2024 年 11月 13 日，中國——意法半導(dǎo)體的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。

STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、直流-直流轉(zhuǎn)換器和太陽能逆變器。

STGAP3S 產(chǎn)品系列為開發(fā)者提供不同的產(chǎn)品型號選擇 ，其中包括驅(qū)動電流 10A 和 6A的產(chǎn)品，兩種產(chǎn)品都具有不同的欠壓鎖定 (UVLO) 和去飽和干預(yù)閾值，幫助設(shè)計人員選擇與其所選的SiC MOSFET 或 IGBT 功率開關(guān)管性能最匹配的驅(qū)動器。

去飽和保護(hù)功能實現(xiàn)了對外部功率開關(guān)管的過載和短路保護(hù)，可以使用外部電阻調(diào)整功率開關(guān)管的關(guān)斷策略，調(diào)整關(guān)斷速度來最大限度地提高保護(hù)功能，同時避免出現(xiàn)過多的過壓尖峰。欠壓鎖定保護(hù)可防止驅(qū)動電壓不足時導(dǎo)通。

驅(qū)動器集成的米勒鉗位架構(gòu)為外部 N 溝道 MOSFET 提供一個預(yù)驅(qū)動器。因此，設(shè)計人員可以靈活地選擇合適的干預(yù)速度，以防止感應(yīng)導(dǎo)通，并避免交叉導(dǎo)通。

現(xiàn)有的產(chǎn)品型號包括驅(qū)動能力10A 拉/灌電流和6A拉/灌電流的驅(qū)動器，針對 IGBT 或 SiC 優(yōu)化的去飽和檢測和 UVLO 閾值，讓開發(fā)者所選的功率開關(guān)發(fā)揮極致性能。去飽和、UVLO 和過熱保護(hù)的故障情況通過兩個專用的開漏診斷引腳通知控制器。

STGAP3SXS現(xiàn)已投產(chǎn)，采用 SO-16W 寬體封裝。詢價和申請樣片，請聯(lián)系當(dāng)?shù)匾夥ò雽?dǎo)體銷售辦事處。