7月至9月的這個(gè)季度，三星電子營業(yè)利潤為17.5萬億韓元（154億美元），高于去年同期的14.53萬億韓元。營收同比增長4.75%，至65萬億韓元（572億美元）。
三星第三季度的高利潤來源于其內(nèi)存芯片的銷量和三星顯示器的較高盈利率。今年三星的季度收益再創(chuàng)歷史新高，還得感謝蘋果公司的支持。目前來說，蘋果公司和三星電子之間的競爭還是處于相愛相殺階段非常復(fù)雜，一方面是全球手機(jī)市場的第一和第二的出貨量競爭，另一方面蘋果公司的部分配件仍然由三星公司供給。
三星為何在內(nèi)存芯片市場稱霸？
目前全球內(nèi)存芯片市場是三星、海力士、美光、東芝、西部數(shù)據(jù)等巨頭稱霸，三星市場份額最大。因?yàn)槿菗碛腥蜃钕冗M(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，在工藝方面它與全球最大的芯片代工廠臺積電處于同一水平，同時(shí)，三星在該領(lǐng)域起步早、研發(fā)實(shí)力強(qiáng)、重視度高，造就了如今的霸主地位。
三星在內(nèi)存芯片的代表事件一覽：
1986 年7 月 成功開發(fā)出1M DRAM
1990 年11 月 成功開發(fā)出16M DRAM
1992 年9 月 世界上首次成功開發(fā)出64M DRAM
1994 年8 月 世界上首次成功開發(fā)出256M DRAM
1996 年10 月 成功開發(fā)出1G DRAM
1998 年2 月 世界上首次成功開發(fā)出128M SDRAM
1998 年4 月 世界上首次成功開發(fā)出256M SDRAM
1998 年7 月 成功開發(fā)出64M Rambus DRAM
1998 年9 月 界上首次成功開發(fā)出1G SDRAM
1999 年6 月 世界率先進(jìn)行256-MB SDRAM 芯片量產(chǎn)
1999 年6 月 世界上首次成功開發(fā)出1Gb DDR SDRAM
2000 年2 月 開發(fā)出圖形卡用高速SDRAM，3 月開發(fā)出世界最小的SRAM 封裝
2000 年4 月 世界上首次成功開發(fā)出512M DRAM
2001 年2 月 開發(fā)出4Gb DRAM 安全技術(shù)
2001 年5 月 開發(fā)出300MHz DDR SDRAM
2001 年7 月 開始512MB 閃存設(shè)備的大規(guī)模生產(chǎn)
2002 年1 月 世界上首次成功開發(fā)出4GB DDR 模塊，Rambus DRAM 的總銷售額突破1 億人民幣
2002 年2 月 首次量產(chǎn)12"晶片制作的256M DRAM
2002 年3 月 世界上首次成功開發(fā)出512M DDR DRAM，業(yè)內(nèi)首次獲得英特爾公司認(rèn)證
2002 年9 月 在世界上率先進(jìn)行90 納米內(nèi)存商業(yè)化
2002 年11 月 1GHz Rambus DRAM 業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)
2002 年1 月 率先推出4 GB DDR 模塊
2003 年7 月 開發(fā)出用于下一代內(nèi)存的PRAM 技術(shù)，成為業(yè)界第一個(gè)開始300 mm 晶片1GB DDR DRAM 量產(chǎn)的公司
2003 年9 月 推出應(yīng)用芯片疊層CCP 技術(shù)制備的最小1GB DRAM 芯片
2004 年4 月 業(yè)內(nèi)首先開始圖形DDR3 DRAM 大規(guī)模生產(chǎn)
2004 年8 月 開發(fā)出世界第一款64MB PRAM
2004 年9 月 在世界上首次開始以90 納米DRAM 量產(chǎn)
2005 年6 月 90納米處理1 GB DDR2 DRAM 開始大規(guī)模生產(chǎn)
2005 年10 月 世界首次開發(fā)成功70nm DRAM，開發(fā)出世界上速度最快的圖形DRAM（GDDR4）
2006 年 研發(fā)出50 納米DDR,2008 年4 月量產(chǎn)
2009 年2 月 研發(fā)出世界首款40 納米1GB DDR2 內(nèi)存
2010 年7 月 成功研發(fā)出世界首款30 納米級2GB DDR3 DRAM
雖然國內(nèi)對內(nèi)存芯片越來越重視，也出現(xiàn)了長江存儲、紫光國微等企業(yè)，但國內(nèi)廠商仍處于起步階段，存儲器的研發(fā)能否成功，未來幾年將是關(guān)鍵期；研發(fā)成功后，良率能否提升到較高水平，成本控制是否能夠達(dá)到預(yù)期，知識產(chǎn)權(quán)能否做到有效保護(hù)等，仍然有一定的不確定性。