǎn)能上線和供應(yīng)限制開始放緩，DRAM市場增長將會降溫（值得一提的是，據(jù)報道，由于客戶需求預(yù)期疲軟，三星和SK海力士于3季度推遲部分擴張計劃）。

　　當(dāng)然，過去幾年出現(xiàn)的中國新生存儲器公司是DRAM市場的一個變數(shù)。據(jù)估計，中國約占DRAM市場的40%，約占閃存市場的35%。

　　至少有兩家中國IC供應(yīng)商睿力集成和福建晉華的產(chǎn)品將進入今年的DRAM市場。雖然中國的產(chǎn)能和制造工藝一開始不能與三星，SK海力士或美光公司相媲美，但是中國的創(chuàng)業(yè)公司表現(xiàn)如何以及它們是否只為中國的國家利益服務(wù)，或者它們是否會擴展到滿足全球需求，讓我們拭目以待。