近日，江蘇蘇州英諾賽科氮化鎵項目傳來新進展。

據(jù)新華網(wǎng)報道，江蘇省重大項目英諾賽科氮化鎵項目已經(jīng)完成了一期廠房建設(shè)及生產(chǎn)設(shè)備搬入，預(yù)計今年11月底實現(xiàn)通線試產(chǎn)，明年4月正式投產(chǎn)。

英諾賽科（蘇州）半導體有限公司副總經(jīng)理王培仁表示，按照規(guī)劃，英諾賽科氮化鎵項目開工兩年內(nèi)將建成8英寸第三代化合物半導體硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)線，投產(chǎn)后三年將實現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標。

資料顯示，英諾賽科氮化鎵項目一期投資超60億元，建成后年產(chǎn)值預(yù)計可突破100億元，該項目主要建設(shè)從器件設(shè)計、驅(qū)動IC設(shè)計開發(fā)、材料制造、器件制備、后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。

英諾賽科總經(jīng)理孫在亨此前表示，項目計劃未來兩到三年內(nèi)滿產(chǎn)后實現(xiàn)月產(chǎn)65000片8英寸硅基氮化鎵。