2023 年 6 月 21 日

　　英國劍橋 - Cambridge GaN Devices （CGD）是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。該公司很高興宣布，其首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Florin Udrea 教授于近期入選 IEEE ISPSD（功率半導體器件和集成電路國際會議）名人堂。ISPSD 名人堂旨在表彰在推動功率半導體技術(shù)以及在維持 ISPSD 成功發(fā)展方面做出巨大貢獻的個人。在對 Udrea 的表彰中這樣說道：“Florin Udrea 對功率半導體領域的杰出貢獻以及對 ISPSD 的多方助益，激勵著一代又一代工程師在功率半導體領域去追求卓越。”除了在第 23 屆 ISPSD（于中國香港舉辦）入選名人堂外，Udrea 教授還因其對第 22 屆 ISPSD（于加拿大舉辦）的卓越貢獻而榮獲“最佳論文獎”和“最佳海報獎”，這是 ISPSD 舉辦 35 年以來首次將這兩個獎項授予同一個人。

　　Florin Udrea | CGD 首席技術(shù)官 “很榮幸能夠入選 ISPSD 名人堂，這一群體是如此的莊嚴卓越，其中更是不乏開拓進取的優(yōu)秀同仁，能夠成為其中的一員讓我感到無比自豪。并且能在當今這樣一個‘功率’主題變得越來越重要的時代中保持活躍，我感到非常榮幸和幸運。通過使用 GaN 等新型 WBG 材料，我們不僅可以提高效率，還可以減少碳足跡?！?/p>

　　Giorgia Longobardi | CGD 首席執(zhí)行官

　　“祝賀 Florin 榮獲此殊榮，他當之無愧。很幸運 CGD 能擁有這樣一位在硅、碳化硅、金剛石以及氮化鎵等眾多不同類型的功率材料方面有著豐富經(jīng)驗的人才擔任首席技術(shù)官。我們還從 HVMS（劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組）的研究成果中受益良多，這個團隊目前也由 Florin 所領導。CGD 的基礎支柱之一是創(chuàng)新，而 Florin 正是一位真正的創(chuàng)新者?！?/p>

　　Udrea 教授在期刊和國際會議上已發(fā)表了超過 600 篇論文，并且在功率半導體器件和傳感器領域擁有 200 項專利。2015 年，他入選為英國皇家工程院院士。Udrea 在最近的 ISPSD 會議上獲得“最佳海報獎”，其獲獎演示文稿主題為“可提高易用性和柵極可靠性的具有感應和保護功能的智能 ICeGaN? 平臺”。CGD 的 650 V ICeGaN GaN HEMT 系列具備業(yè)界領先的穩(wěn)健性、易用性，可實現(xiàn)最高效率。ICeGaN 可作為平臺技術(shù)應用于多種領域，包括從商業(yè)領域的電源到工業(yè)領域的轉(zhuǎn)換器和逆變器等多種應用。Udrea 教授因在劍橋大學與日本 Misrise Technologies 和日本京都大學針對垂直 SiC FinFET 器件合作開展的研究而榮獲“最佳論文獎”。

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