圖片來(lái)自ISPSD2019官網(wǎng)

ISPSD（國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(huì)）是國(guó)際半導(dǎo)體電力電子器件及集成電路領(lǐng)域規(guī)模最大、影響力最強(qiáng)的頂級(jí)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議之一，一年一度的ISPSD會(huì)議一直以來(lái)都是國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界百家爭(zhēng)鳴的國(guó)際舞臺(tái)。

自1988年發(fā)起以來(lái)，過(guò)去的30屆ISPSD會(huì)議分別在北美、歐洲、日本及其它區(qū)域輪流舉辦（第一屆是1988年，第2屆是1990年，以后是每年一屆）。

2015年5月，ISPSD 2015在中國(guó)香港舉行。中國(guó)科學(xué)院院士、電子科技大學(xué)陳星弼教授因?qū)Ω邏汗β蔒OSFET理論與設(shè)計(jì)的卓越貢獻(xiàn)獲得大會(huì)頒發(fā)的最高榮譽(yù)“國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”（ISPSD 2015 Pioneer Award），成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學(xué)家。大會(huì)對(duì)他在1993年發(fā)明突破了傳統(tǒng)硅極限的“CB-layer”，即廣為熟知應(yīng)用的“Super-junction”的重大學(xué)術(shù)貢獻(xiàn)給予高度評(píng)價(jià)。

令人振奮的是，ISPSD2019會(huì)議將在中國(guó)上海舉辦。這將是該會(huì)議自1988年發(fā)起以來(lái)首次在中國(guó)大陸舉辦，標(biāo)志著中國(guó)大陸電力電子器件的研究和產(chǎn)業(yè)水平在國(guó)際上產(chǎn)生了越來(lái)越重要的影響力，也說(shuō)明中國(guó)大陸學(xué)者在電力電子領(lǐng)域扮演和承擔(dān)著重要的角色。

ISPSD2019由浙江大學(xué)盛況教授擔(dān)任大會(huì)主席（General Chair），電子科技大學(xué)張波教授擔(dān)任大會(huì)副主席（Vice General Chair）；香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任技術(shù)程序委員會(huì)（Technical Program Committee，TPC）主席。

會(huì)議主題

ISPSD會(huì)議議題分為以下六個(gè)方向：高壓功率器件（High Voltage Power Devices）、低壓功率器件（Low Voltage Devices and Power IC Device Technology）、 功率集成電路（Power IC Design）、氮化鎵與氮化物器件（GaN and Nitride Base Compound Materials）、碳化硅與其他寬禁帶半導(dǎo)體器件（SiC and Other Materials）、模塊與封裝工藝（Module and Package Technologies）。

在六大議題中，以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體（也就是常說(shuō)的第三代半導(dǎo)體）器件以其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在近年來(lái)引發(fā)了國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的關(guān)注，在材料生長(zhǎng)、制造工藝與應(yīng)用等領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，被認(rèn)為是下一代電力電子器件和功率集成電路的重要發(fā)展方向。憑借其優(yōu)異的性能（如更高的擊穿電壓、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率和更優(yōu)異的抗輻射能力），寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件在新能源汽車(chē)、分布式并網(wǎng)、新型直流輸配電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、航空航天和消費(fèi)類(lèi)電子等諸多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用前景。

關(guān)于技術(shù)程序委員會(huì)情況

本屆技術(shù)程序委員會(huì)（TPC）共有61個(gè)人，其中中國(guó)共有14位，占23%。

他們分別是TPC主席陳敬（香港科技大學(xué)）、GaN and Nitride Base Compound Materials分議題主席Tom Tsai（臺(tái)積電TSMC）。

其他成員還有羅小蓉（電子科技大學(xué)）、Yi Tang（嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體）、張帥（臺(tái)積電TSMC，原華虹宏力）；David Tsung-Yi Huang（瑞昱Richtek）；Budong (Albert) You（矽力杰Silergy）、祝靖（東南大學(xué)）；劉揚(yáng)（中山大學(xué)）、楊樹(shù)（浙江大學(xué)）；Chih-Fang Huang（臺(tái)灣清華大學(xué)）、hwan Ying Lee（瀚薪科技）、Kung-Yen Lee（臺(tái)灣大學(xué)）；Zhenqing Zhao（臺(tái)達(dá)電子）。

2009-2018中國(guó)大陸在ISPSD發(fā)表論文總體情況

下面是芯思想研究院統(tǒng)計(jì)的2009年至2018年10年間的中國(guó)大陸論文情況（由于ISPSD2019的論文評(píng)審情況信息沒(méi)有，無(wú)法給出今年的論文情況）。

從2009年到2018年10年間，雖然年年都有論文發(fā)表，不過(guò)2010年依靠電子科技大學(xué)張波教授團(tuán)隊(duì)的一篇文章，才避免0的尷尬。

從2009年到2018年共發(fā)表論文112篇，其中口頭報(bào)告（Oral）34篇，張貼報(bào)告78篇（Poster）。

根據(jù)第一作者所在單位來(lái)看，電子科技大學(xué)有50篇入選（其中陳星弼院士團(tuán)隊(duì)有7篇，張波團(tuán)隊(duì)43篇），東南大學(xué)有25篇入選，浙江大學(xué)有15篇入選，前三名合計(jì)有90篇論文入選，占總數(shù)的80.33%。

