據(jù)anandtech報(bào)道，在臺(tái)積電的年度技術(shù)研討會(huì)上，他們?cè)敿?xì)介紹了其未來的3nm工藝節(jié)點(diǎn)的特性，并以N5P和N4工藝節(jié)點(diǎn)的形式為5nm后續(xù)產(chǎn)品制定了路線圖。

　　從臺(tái)積電即將推出的N5工藝節(jié)點(diǎn)開始，該節(jié)點(diǎn)代表了其第二代的深紫外線（DUV）和極紫外（EUV）工藝節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)位于很少使用的N7 +節(jié)點(diǎn)之后（例如，麒麟990 SoC使用的節(jié)點(diǎn)）。臺(tái)積電已經(jīng)開始量產(chǎn)了幾個(gè)月，因?yàn)槲覀冾A(yù)計(jì)臺(tái)積電此時(shí)將向客戶出貨硅片，而今年的消費(fèi)類產(chǎn)品也將出貨。蘋果的下一代SoC可能是該節(jié)點(diǎn)的首批候選者。

　　臺(tái)積電（TSMC）詳細(xì)說明，N5目前的缺陷密度僅為N7的四分之一，新節(jié)點(diǎn)的批量生產(chǎn)時(shí)其良品率要高于其先前的主要節(jié)點(diǎn)N7和N10，預(yù)計(jì)缺陷密度應(yīng)該會(huì)繼續(xù)提高。

　　報(bào)道表示，這家全球領(lǐng)先的代工廠正在準(zhǔn)備推出一個(gè)基于當(dāng)前N5工藝的新N5P節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)以5％的速度增益和10％的功耗降低來擴(kuò)展其性能和功率效率。

　　除了N5P之外，臺(tái)積電還引入了N4節(jié)點(diǎn)，它代表了N5工藝的進(jìn)一步發(fā)展，它采用了更多的EUV層來減少掩膜，而芯片設(shè)計(jì)師所需的移植工作卻最少。我們將從2021年第四季度看到N4的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，到2022年晚些時(shí)候開始批量生產(chǎn)。

　　今天最大的新聞是臺(tái)積電披露了他們超越N5工藝節(jié)點(diǎn)一代家族（3nm N3節(jié)點(diǎn)）的下一個(gè)重大飛躍。我們聽說，臺(tái)積電去年以來一直在努力定義節(jié)點(diǎn)，進(jìn)展順利。

　　與三星利用GAA（全柵閘）晶體管結(jié)構(gòu)的3nm工藝節(jié)點(diǎn)相反，臺(tái)積電將堅(jiān)持使用FinFET晶體管并依靠“創(chuàng)新功能”使它們實(shí)現(xiàn)N3承諾的全節(jié)點(diǎn)縮放帶來。

　　與N5節(jié)點(diǎn)相比，N3承諾在相同功率水平下將性能提高10-15％，或在相同晶體管速度下將功率降低25-30％。此外，TSMC承諾將邏輯區(qū)域密度提高1.7倍，這意味著我們將在N5和N3邏輯之間看到0.58倍的縮放比例。這種激進(jìn)的收縮并不能直接轉(zhuǎn)化為所有結(jié)構(gòu)，因?yàn)楣_的SRAM密度僅得到20％的改善，這意味著0.8倍的縮放系數(shù)，而模擬結(jié)構(gòu)在1.1倍的密度下縮放甚至更差。

　　現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)非?？ㄖ豐RAM，其經(jīng)驗(yàn)法則比率為70/30 SRAM與邏輯比率，因此在芯片級(jí)別，預(yù)期的管芯收縮率將僅為？26％或更少。

　　N3計(jì)劃于2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，并于2H22進(jìn)入批量生產(chǎn)。臺(tái)積電在N3上公開的工藝特性在功率和性能上與三星在3GAE上公開的工藝密切相關(guān)，但在密度方面則領(lǐng)先得多。

