與非網(wǎng) 6 月 4 日訊，美國(guó)太空計(jì)劃創(chuàng)造了歷史，SpaceX DM-2 龍飛船（Crew Dragon）上的 NASA 宇航員羅伯特·本肯（Robert Behnken）和格拉斯·赫利（Douglas Hurley）抵達(dá)國(guó)際空間站（ISS），這是商業(yè)航天器首次將宇航員運(yùn)送到國(guó)際空間站。
國(guó)際空間站是企業(yè)、政府和大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室。一段時(shí)間以來(lái)，國(guó)際空間站的宇航員已在該實(shí)驗(yàn)室為各個(gè)組織進(jìn)行了大量創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)。2019 年 11 月，諾斯羅普·格魯曼公司的天鵝座（Cygnus）飛船從弗吉尼亞州的瓦羅普斯飛行研究所 (Wallops Flight Facility)發(fā)射升空。
航天器攜帶來(lái)自 Astrileux（ 一家為制造 7nm 以下集成電路提供光學(xué)技術(shù)的公司）的有效載荷進(jìn)入國(guó)際空間站。有效載荷是由太空科學(xué)發(fā)展中心（CASIS）和納米機(jī)架合作進(jìn)行的此外，該航天器還載有 20 多種其他有效載荷。
國(guó)際空間站的宇航員利用來(lái)自 Astrileux 的有效載荷，在國(guó)際空間站的外部平臺(tái)上進(jìn)行了光刻實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)圍繞 Astrileux 的新 EUV 光學(xué)鍍膜技術(shù)進(jìn)行，目的是確定是否有可能使用 Astrileux 的 EUV 涂層捕獲太陽(yáng) EUV 輻射。
這些材料構(gòu)成了波長(zhǎng)為 13.5nm 的 EUV 光刻工具的光學(xué)器件和反射鏡的基礎(chǔ)。實(shí)驗(yàn)證明，能用 Astrileux 的 EUV 涂層捕獲太陽(yáng) EUV 輻射。有朝一日，來(lái)自 Astrileux 的材料能夠成為一類新型的太空儀器。它還為未來(lái)基于 EUV 的空間光刻技術(shù)奠定了基礎(chǔ)，該技術(shù)使用太陽(yáng)輻射的能量作為光源。國(guó)際空間站最初于 2000 年投入使用，它是一個(gè)模塊化的太空實(shí)驗(yàn)室，是美國(guó)、俄羅斯、日本、歐洲和加拿大的航空航天機(jī)構(gòu)之間的合作。
很難想象一個(gè)有大型 EUV 設(shè)備的工廠將在國(guó)際空間站甚至在月球或火星上建造。但是在將來(lái)，在太空中發(fā)展小型晶圓廠或微型晶圓廠是可行的。為此，航天器或太空殖民地將需要 3D 打印機(jī)和 fab 工具，以及對(duì)晶片進(jìn)行圖形化（pattern）的光刻技術(shù)。這就是需要與 Astrileux、太空科學(xué)發(fā)展中心以及納米艙（NanoRacks）合作的地方。太空科學(xué)發(fā)展中心是國(guó)際空間站的美國(guó)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（美國(guó)政府資助的實(shí)驗(yàn)室）的管理者。
為了進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，Astrileux 設(shè)計(jì)了有效載荷，并合并到納米艙的立方體衛(wèi)星中。立方體衛(wèi)星包括 Astrileux 有效載荷的內(nèi)部和外部組件。在實(shí)驗(yàn)中，Astrileux 的材料成功地展示了 EUV 的波長(zhǎng)范圍（10nm-20nm）。
Jaiswal 說(shuō)：“ Astrileux 創(chuàng)造了可以在極端輻射環(huán)境中生存的新型 EUV 光學(xué)涂層，并可以有效捕獲 13.5nm 和其他 EUV 波長(zhǎng)的 EUV 輻射。”有朝一日，這些材料也會(huì)有新的應(yīng)用。首先，它可以為能夠捕獲 EUV 輻射的新型空間儀器鋪平道路。
Jaiswal 說(shuō)：“ Astrileux 的新型 EUV 光學(xué)器件為空間探索、太陽(yáng)輻射成像、望遠(yuǎn)鏡、星系統(tǒng)和太空系統(tǒng)中使用的光學(xué)系統(tǒng)的新設(shè)計(jì)奠定了基礎(chǔ)。”
傳統(tǒng)的 EUV 光學(xué)器件可能需要花費(fèi) 100 天以上的時(shí)間來(lái)對(duì)單個(gè)晶片進(jìn)行圖形化，而 Astrileux 的光學(xué)器件最終可以將圖形化時(shí)間減少到不到 10 個(gè)小時(shí)。反過(guò)來(lái)，這使得在空間中的小型社區(qū)中進(jìn)行晶圓圖形化和制造成為可行的概念。
同時(shí)，在地球上，一些鑄造廠已將 EUV 光刻技術(shù)投入 7nm 和 5nm 的生產(chǎn)，并進(jìn)行了 3nm 的研發(fā)。Astrileux 的新型 EUV 涂層也是生產(chǎn)工廠中 EUV 光刻掃描儀的理想選擇。