中國上海，2021年2月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向工業(yè)應用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。
為達到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應用對高效緊湊設(shè)備的需求。
應用
?用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
?可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
?工業(yè)電機控制設(shè)備
特性
?漏源額定電壓：VDSS＝3300V
?漏極額定電流：ID＝800A雙通道
?寬通道溫度范圍：Tch＝175℃
?低損耗：
Eon＝250mJ（典型值）
Eoff＝240mJ（典型值）
VDS(on)sense＝1.6V（典型值）
?低雜散電感：Ls＝12nH（典型值）
?高功率密度的小型iXPLV封裝
主要規(guī)格
（除非另有說明，@Tc＝25℃）
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