Intel在SEMICON West上公布未來應用于Chiplet的幾個黑科技, 大概率又是一個農(nóng)企率先引入然后被牙膏發(fā)揚光大的東西

　　Co-EMIB

　　結(jié)合了EMIB芯片間的Bumps和Foveros芯片3D堆疊技術(shù), 結(jié)果就是以后在出現(xiàn)夸張密度的同時擁有低能耗高帶寬

　　官方視頻可以很好地幫助理解整個流程 https://www.youtube.com/watch?v=NZ8t2zdTo2c

　　ODI (Omni-Directional Interconnect)

　　這項新技術(shù)說白了就是將上面EMIB和Foveros堆疊的概念引入Chiplet和Die內(nèi)部, 有Type 1, Type 2和Type 2特例三種配置方式

　　它能給堆疊上部芯片帶來更充足的供電, 降低芯片和基板之間的延遲, 同時提升帶寬, 目前還屬于研發(fā)階段

　　同樣也有官方視頻 https://www.youtube.com/watch?v=JZt4rqzGuHs

　　MDIO

　　Die/Chiplet之間的協(xié)議接口, 用來取代目前的AIB(Advanced Interface Bus)協(xié)議, Intel聲稱和TSMC上月公布的LIPINCON水平相當

　　下面是2020年可以看到的10nm Chiplets晶圓和芯片實物, 這還只是開始, 人家已經(jīng)開始考慮2030年的設(shè)計了...

　　想象一下2個28C Die+8個HBM Stacks