ISSCC 2020 頂著新冠疫情，于2月16日開(kāi)始在舊金山地下室繼續(xù)召開(kāi)。開(kāi)會(huì)的結(jié)果就是會(huì)議結(jié)束后，舊金山市宣布進(jìn)入面的疫情緊急狀態(tài)。（）雖然今年沒(méi)有去開(kāi)成會(huì)，但是不影響小編的擼文章/Slides進(jìn)程。許多公眾號(hào)都已經(jīng)把今年ISSCC的核心焦點(diǎn)放在Chiplet——這個(gè)說(shuō)新不新，卻再次綻放光芒的設(shè)計(jì)方法——上。小編也在此分享個(gè)人關(guān)于Chiplet對(duì)于集成電路生態(tài)、體系結(jié)構(gòu)、模擬電路影響的一些思考。

　　導(dǎo)讀一：雖然本文有著科普的初心，但是為了節(jié)約篇幅，對(duì)于Chiplet一些基礎(chǔ)知識(shí)大家可參考黃老師的《ISSCC 2020看Chiplet研究現(xiàn)狀》，我們的《ISSCC 2020 觀感：高級(jí)封裝正在成為潮流》，以及唐博士的《從AI Chip到AI Chiplet》，本文不贅述技術(shù)細(xì)節(jié)。

　　導(dǎo)讀二：本文的觀點(diǎn)可能比較科幻，純屬個(gè)人臆測(cè)，大家自行決定是否相信，這里先把結(jié)論羅列出來(lái)（1）Chiplet拐點(diǎn)將帶領(lǐng)集成電路生態(tài)將邁入“打土豪分田地"的新時(shí)期；（2）Chiplet拐點(diǎn)面前，新形態(tài)體系結(jié)構(gòu)形態(tài)的將提倡富含想象力的小而美，并且“去中心化”；（3）Chiplet拐點(diǎn)將誕生一類(lèi)新型態(tài)的富含模擬電路芯片——有源基板，它將終結(jié)低電壓低增益低匹配的先進(jìn)工藝模擬設(shè)計(jì)困局。

　　打土豪，分田地

　　如果用一個(gè)字來(lái)概來(lái)涵蓋單芯片片上系統(tǒng)（Monolithic SoC）方案與芯粒（Chiplet）方案，我會(huì)選天朝人民最耳熟能詳?shù)摹安稹弊?。?jiǎn)而言之，就是把原來(lái)一塊大的單芯片，拆分為多個(gè)小芯片的組和，然后通過(guò)高級(jí)封裝重組。以前我們也把這樣的模式稱(chēng)為System-in-Package，2.5D/3D封裝。2015年，Marvell的老板還把這樣的模式稱(chēng)為芯片界的樂(lè)高——抹茶計(jì)劃（Mochi）。

　　但是SiP早期只是滿(mǎn)足不同工藝間芯片的鏈接，比如CPU/GPU和DRAM的異構(gòu)集成。所以當(dāng)時(shí)Chiplet被提出以后，也就是少數(shù)幾個(gè)學(xué)有余力的學(xué)霸間的花式表演。SoC在過(guò)去的很長(zhǎng)一段時(shí)間，仍然是主流，Chiplet拐點(diǎn)從未真正到來(lái)。

　　然而，世界發(fā)展地太快。AI來(lái)了，貪欲來(lái)了，土豪炫富心態(tài)也來(lái)了。Monolithic SoC芯片在過(guò)去幾年進(jìn)入了“貧窮限制了想象力”的新境界——

　　首先推波助瀾的英偉達(dá)黃教主，收到人工智能的助力，英偉達(dá)的旗艦GPU從100mm2，開(kāi)始指數(shù)級(jí)發(fā)展。去年發(fā)布的Volta架構(gòu)核彈級(jí)GPU——GV100的面積率先突破800mm2大關(guān)，據(jù)說(shuō)今年即將推出的Ampere系列新核彈級(jí)GPU將在7nm工藝達(dá)到826mm2 【瑟瑟發(fā)抖地  】。