　　晶圓代工，臺(tái)積Q3市占沖54％

　　根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新調(diào)研結(jié)果顯示，由于年底為歐美消費(fèi)旺季，加上中國十一長假及雙十一促銷活動(dòng)，帶動(dòng)目前下游客戶端拉貨動(dòng)能旺盛，使晶圓代工產(chǎn)能與需求連帶穩(wěn)定提升，預(yù)估第三季全球晶圓代工業(yè)者營收將成長14％。

　　其中，臺(tái)積電以53.9％的市占穩(wěn)坐龍頭寶座，亦是全球唯一在下半年可提供5納米量產(chǎn)的半導(dǎo)體廠。

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電預(yù)估第三季營收年成長率達(dá)21％，營收主力為7納米制程，受惠于5G建設(shè)持續(xù)部署、高效能運(yùn)算（HPC）、和遠(yuǎn)距辦公教學(xué)的中央處理器（CPU）及繪圖處理器（GPU）等強(qiáng)勁需求，產(chǎn)能維持滿載。而5納米制程在第三季開始計(jì)入營收，在全年度臺(tái)積電5納米營收占比以8％為目標(biāo)的情況下，預(yù)計(jì)第三季5納米營收占比將達(dá)16％ 。

　　臺(tái)積電預(yù)期第三季5G智慧型手機(jī)、HPC等強(qiáng)勁需求將推升7納米及5納米產(chǎn)能利用率維持滿載，推升新臺(tái)幣季度營收將介于3,304.0～3,392.5億元，與上季相較成長6.3～9.2％，可望創(chuàng)下季度營收歷史新高。

　　臺(tái)積電亦預(yù)期今年美元營收將較去年成長逾20％并創(chuàng)歷史新高，這個(gè)預(yù)估已將新冠肺炎疫情及美國對(duì)華為新禁令等因素考量進(jìn)去。

　　臺(tái)積電下半年5納米進(jìn)入量產(chǎn)，雖然替海思華為代工的5納米訂單在寬限期結(jié)束后無法再出貨，但蘋果為iPhone 12打造的A14應(yīng)用處理器，以及為新款Macbook打造的Arm架構(gòu)A14X應(yīng)用處理器，均將在下半年采用臺(tái)積電5納米量產(chǎn)。由此來看，臺(tái)積電將是下半年唯一能提供5納米量產(chǎn)的半導(dǎo)體廠。

　　在其它業(yè)者部分，三星晶圓代工今年雖然受到旗艦手機(jī)S20系列銷售下滑影響，使其調(diào)整自家應(yīng)用處理器（AP）的晶圓代工業(yè)務(wù)量，然客戶為止防芯片斷料的庫存儲(chǔ)備心態(tài)，帶動(dòng)其他晶圓代工業(yè)務(wù)成長，推估第三季營收年成長約4％。

　　聯(lián)電因大尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC需求上升，推估8吋晶圓產(chǎn)能吃緊狀況可能持續(xù)到2021年，目前透過調(diào)漲部分代工價(jià)格的策略，將有助于推升其第三季整體營收，與去年同期相較，可望成長23％。

　　力積電晶圓代工業(yè)務(wù)持續(xù)擴(kuò)展，面板驅(qū)動(dòng)IC、整合觸控功能面板驅(qū)動(dòng)IC（TDDI）、CMOS影像感測(cè)器（CIS）、電源管理IC、功率半導(dǎo)體等代工需求增加，透過調(diào)升代工價(jià)格與提高產(chǎn)能利用率，其第三季營收年成長以26％為前十名之冠。

　　世界先進(jìn)因新加坡廠加入營運(yùn)，帶動(dòng)晶圓出貨增加，加上大尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC、電源管理IC需求大幅成長，在8吋產(chǎn)能滿載之下，預(yù)估第三季營收年成長可達(dá)21 ％。