根據(jù)第一作者所在單位來(lái)看，我國(guó)入選的112篇論文中，來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的僅有4篇，分別是華虹宏力2篇入選，中車(chē)株洲時(shí)代電氣和英諾賽科各有一篇入選，僅占總數(shù)的3.33%。

三大高產(chǎn)團(tuán)隊(duì)

1、電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（PITEL）

功率半導(dǎo)體器件及集成技術(shù)是電子科技大學(xué)微電子領(lǐng)域的特色學(xué)科方向，是電子科技大學(xué)集成電路研究中心的核心組成部分。

電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（PITEL）是“電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”的重要組成部分。功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體技術(shù)研究，開(kāi)展了功率半導(dǎo)體分立器件（包括高性能功率二極管、雙極型功率晶體管、功率MOSFET、IGBT到大功率RF LDMOS等，涉及硅基功率器件、SiC功率器件和硅基GaN功率器件）、可集成功率半導(dǎo)體器件新結(jié)構(gòu)（包括硅基、SOI基和GaN基）、高低壓工藝集成、電源管理集成電路、功率集成電路以及面向系統(tǒng)芯片的復(fù)雜負(fù)載下高效功率轉(zhuǎn)換研發(fā)工作。

從2009年至2018年10年間，以第一作者所在單位統(tǒng)計(jì)共發(fā)表論文43篇。

 領(lǐng)軍人物：張波教授

張波教授目前帶領(lǐng)電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（PITEL）主攻功率半導(dǎo)體技術(shù)研究，是國(guó)際上該領(lǐng)域最大的學(xué)術(shù)研究團(tuán)隊(duì)。

張波教授于2010年當(dāng)選ISPSD技術(shù)程序委員會(huì)（TPC）成員，是首批進(jìn)入該委員會(huì)的中國(guó)大陸學(xué)者之一（另一位是2009年從美國(guó)全職回到浙江大學(xué)工作的盛況教授）。

2000年在法國(guó)圖盧茲舉行的ISPSD上，張波教授首次以第一作者身份發(fā)表了一篇有關(guān)超結(jié)的口頭論文。盡管1999年11月張波教授就已經(jīng)回國(guó)工作，但該篇文章的主要研究?jī)?nèi)容為在美國(guó)訪問(wèn)研究的成果，因此該篇文章雖然在首頁(yè)注明張波教授已經(jīng)回到電子科技大學(xué)工作，但還是以美國(guó)國(guó)家工程中心功率電子系統(tǒng)中心署名。

不過(guò)張波教授在ISPSD首秀是在1998年。當(dāng)時(shí)他以訪問(wèn)教授的身份在美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)進(jìn)行研究。

當(dāng)然，該團(tuán)隊(duì)還有羅小蓉教授、陳萬(wàn)軍教授等。

羅小蓉，女，博士，電子科技大學(xué)教授。2001年獲四川大學(xué)碩士學(xué)位, 2007年獲電子科技大學(xué)博士學(xué)位。2009-2010年到英國(guó)劍橋大學(xué)進(jìn)行博士后研究。2011年聘為博士生導(dǎo)師，2012年破格晉升教授。是現(xiàn)任ISPSD技術(shù)程序委員會(huì)（TPC）成員。

陳萬(wàn)軍，男，博士，電子科技大學(xué)教授教授，博士生導(dǎo)師。2007年獲電子科技大學(xué)博士學(xué)位，2007-2010年在香港科技大學(xué)進(jìn)行博士后研究，2013年聘為博士生導(dǎo)師，2014破格晉升為教授。長(zhǎng)期致力于硅基功率半導(dǎo)體技術(shù)、寬禁帶氮化鎵（GaN）功率器件與集成技術(shù)等領(lǐng)域的科研、教學(xué)與人才培養(yǎng)工作，特別在硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率集成技術(shù)與器件模型/機(jī)理等方面開(kāi)展了在國(guó)際上具有相當(dāng)影響的獨(dú)創(chuàng)性研究。

2、東南大學(xué)功率集成電路研發(fā)部

功率集成電路（PIC）研發(fā)部是國(guó)家專(zhuān)用集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心的重要組成部分，在南京、無(wú)錫和蘇州設(shè)有三個(gè)實(shí)驗(yàn)室。

在近十年間，以第一作者所在單位統(tǒng)計(jì)，功率集成電路（PIC）研發(fā)部共發(fā)表25篇文章。其中2012年、2013年、2015年、2016年、2018年都取得100%錄用率的佳績(jī)。

領(lǐng)軍人物：孫偉鋒

1977年5月出生，2000年本科畢業(yè)于東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院；2003年獲碩士學(xué)位并留校任教；2006年獲微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)博士學(xué)位；2008年9月至2009年9月在美國(guó)加州大學(xué)歐文分校電子與計(jì)算機(jī)工程學(xué)院進(jìn)修，進(jìn)行博士后的研究工作。主要從事功率器件、功率集成電路、模擬集成電路及可靠性等方面的研究。發(fā)表SCI論文150余篇，獲得美國(guó)專(zhuān)利7項(xiàng)、中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利190余項(xiàng)，