　　然后就是那些不要face的初創(chuàng)小妮子們，為了造一個(gè)個(gè)大新聞，變得毫無(wú)”節(jié)止“（此處不帶貶義）—— 其中最有名的當(dāng)推硅谷初創(chuàng) Cerebras Systems的AI芯片，面積達(dá)到了令人發(fā)指的46,225mm2，（你沒(méi)有看錯(cuò)，那是逗號(hào)！）片上SRAM達(dá)到18GB 【我只能說(shuō)你咋不上天呢？】：

　　如此大面積的芯片，有良率么，有意義么？下圖統(tǒng)計(jì)了良率與面積大小的關(guān)系，對(duì)于小于10mm2的芯片而言，monolithic方案和chiplet方案的良率差別很小，但是一旦芯片面積超過(guò)200mm2，monolithic方案的良率會(huì)比chiplet方案低超過(guò)20%?？梢灶A(yù)期，在700-800mm2的面積上，monolithic方案的良率很可能不超過(guò)10%。

　　由此，對(duì)于要商業(yè)化賣(mài)錢(qián)的芯片而言成本問(wèn)題就活生生地體現(xiàn)了。假設(shè)研發(fā)費(fèi)用是相同的，那么可以分?jǐn)傃邪l(fā)一次性費(fèi)用NRE的芯片數(shù)量，chiplet會(huì)比monolithic高3-4倍。如果忽略制造成本，但chiplet方案的成本價(jià)將遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于monolithic方案。

　　AMD公司在ISSCC2020年上就以其多核架構(gòu)為例子，對(duì)比了AMD服務(wù)器級(jí)別設(shè)計(jì)中，采用chiplet方案和monolithicSoC方案的成本，可見(jiàn)芯片越大monlithic方案和的成本比在chiplet高的越多，并且能保持在一倍以上。

　　誠(chéng)然，土豪們與新貴們依舊可以炫富。但是chiplet卻是高性能芯片（組）打開(kāi)市場(chǎng)化，完成生態(tài)的最有效捷徑。

　　正所謂，他強(qiáng)由他強(qiáng)，清風(fēng)拂山崗；他橫由他橫,明月照大江；他自狠來(lái)他自惡,我自一口真氣足?！靶《馈钡膶?zhuān)用芯片們，只要能搭上chiplet高速列車(chē)，終究笑到最后才是王道。

　　去中心化的新架構(gòu)形態(tài)

　　故事講到這里，看官們你或許會(huì)問(wèn)，chiplet是不是只會(huì)給龐然大物帶來(lái)沖擊？小打小鬧的呢？我在過(guò)去的很長(zhǎng)一段時(shí)間，也簡(jiǎn)單的認(rèn)為，chiplet是是巨頭們的樂(lè)高玩具，學(xué)術(shù)界的玩家既玩不起，也沒(méi)啥必要玩。

　　直到今年的ISSCC，當(dāng)頭一棒點(diǎn)醒了我。

　　還用樂(lè)高做例子。樂(lè)高除了有圖紙按圖索驥的標(biāo)準(zhǔn)玩法，還有給出元模塊自定義樂(lè)高的高級(jí)版——Lego MOC (My Own Creations)，每年樂(lè)高官方都會(huì)有Lego MOC的最佳評(píng)比。小編某天還在B站抖音刷到過(guò)一個(gè)用樂(lè)高做的洗丑襪子專(zhuān)用迷你洗衣機(jī)。

　　即便如此，樂(lè)高迷們?nèi)匀徊蛔阋詽M(mǎn)足MoC的需求，此時(shí)，3D打印的普及進(jìn)一步?jīng)_擊了樂(lè)高的世界——用戶(hù)可以自定義元積木的任何形狀，然后打印出來(lái)，以填補(bǔ)官方元間庫(kù)的不足。好事者還用Lego MOC自己打造打一個(gè)3D打印機(jī)的教程。于是，樂(lè)高的世界打開(kāi)了新維度的新大門(mén)~

　　當(dāng)3D打印遇上樂(lè)高M(jìn)OC

　　搭樂(lè)高當(dāng)然有不同的搭法，搭chiplet也一樣。常規(guī)方法就是按照目前高性能計(jì)算體系結(jié)構(gòu)的研究成果，按圖索驥搭出如下類(lèi)SoC的標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)構(gòu)，以主控/多核CPU為核心+并行計(jì)算協(xié)處理器（GPU，AI芯片）+ 堆疊的Memory+IO是常規(guī)操作。（下圖來(lái)自ISSCC 2020 法國(guó)CEA的chiplet paper）