　　擴(kuò)充產(chǎn)能，臺(tái)積電今年買了四間工廠

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電24日再度公告購買南科廠房，將以48.4億元新臺(tái)幣（下文的元也指代新臺(tái)幣）買下彩晶興建中的廠房與附屬設(shè)施。這也是臺(tái)積電今年第四度購買南科一帶公司廠房，先期陸續(xù)買下家登、力特、以及益通南科廠房，累計(jì)已投入約100億元。

　　臺(tái)積電表示此次買廠房及土地目的與先前相同，主要是用于未來擴(kuò)充產(chǎn)能所需。

　　臺(tái)積電向彩晶購買位于臺(tái)南市安定區(qū)安科段8地號(hào)，以及善化區(qū)善科段57地號(hào)的興建中廠房及附屬設(shè)備，建物面積約89,847坪。該廠原是彩晶6代廠預(yù)定地，不過后來彩晶策略轉(zhuǎn)向，該廠未完成，只有基本的維護(hù)并尋求出售。對(duì)彩晶而言，初估扣除原始帳列成本及已提列減損后的處分利益約新臺(tái)幣14.4億元，約可挹注每股盈余0.46元。

　　臺(tái)積電今年以來頻頻出手購買廠房，5月時(shí)向家登購買南科廠房，投入6.6億元。8月更是接連的買廠，12日宣布以36.5億元買下力特南科廠，該廠建坪超過5.4萬坪、占地逾2.2萬坪，廠房位置就在臺(tái)積電南科廠隔壁，而臺(tái)積電先前就承租該廠部分用地，今年直接由租轉(zhuǎn)買。

　　臺(tái)積電8月20日再公告以8.6億元向益通買廠，建物面積約1.3萬坪。24日又再度公告以48.4億元購買彩晶南科廠房。為因應(yīng)擴(kuò)產(chǎn)需求，臺(tái)積電積極在南科買廠，今年合計(jì)投入約100億元。但這相對(duì)于臺(tái)積電今年的資本支出來說，是小巫見大巫。

　　在今年二季度的法說會(huì)上，臺(tái)積電財(cái)務(wù)長黃仁昭表示，因應(yīng)客戶對(duì)先進(jìn)制程的強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電也同步上調(diào)今年資本支出至160-170億元，較原先的金額增加約6%；若與去年資本支出140-150億美元相較之下，今年大幅成長約13-15%。

　　臺(tái)積電5 納米將于下半年量產(chǎn)，貢獻(xiàn)營收，主要客戶平臺(tái)包括5G 手機(jī)、高效能運(yùn)算應(yīng)用，不過，臺(tái)積電小幅下修今年5 納米營收貢獻(xiàn)，由于設(shè)備裝機(jī)進(jìn)度受疫情影響，營收占比將由前次法說預(yù)估的10%、下調(diào)至8-10%。

　　至于3 納米方面，目前進(jìn)度順利，維持先前預(yù)期，2021 年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，目標(biāo)2022 年下半年量產(chǎn)。

　　而根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電南科Fab 18廠已完成第1期至第3期工程，將用于5納米量產(chǎn)，第3期工程將在第四季進(jìn)行裝機(jī)試廠，明年第一季進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電預(yù)計(jì)在Fab 18廠延伸興建第4期至第6期工程，主要用于3納米產(chǎn)能建置，而臺(tái)積電3納米預(yù)期在2021年下半年開始試產(chǎn)，并于2022年上半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　臺(tái)積電已展望2納米技術(shù)研發(fā)，預(yù)期會(huì)持續(xù)采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)。臺(tái)積電原本計(jì)劃在新竹寶山鄉(xiāng)建置2納米研發(fā)及量產(chǎn)晶圓廠，但因土地取得及環(huán)評(píng)等仍需要一段時(shí)間才能完成。設(shè)備業(yè)者認(rèn)為，臺(tái)積電現(xiàn)階段在南科大舉購置的廠房及土地，除了可以延續(xù)3納米后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)所需，也可為未來2納米晶圓廠建置用地預(yù)作準(zhǔn)備。