我們都知道，功率器件細(xì)分產(chǎn)品主要包括MOSFETs，功率模塊，整流橋，IGBT 等。據(jù)Yole Development統(tǒng)計(jì)和預(yù)測，17-21年功率器件市場規(guī)模CAGR 為5.39%，其中MOSFETs（5.23%），IGBT（9.02%），功率模塊（6.20%），二極管（2.8%），晶閘管（2.71%），整流橋（4.72%）。

　　MOSFETs 和IGBT是新能源汽車結(jié)構(gòu)的主力軍，它們的發(fā)展程度可以說決定了新能源汽車技術(shù)未來的走勢。詳細(xì)的介紹一下這哥倆的本事：

　　首先普及一下半導(dǎo)體芯片知識：

　　如今，貿(mào)易戰(zhàn)當(dāng)前的背景下，先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片得到了越來越多的重視。其實(shí)，半導(dǎo)體芯片在生活中的應(yīng)用場景有很多，主要有：

　　邏輯半導(dǎo)體——應(yīng)用于電腦和各種移動終端中的核心計(jì)算芯片；

　　存儲半導(dǎo)體——我們手機(jī)的RAM、ROM等；

　　功率半導(dǎo)體——廣泛應(yīng)用于汽車、高鐵、電力行業(yè)的各種功率芯片，其中最著名非IGBT莫屬。

　　大紅大紫的IGBT

　　IGBT這個詞你可能從沒聽過，但它一直在我們身邊默默服務(wù)。小到微波爐、變頻空調(diào)、變頻冰箱，大到新能源汽車、高鐵，甚至航母的電磁彈射，IGBT都不可或缺。IGBT是能量變換和傳輸?shù)暮诵牧慵?。常見的?qiáng)電只有50Hz交流電，變壓器只能改變它的電壓。有了IGBT這種開關(guān)，就可以通過電路設(shè)計(jì)和計(jì)算機(jī)控制，改變交流的頻率，或者把交流變直流。

　　IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應(yīng)用方面，如交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源、風(fēng)電與太陽能設(shè)備，以及用于自動控制的變頻器。在消費(fèi)電子方面，IGBT也廣泛應(yīng)用在家用電器、相機(jī)和手機(jī)上。

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　　ST看到了IGBT技術(shù)的光明前景，欲打造一條幾乎覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品線，里面不但有低壓場效應(yīng)管（MOSFET），還有高壓絕緣電晶體（IGBT）等電源裝置。這也就意味著它們完全有能力直接并軌即將到來的混動和電動車市場，為制造商提供完整的設(shè)計(jì)解決方案。

　　隨著IGBT 模塊已在全球新能源汽車中得到非常廣泛應(yīng)用，市場對于整車性能要求的迅速提高，汽車級大功率IGBT呈現(xiàn)出高電壓、高效率、高功率密度和高可靠性的發(fā)展趨勢。未來5年電動汽車的功率占比將會逐步提高，而IGBT和SiC MOSFET逆變器將共存數(shù)年。