　　與常規(guī)操作相對(duì)應(yīng)的，就是非主流殺馬特了。Chiplet的發(fā)展會(huì)催生非常多目前不存在的芯片形態(tài)，或者大大簡(jiǎn)化某些形態(tài)的芯片進(jìn)入主流平臺(tái)的過(guò)程。

　　在這個(gè)過(guò)程中，“去中心化”或?qū)⒊蔀橐粋€(gè)重要的特點(diǎn)。

　　先來(lái)看AMD的Server級(jí)處理器Chiplet方案——二代EPYC。（這家伙在7nm工藝下耗電280W，據(jù)前方記者報(bào)道，該芯片在ISSCC現(xiàn)場(chǎng)demo用液氮冷卻云山霧罩，遠(yuǎn)觀還以為是炊煙裊裊）

　　AMD的Chiplet方案方案，由其Ryzen系列芯片演化而來(lái)。然而，在逐漸演化的過(guò)程中，系統(tǒng)的核心從CCX高性能計(jì)算核，逐步變成了一顆一存儲(chǔ)和互聯(lián)為主的IOD核。而且AMD還給IOD的互聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，起了一個(gè)“復(fù)仇者聯(lián)盟”式的名字——無(wú)限結(jié)構(gòu)，infinity fabric。

　　而原本在系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用的處理器核心，變成了一個(gè)可以被scaling的元素：2/4/6/8，任意數(shù)量的核心方案都可以定制，要多少買(mǎi)多少，經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。

　　Chiplet的這種新型配置帶來(lái)的主客異位的變化是否會(huì)引發(fā)體系結(jié)構(gòu)的新一輪討論？這種新形態(tài)下的互聯(lián)方式和存儲(chǔ)模式，還有沒(méi)有必要遵從目前主流的片上網(wǎng)絡(luò)/總線的模式？畢竟從物理學(xué)上，其電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已經(jīng)不一樣了。他也應(yīng)該不同于現(xiàn)在繁瑣的PCIe等一鏈接版上原件為主的橋連接方法，畢竟還是夠近，通信間即便需要一些協(xié)議，也應(yīng)該是簡(jiǎn)單的。

　　法國(guó)CEA在ISSCC 2020提出了他們的建議：采用如下的全數(shù)字，全擺幅，極簡(jiǎn)的準(zhǔn)同步握手機(jī)制，完成chiplet間通信。chiplet間通信的延時(shí)采用延時(shí)補(bǔ)償?shù)臋C(jī)制，相比于片內(nèi)SoC的延遲，只提高了1到3倍，根據(jù)距離長(zhǎng)短，完全可估計(jì)。相比于目前的LPDDR之類(lèi)的協(xié)議，無(wú)論在電路復(fù)雜度還是能效上都有顯著提高。

　　在這種特征下，“去中心”化的設(shè)計(jì)理念是保障芯片組間可以靜態(tài)重構(gòu)的重要前提。畢竟很可能Chiplet的主體再也不是擁有譯碼能力的處理器核心，而是一個(gè)并沒(méi)有多少處理能力的片上網(wǎng)絡(luò)。與此同時(shí)，每一個(gè)Chiplet的鍵位上可以放芯片類(lèi)型也將更加不拘一格。除了今年ISSCC提到的微處理器，還可以是如今火爆的存算一體芯片，領(lǐng)域?qū)Ｓ眯酒堑湫虲MOS工藝（ReRAM / MEMS / TFET / ...）的IoT芯片等等，以及更多發(fā)揮想象力的新型芯片。只要你流的起片，去他的超大規(guī)模SoC設(shè)計(jì)驗(yàn)證，小而美的百花齊放才是春天。

　　總之一句，Chiplet拐點(diǎn)到來(lái)后，玩家絕不僅是土豪，去中心化發(fā)展會(huì)讓土豪們面臨各種“特洛伊”陷阱。

　　模擬電路能擺脫scaling down噩夢(mèng)了？

　　不同于AMD，Intel和CEA設(shè)計(jì)chiplet方案時(shí)，還推出了一種全新功能定義的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)chiplet——active interposer，有源基板。

