從今年年第一季的全球DRAM市場占有率來看，全球三大廠中，三星的DRAM市場占有率為42.7%，SK海力士則以29.9% 排名第二，美光市占率在23%位居第三。從去年第四季度開始，DRAM內(nèi)存芯片的整體合約價格就已經(jīng)出現(xiàn)下跌，加上中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響，巨頭們的投資計劃不得不作出相應(yīng)的調(diào)整。美光延遲日本新廠投資計劃，海力士也正計劃推遲位于中國無錫的全球最先進(jìn)內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計劃，而老大三星也開始規(guī)劃調(diào)整產(chǎn)品制程的配置。

　　2019年第一季度全球DRAM廠自由品牌存儲器營收排名

　　根據(jù)日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報導(dǎo)，由于美國對中國華為祭出禁售令的影響，使得美國內(nèi)存大廠美光（Micron）延遲了在日本廣島的新廠投資計劃。原因在于對華為的禁售令，導(dǎo)致對整體內(nèi)存市場需求的下滑，因此美光不得不修正之前的計劃。

　　市場調(diào)查研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下內(nèi)存儲存研究（DRAMeXchange）就研究指出，在美國祭出華為禁售令的影響下，華為的智能手機(jī)與服務(wù)器生產(chǎn)將面臨嚴(yán)重出貨障礙，沖擊 DRAM 產(chǎn)品旺季需求與價格跌底時間。

　　報導(dǎo)還指出，美光在日本廣島的工廠實(shí)際上是在2012年買下爾必達(dá)（Elpida）后納入旗下的，原計劃在2019年中期在該廠展開1Z nm制程的下一代 DRAM生產(chǎn)。美光原本表示，將在今后數(shù)年內(nèi)于廣島工廠投資數(shù)十億美元，發(fā)展新一代 DRAM 內(nèi)存的生產(chǎn)，不過，據(jù)傳該廠已動工的F棟廠房部分?jǐn)U建，原本預(yù)計在2020年的7月份完成興建，如今已經(jīng)延遲到2021年的2月，足足向后延遲了7個月的時間。

　　排名DRAM大廠的第二的海力士為何推遲無錫二工廠的投產(chǎn)計劃呢？目前，SK海力士占有中國內(nèi)存芯片市場大約35%的份額，無錫二廠投用后預(yù)計可升至超過45%。據(jù)韓媒The Investor報道，由于DRAM內(nèi)存芯片價格不斷下跌，近期又有華為事件的影響，SK海力士正在計劃推遲位于中國無錫的全球最先進(jìn)內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計劃。

　　The Investor的報道還指出，SK海力士去年在中國的銷售額為15.8萬億韓元，占其全部收入的近40%，特別是華為占據(jù)了12%。一位不愿透露姓名的業(yè)內(nèi)知情人士暗示，項(xiàng)目推遲與華為技術(shù)等中國合作伙伴的內(nèi)存芯片需求下降有關(guān)。

　　據(jù)了解，今年4月18日，SK海力士無錫二工廠（C2F）舉行了竣工儀式。二工廠是在原有DRAM生產(chǎn)線C2的基礎(chǔ)上實(shí)施的擴(kuò)建工程。作為海力士現(xiàn)有工廠(C2) 的延伸項(xiàng)目，新工廠建設(shè)周期2017-2026年，全部完成后將成為全球單體投資規(guī)模最大、月產(chǎn)能最大、技術(shù)最先進(jìn)的10納米級別工藝內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能可達(dá)18萬塊300毫米晶圓，年銷售額可達(dá)33億美元。另外，無錫高新區(qū)在線報道指出，無錫工廠將承擔(dān)SK海力士存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)總量的一半份額。

　　其實(shí)，DRAM廠老大三星也作了相應(yīng)的計劃調(diào)整，其Line 17與平澤廠的二樓將持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)1Y nm制程，但是為順應(yīng)目前的市場狀況，轉(zhuǎn)換速度并不快。針對1X nm服務(wù)器問題，三星規(guī)劃調(diào)整產(chǎn)品制程的配置，以期將傷害降至最低。