當(dāng)然，該團(tuán)隊(duì)還有祝靖副教授等。

3、浙江大學(xué)電力子器件團(tuán)隊(duì)（PEDL）

由盛況教授領(lǐng)銜的浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院的電力子器件團(tuán)隊(duì)（PEDL）自2010年成立以來(lái)，一直致力于開(kāi)展碳化硅和氮化鎵電力電子器件的研究，成功自主研制出了碳化硅超級(jí)結(jié)肖特基二極管、JBS二極管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、常關(guān)型氮化鎵晶體管和垂直型氮化鎵二極管，開(kāi)發(fā)出了容量領(lǐng)先的碳化硅肖特基二極管模塊、碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)開(kāi)關(guān)管模塊以及碳化硅MOSFET功率模塊。此外，團(tuán)隊(duì)還在基于寬禁帶器件的電力電子變壓器、DC-DC變換器、PFC、充電樁等應(yīng)用方向開(kāi)展了一系列研究工作。

電力子器件團(tuán)隊(duì)（PEDL）從2013年開(kāi)始連續(xù)有論文入選ISPSD會(huì)議，以第一作者所在單位統(tǒng)計(jì)，至2018年共往入選15篇。

領(lǐng)軍人物：盛況

1995年畢業(yè)于浙江大學(xué)獲電力電子專(zhuān)業(yè)學(xué)士學(xué)位；1999年畢業(yè)于英國(guó)愛(ài)丁堡Heriot-Watt大學(xué)獲計(jì)算機(jī)及電氣工程博士學(xué)位；1999-2002年英國(guó)劍橋大學(xué)工程學(xué)系任博士后；2002-2009在美國(guó)Rutegers大學(xué)（即新澤西州大學(xué)）任教，獲終身教職；2009年被評(píng)為教育部長(zhǎng)江學(xué)者，擔(dān)任浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘教授，2010年全職回到時(shí)母校任教。

盛況教授 于2010年當(dāng)選ISPSD技術(shù)程序委員會(huì)（TPC）成員，是首批進(jìn)入該委員會(huì)的中國(guó)大陸學(xué)者之一（另一位是電子科技大學(xué)的張波教授）。

盛況教授領(lǐng)銜的電力子器件團(tuán)隊(duì)（PEDL）專(zhuān)注電力電子技術(shù)，主要包括：新型的碳化硅電力電子器件，包括碳化硅平面型/垂直型功率器件（SiC-SBD, SiC-JFET，SiC-BJT, SiC-MOSFET）；碳化硅功率電力電子集成電路芯片；SOI電力電子集成電路技術(shù)；IGBT器件的模型、芯片設(shè)計(jì)、模塊設(shè)計(jì)、可靠性和產(chǎn)業(yè)化研究等。

當(dāng)然，該團(tuán)隊(duì)還有楊樹(shù)教授。

楊樹(shù)，女，1990年6月5日生，安徽合肥人，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師。 2010年本科畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)；2014年博士畢業(yè)于香港科技大學(xué)電子計(jì)算機(jī)工程專(zhuān)業(yè)，先后在香港科技大學(xué)擔(dān)任客座助理教授，在英國(guó)劍橋大學(xué)做博士后。2016年回國(guó)后，進(jìn)入浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院，擔(dān)任“百人計(jì)劃”研究員。研究領(lǐng)域?yàn)橄乱淮咝誓芰哭D(zhuǎn)換系統(tǒng)中的GaN半導(dǎo)體器件核心技術(shù)及物理機(jī)理。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的設(shè)計(jì)、微納制造、分析表征以及可靠性研究。在氮化鎵MIS器件界面優(yōu)化、硅基氮化鎵器件緩沖層陷阱效應(yīng)物理機(jī)制、基于同質(zhì)外延的垂直型氮化鎵電力電子器件等方向開(kāi)展了一系列工作。

ISPSD 2019時(shí)間安排

 圖片來(lái)自ISPSD2019官網(wǎng)

當(dāng)然會(huì)議的第一天是短課程培訓(xùn)。

估計(jì)2019年的后面四天會(huì)場(chǎng)安排情況和2018年也差不多。在2018年在美國(guó)芝加哥舉行的ISPSD共分為16個(gè)會(huì)場(chǎng)，分別是：

1、Superjunction MOS, Diodes and IGBTs

2、SiC Power MOSFETs

3、Lateral Devices: Reliability

4、Smart Power ICs

5、GaN Power Devices - 1

6、High Voltage

7、GaN

8、Packaging

9、GaN Power Devices - 2

10、Low Voltage Technology

11、IC Design

12、SiC

13、SiC Reliability and Ruggedness

14、Packaging and Enabling Technologies

15、Novel Device Structures

16、IGBTs

當(dāng)然還有第17會(huì)場(chǎng)--特邀報(bào)告會(huì)場(chǎng)。其中，6、7、8、10、11、12等六個(gè)會(huì)場(chǎng)是POSTER會(huì)場(chǎng)。