臺(tái)積電是否會(huì)在3nm工藝上繼續(xù)選擇FinFET，這將影響到整個(gè)行業(yè)先進(jìn)制程的走勢(shì)。

繼三星之后，臺(tái)積電也正式對(duì)外公布了其3nm工藝計(jì)劃。

在剛結(jié)束不久的說(shuō)法會(huì)上，臺(tái)積電宣布，其2020年的開支大約會(huì)在150到160億美元之間，其中80％將投向先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm。其中，關(guān)于3nm工藝的具體情況，臺(tái)積電稱將會(huì)在4月份的發(fā)布會(huì)上公開。

目前，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為3nm工藝決定了未來(lái)半導(dǎo)體新制程的發(fā)展方向，因此半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的巨頭們最終會(huì)在3nm工藝上選擇什么路線，成為業(yè)內(nèi)格外關(guān)注的話題。

此前三星就宣布了3nm工藝計(jì)劃，明確表示會(huì)放棄FinFET晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。具體來(lái)說(shuō)，三星的3nm工藝分為3GAE、3GAP，后者的性能更好，不過(guò)首發(fā)的是第一代GAA晶體管工藝3GAE。

根據(jù)官方說(shuō)法，基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET，多橋－通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能；此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。

在2019年的日本SFF會(huì)議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標(biāo)，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45％，功耗降低50％，性能提升35％。

三星計(jì)劃在2030年前投資1160億美元打造半導(dǎo)體王國(guó)，由于在7nm、5nm節(jié)點(diǎn)上都要落后于臺(tái)積電，所以三星押注3nm節(jié)點(diǎn)，希望在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上超越臺(tái)積電成為第一大晶圓代工廠，因此三星對(duì)3GAE工藝寄予厚望，最快會(huì)在2021年就要量產(chǎn)。

至于臺(tái)積電，在3nm節(jié)點(diǎn)他們也大舉投資，去年宣布斥資195億美元建設(shè)3nm工廠，2020年會(huì)正式開工，不過(guò)技術(shù)細(xì)節(jié)一直沒(méi)有透露，尤其是臺(tái)積電是否會(huì)像三星那樣選擇GAA晶體管還是會(huì)繼續(xù)改進(jìn)FinFET晶體管，這將影響到整個(gè)行業(yè)走勢(shì)。

作者：Lynn