據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，中國新興半導(dǎo)體記憶體企業(yè)合肥長(zhǎng)鑫計(jì)劃從半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商荷蘭阿斯麥(ASML)引進(jìn)最尖端設(shè)備。中國由于與美國的貿(mào)易戰(zhàn)和高科技摩擦日趨激烈，越來越難以從美國引進(jìn)技術(shù)。為了發(fā)展屬于產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新關(guān)鍵的半導(dǎo)體，將轉(zhuǎn)向采購歐洲設(shè)備以尋找出路。

合肥長(zhǎng)鑫首席執(zhí)行官（CEO）朱一明將在近期訪歐，與荷蘭阿斯麥啟動(dòng)尖端設(shè)備的采購談判。多位相關(guān)人士透露了這一消息。合肥長(zhǎng)鑫由中國安徽省的合肥市政府出資。有觀點(diǎn)認(rèn)為這一行動(dòng)體現(xiàn)了中國政府的意向。

中國國務(wù)院總理李克強(qiáng)10月19日出席了在布魯塞爾舉行的亞歐首腦會(huì)議。在主席聲明中顯示出歐洲和亞洲展開合作、對(duì)抗美國的貿(mào)易保護(hù)主義的姿態(tài)。

合肥長(zhǎng)鑫力爭(zhēng)采購的是被稱為「極紫外線(EUV)光刻機(jī)」的最尖端生產(chǎn)設(shè)備。據(jù)稱這是推動(dòng)屬于半導(dǎo)體性能提高關(guān)鍵的「微細(xì)化」的新一代技術(shù)，每臺(tái)設(shè)備價(jià)格高達(dá)約1億歐元。據(jù)稱最大DRAM（隨機(jī)記憶體）制造商韓國三星電子已經(jīng)試驗(yàn)性引進(jìn)。

歐洲對(duì)試圖獲取尖端技術(shù)的中國的警惕也在加強(qiáng)，這有可能成為采購的障礙。不過，阿斯麥對(duì)日本經(jīng)濟(jì)新聞（中文版：日經(jīng)中文網(wǎng)）表示，「將平等對(duì)待客戶」，提出了向中國企業(yè)銷售沒有問題這一看法。在行業(yè)內(nèi)有猜測(cè)認(rèn)為，中國半導(dǎo)體代工企業(yè)中芯國際集成電路制造（SMIC）也已經(jīng)向阿斯麥訂購了極紫外線光刻機(jī)。

延伸閱讀：DRAM什么時(shí)候需要EUV光刻機(jī)？

因?yàn)楹戏书L(zhǎng)鑫做的是DRAM，所以他定制EUV光刻機(jī)的消息，讓筆者對(duì)DRAM什么時(shí)候需要光刻機(jī)倍感興趣。因?yàn)槊拦庠诮衲炅碌臅r(shí)候曾表示，EUV 光刻技術(shù)并不是DRAM 制程中所必須的，而且未來幾年內(nèi)都都還不一定用得上。目前，美光在新一代制程技術(shù)上，正在由客戶驗(yàn)證1Y 納米制程的記憶體，而且未來還有1Z、1α 及1β 制程。

光指出，記憶體跟處理器等羅技IC 雖然都是半導(dǎo)體產(chǎn)品，生產(chǎn)制造過程有相似之處，不過制程技術(shù)并不相同。處理器的制程技術(shù)2018 年已經(jīng)進(jìn)入到了7 納米的節(jié)點(diǎn)，但記憶體主流的還是20 納米、18 納米等技術(shù)。其中，18 納米就屬于16 到19 納米之間的1X 納米節(jié)點(diǎn)，后面的1Y 納米則是14 到16 納米之間，1Z 則大概是12 到14 納米制程之間。再往下走，美光就提出的是1α 及1β 制程技術(shù)，而具體對(duì)應(yīng)的制程技術(shù)是多少納米就不明了。

就目前市場(chǎng)上來看，三星是第一家量產(chǎn)18 納米技術(shù)記憶體的廠商，也就是第一個(gè)進(jìn)入1X 納米節(jié)點(diǎn)的記憶體公司，遙遙領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。而美光方面，現(xiàn)在也開始向1X 納米技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)，下一代的1Y 納米技術(shù)則已經(jīng)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段了，預(yù)計(jì)2018 年下半年問世。再下去的1Z 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)目前正處于制程優(yōu)化階段，而1α 及1β 制程則是在不同研發(fā)階段中。

對(duì)此，美光執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra 日前在參加公開會(huì)議上表示，在EUV 光刻技術(shù)上，他認(rèn)為EUV 光刻機(jī)在DRAM 芯片制造上不是必須的，未來可能到1α 及1β 制程技術(shù)時(shí)都還不見得會(huì)用到。不過，這樣的看法似乎與半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML) 的看法有些不同。因?yàn)?，艾司摩爾之前曾?jīng)表示，在記憶體生產(chǎn)技術(shù)上，進(jìn)入1Y 納米技術(shù)的節(jié)點(diǎn)時(shí)就需要考慮EUV 技術(shù)了。只是，這樣的預(yù)測(cè)到目前實(shí)際上并沒有發(fā)生，因?yàn)榘ㄈ窃趦?nèi)的三大DRAM 廠在內(nèi)，目前都沒有很快進(jìn)入EUV 技術(shù)的打算。因此，即使未來記憶體的需求依舊強(qiáng)勁，但要以EUV 技術(shù)來加大能量，短期內(nèi)仍然還不容易見到。