　　早期的Chiplet基板，實(shí)現(xiàn)的功能完成芯片間的互聯(lián)和芯片pin腳到封裝pin腳的扇出功能，取代wire bond方案里面長(zhǎng)長(zhǎng)引線的寄生效應(yīng)，可以簡(jiǎn)單的理解為是密度更高、體積更小的PCB版，也被稱(chēng)為無(wú)源基板, passive interposer。

　　但是，今年ISSCC上法國(guó)CEA提出的有源基板卻令人眼前一亮：

　　有源基板講白了就是一顆工藝節(jié)點(diǎn)大、面積大、能做底盤(pán)的新型芯片，由于是完整的芯片，設(shè)計(jì)師可以自定義這顆芯片的方案。

　　在CEA的方案中，不僅可以用于鏈接，同時(shí)通過(guò)實(shí)現(xiàn)路由功能（router）在基板上完成類(lèi)片上網(wǎng)絡(luò)的互聯(lián)。更驚艷的是，他在基板上實(shí)現(xiàn)了基于開(kāi)關(guān)電容的穩(wěn)壓電源。由于基板工藝的節(jié)點(diǎn)比高性能計(jì)算的節(jié)點(diǎn)大很多、成本低很多，所以，用基板工藝做一些用能量存儲(chǔ)的大容量片上電容一點(diǎn)都不心疼。這時(shí)候也完全不用擔(dān)心先進(jìn)工藝下各種開(kāi)關(guān)的各種非理想（漏電/淺溝槽閾值調(diào)制）等非理想效應(yīng)。

　　過(guò)去十年，模擬電路工程師們被摩爾定律逼的要多慘有多慘。Scaling下先進(jìn)工藝那低于1V的電源電壓，（卻沒(méi)有scaling熱噪聲的幅度，SNR又不允許下降）；越來(lái)越低的輸出阻抗，導(dǎo)致放大器的增益難以為繼；甚至是40nm后開(kāi)始的不可理喻的版圖匹配要求，還有FinFET開(kāi)始的柵極電阻……種種麻煩都在把基于運(yùn)算放大器的傳統(tǒng)模擬電路往絕路上逼。模擬工程師們只能調(diào)轉(zhuǎn)槍頭往Digital PLL / Digial LDO / SAR ADC / Digital PA等不少基于數(shù)字電路的模擬設(shè)計(jì)上走，可總有些電路是要靠放大器的。

　　然而chiplet卻給了讓這一困局新的思路——把適合大工藝節(jié)點(diǎn)的模擬電路放在有源基板上。同時(shí)，還包括那些占面積超大的無(wú)源器件，這個(gè)方法同時(shí)還能將最大程度地提高先進(jìn)工藝的利用效率，把昂貴的工藝花在刀刃上。讓做放大器的模擬工程師遠(yuǎn)離先進(jìn)工藝的噩夢(mèng)，回到亞微米時(shí)代自由發(fā)揮的黃金歲月。

　　下圖是Intel在今年ISSCC 2020的Chiplet 產(chǎn)品——lakefield的Foveros 3D封裝平臺(tái)里提到的如何布局計(jì)算芯片（Compute Die）和基板芯片（Base Die）的策略。高壓（比如高壓串行接口USB/LVDS，用于同步的晶振）、無(wú)源、電源管理、以及對(duì)Scaling Down不敏感的模擬電路，還有各類(lèi)經(jīng)典（溫度等）傳感器統(tǒng)統(tǒng)可放在基板大節(jié)點(diǎn)工藝上。

　　順帶提一句，當(dāng)在選擇不同節(jié)點(diǎn)的基板時(shí)，還能發(fā)揮初異構(gòu)的功耗優(yōu)勢(shì)。比如Intel在選擇基板上用了超低漏電的節(jié)點(diǎn)（22FFL），然后將standby的相關(guān)電路集成到大基板上去，進(jìn)一步優(yōu)化stand功耗。這是傳統(tǒng)SoC不具有的選項(xiàng)。

　　chiplet拐點(diǎn)也讓模擬工程師可以喘口氣，不再被scaling down追著打了。

　　能看到這里的讀者們，你對(duì)Chiplet心動(dòng)了么？如果您有更多comments，歡迎留言。