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月漲幅逾1%,11月利基型DRAM小容量顆粒價格上漲的原因為何?

2020-12-03
來源: 全球半導(dǎo)體觀察
關(guān)鍵詞: DRAM 小容量的顆粒

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處表示,主流specialty DRAM價格在10月回歸持平走勢后,11月仍大致維持平盤開出,然小容量的顆粒(如DDR2、DDR3 1/2/4Gb)在僅有少數(shù)供應(yīng)商能提供的情況下,價格已提早出現(xiàn)上揚的態(tài)勢,其中DDR3 4Gb仍屬最大宗的應(yīng)用。然臺系廠商主導(dǎo)的DDR3 2Gb受兩大韓系廠商減少供應(yīng)影響,其均、高價月漲1%。

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  TrendForce集邦咨詢表示,在specialty DRAM領(lǐng)域,中小型客戶或小容量顆粒需求較高者將率先面臨被漲價。

  首先,如前述所提,DDR3在SK海力士與三星兩大韓系廠商逐漸減少供應(yīng)情況下,已成為臺系廠商華邦電(Winbond)、晶豪科(ESMT)、鈺創(chuàng)(Etron)的主要市場,供給縮減為漲價的要素之一。

  其次,Specialty DRAM終端應(yīng)用需求逐漸回溫,受惠于遠(yuǎn)距辦公與教學(xué)的新生活常態(tài),數(shù)字電視、機頂盒需求不減反增。另5G基礎(chǔ)建設(shè)的落地也帶動Wi-Fi、Router、Modem等網(wǎng)通產(chǎn)品需求暢旺,上述許多應(yīng)用都僅需單顆小容量DRAM產(chǎn)品,故需求上揚為漲價要素之二。

  第三,由于中小型客戶采購量較少,在定價話語權(quán)上本就較不具備優(yōu)勢;加上其多數(shù)采取月合約等短周期的議價區(qū)間,更容易面臨價格變動,因此定位在均、高價的通常會率先拉漲,有別于采取季度合約并有議價優(yōu)勢的大型客戶,其低價仍大致持平。

  最后,僅小容量而非全線上揚原因出在主流server DRAM需求仍疲弱,而server DRAM模組目前仍主要由DDR4 8Gb的顆粒組成,亦連帶壓抑采用DDR4 8Gb為大宗的PC端,及specialty DRAM領(lǐng)域中DDR4 8Gb顆粒的價格表現(xiàn)。

  整體而言,本次DRAM反彈有別于以往由commodity DRAM帶動,反倒出現(xiàn)小容量、小客戶的利基型存儲器價格最先上漲的特殊情況。

  TrendForce集邦咨詢預(yù)期該現(xiàn)象將至少延續(xù)到2021年第一季后,屆時主流云端客戶的拉貨力道上升,將帶動specialty DRAM領(lǐng)域的主流顆粒價格一同走揚。

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