新興內存技術已經出現(xiàn)幾十年了，但根據Objective Analysis和Coughlin Associates發(fā)表的最新年度報告《Emerging Memories Ramp Up》顯示，新興內存技術如今已經發(fā)展到一個在更多應用中表現(xiàn)更重要的關鍵期了。

　　該報告指出，隨著新興內存市場逐步取代當今效率較低的內存技術 —— 如NOR 閃存(flash)和SRAM，甚至取代DRAM等內存的銷售比重，預計在2029年，這些新興內存市場可望創(chuàng)造200億美元的合并收入。另一方面，由于未來的制程微縮和規(guī)模經濟提升將促使價格降低，并開始將新興內存作為獨立芯片以及嵌入于ASIC、微控制器(MCU)以及甚至運算處理器中，從而使其變得比現(xiàn)有的內存技術更具競爭力。

　　值得關注的三種關鍵新興內存包括PCRAM、MRAM和ReRAM；可望作為NOR flash和SRAM的替代技術。（來源：Coughlin Associates）

　　不過，Objective Analysis首席分析師Jim Handy指出，200億美元這一數(shù)字雖然聽起來令人印象深刻，但重點在于它囊括了所有的新興內存市場，包括以英特爾(Intel) Optane為主要形式的MRAM和PCRAM產品。他在與Coughlin Associates創(chuàng)辦人Thomas Coughlin的聯(lián)合電話簡報中說：“去年，DRAM達到了生命周期中可能出現(xiàn)的最高水平，但僅不到1,000億美元?！?/p>

　　該報告指出，3D XPoint——基于英特爾Optane形式的PCRAM，由于價格低于DRAM，可望在2029年前成長至160億美元的市場規(guī)模。同時，獨立型MRAM和STT-RAM的收入將接近40億美元，或超過2018年MRAM收入的170倍。ReRAM和MRAM預計將競相取代SoC中的大部份嵌入式NOR和SRAM，并進一步推動收入增加。

　　新興的內存涵蓋廣泛的技術，但Coughlin指出，值得觀察的重點在于MRAM、PCRAM和ReRAM。他補充說，獨立型MRAM組件已經出現(xiàn)一段時間了，但業(yè)界一直存在許多關于代工廠使用專用芯片制造ASIC以及使用非揮發(fā)性方案取代揮發(fā)性內存的討論。因此，“該技術很快將成為最重要的推動力之一。”

　　Handy表示，NOR flash無法微縮到超過28納米(nm)，也使得業(yè)界的關注重點轉移到其他替代技術?！霸谶^去，在嵌入式應用(如MCU或ASIC)中采用新興內存的唯一原因，是因為你需要一些技術特性，但這總免不了增加成本。”因此，新興內存可望取代NOR flash (必須使用較小制程節(jié)點)的前景，引發(fā)人們的高度興趣。

　　在Objective Analysis提出的內存階層結構中，ReRAM等新興內存技術正尋求填補DRAM和NAND之間的空間。

　　Coughlin表示，整體而言，新興內存的經濟效益也在不斷地提升中，因為代工廠并不一定要增加另一個后段制程，而是將其作為現(xiàn)有CMOS處理的一部份，即可隨著產量增加而降低制造成本。他表示如今正是“MRAM的黃金時代”，因為代工廠正在設法使其內建于嵌入式芯片中，加上基于英特爾Optane的PCRAM支持下，它更有機會證明其可在市場放量。同時，ReRAM在人工智能(AI)和機器學習應用方面?zhèn)涫荜P注。甚至混合方案中也采用了FRAM，使其有機會在競爭某些應用中以黑馬之姿脫穎而山。

　　然而，Handy認為現(xiàn)在說誰將勝出還為時過早，盡管新興內存技術的未來前景光明，但他們仍然很難打入一些根深蒂固的技術市場?！凹词菇洕б嬗兴嵘屡d內存也很難顛覆現(xiàn)有市場的主導地位。如果你無法在成本方面勝出，那么無論你比這些根深蒂固的技術擁有再多的技術優(yōu)勢，也并不代表什么。”