據(jù)彭博社報道，ASML 首席執(zhí)行官Peter Wennink日前表示，對華出口管制不僅不能停止其技術(shù)進步，而且還會損害美國經(jīng)濟。此前，華盛頓和北京之間的貿(mào)易緊張局勢導致該荷蘭公司的先進芯片設備在中國的銷售受到限制。

　　Wennink在周三的在線行業(yè)活動中說：“我相信，如果您確定存在經(jīng)濟風險，那么出口管制將不是管理經(jīng)濟風險的正確方法，他進一步指出，如果您讓中國無法獲得技術(shù)，這也將使非中國經(jīng)濟體失去大量工作和大量收入。

　　Wennink說，由于缺乏外國技術(shù)，中國需要很長時間才能建造自己的半導體設備和技術(shù)，但這個決定帶來的結(jié)果是最終非中國公司將被排除在全球最大的芯片市場之一之外。

　　據(jù)美國商務部估計，如果美國與中國在半導體業(yè)務上的業(yè)務被完全切斷，則會影響美國粵800億至1,000億美元的銷售并造成125,000個工作崗位的丟失。

　　ASML是制造尖端芯片所需的先進的極紫外光刻設備的壟斷者，它是三星電子公司和臺灣半導體制造公司的重要供應商，按照他們的計劃，他們本來想大舉進軍中國，而北京方面希望建立一個世界一流的本土芯片產(chǎn)業(yè)，以擺脫國外進口的依賴。要達成這項成就，將需要ASML的一種EUV機器。然而，由于持續(xù)的貿(mào)易緊張局勢，該公司在讓荷蘭政府續(xù)簽向中國出口該系統(tǒng)的許可證方面面臨困難。

　　Wennink在一月份表示，ASML尚未將其最新的EUV機器運往中國，因為仍在尋求荷蘭政府的出口許可證申請，并補充說荷蘭，歐洲和美國政府之間一直在進行談判。

　　ASML分享光刻機最新路線圖，1.5nm指日可待

　　在2月舉行的SPIE高級光刻會議上，ASML（ASML.US）展示了有關(guān)其深紫外線（DUV）和極紫外線（EUV）曝光系統(tǒng)的最新信息。筆者最近采訪了ASML的Mike Lercel，就這些演示文稿進行了深入討論。

　　深紫外

　　盡管EUV得到了所有關(guān)注，但大多數(shù)層仍仍然使用DUV系統(tǒng)曝光，在可預見的將來，這可能仍然適用。

　　ASML已生產(chǎn)了兩個DUV平臺，即用于干式曝光工具的XT平臺和用于浸沒的NXT平臺。NXT是更快，更復雜的平臺。

　　對于領先的沉浸式技術(shù)，ASML推出了面向ArF浸入（ArFi）的第四代NXT平臺——NXT：2050i。新系統(tǒng)具有新的晶圓處理機（wafer handler），晶圓載物臺（wafer stage），標線片載物臺（reticle stage），投影透鏡（projection lens），激光脈沖展寬器（laser pulse stretcher）和浸沒罩（immersion hood）。這樣就可以更快地進行硅片對硅片的排序，更快的測量，防護膜偏斜校正（pellicle deflection ）以及具有改善覆蓋率的改善斑點。新系統(tǒng)的吞吐量為每小時295個晶圓（wph）。較長期的計劃是建立一個330 wph的系統(tǒng)（見圖1）。

　　ASML現(xiàn)在正在采用NXT平臺，并在第一臺面向ArF Dry的NXT：1470系統(tǒng)上移植干鏡，該系統(tǒng)提供300wph（比NXT：20250i快一點，因為它沒有沉浸開銷）。NXT：1470的300 wph吞吐量高于XT：1460K的約200 wph的吞吐量。將來，NXT：1470的吞吐能力將進一步提高到330 wph（見圖1）。還計劃以330 wph的速度將KrF干鏡移植到NXT平臺上（見圖1）。

　　EUV（0.33NA）

　　隨著三星和臺積電在7nm和5nm邏輯生產(chǎn)以及三星在1z DRAM生產(chǎn)中加大對標準0.33數(shù)值孔徑（NA）系統(tǒng)的使用，EUV曝光的晶圓數(shù)量正在迅速增長（見圖2）。

　　NXE：3400C系統(tǒng)自2019年底推出以來一直在發(fā)貨，而新的NXE：3600D應該在今年晚些時候開始發(fā)貨。每個新系統(tǒng)都提供了改進的吞吐量和覆蓋。

　　圖3給出了將在下一部分討論的0.33 NA和High-NA 0.55NA系統(tǒng)的摘要。

　　1.第一列列出了從NXE3400B系統(tǒng)（最初的生產(chǎn)系統(tǒng)）開始的過去，現(xiàn)在和將來的系統(tǒng)。

　　2.第二列提供每個系統(tǒng)的引入日期。值得注意的是，新的NXE：3600D應該在今年晚些時候以更高的性能交付，而第一批高NA系統(tǒng)應該在2022年晚些時候交付。

　　3.第三列給出了系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，其中0.33NA代表當前系統(tǒng)，而0.55NA代表正在開發(fā)的高NA系統(tǒng)。

　　4.接下來的兩列顯示了ASML證明的20mJ / cm 2和30mJ / cm 2劑量的通量。這些吞吐量基于更典型的DRAM應用中每個硅片的96 field。

　　5.發(fā)貨的系統(tǒng)數(shù)量是IC Knowledge對2020年第4季度按類型發(fā)貨的NXE：3400B和NXE：3400C系統(tǒng)數(shù)量的估計，ASML不提供這個。

　　6.下一欄是NXE：3400B當前的可用性約85％，NXE：3400C當前的可用性約90％。3400C具有新的模塊化容器，可減少停機時間。長期ASML的長期目標是使其達到DUV系統(tǒng)典型的95％可用性。

　　7.最后一欄介紹了有關(guān)系統(tǒng)和用法的一些注釋。我們認為7nm邏輯生產(chǎn)主要在3400B上進行，而5nm在3400C上進行。我們預計即將在未來一到兩年內(nèi)投入生產(chǎn)的3nm工藝將主要在3600D系統(tǒng)上生產(chǎn)。

　　密集圖案EUV的關(guān)鍵推動因素是Pellicles的可用性，現(xiàn)在有可用Pellicles可用。Pellicles的使用會降低生產(chǎn)量，是否使用Pellicles取決于你所打印的圖案密度。圖4顯示了EUV Pellicles透射的狀態(tài)。

　　當前在生產(chǎn)中使用了一些Pellicles。

　　High-NA EUV（0.55NA）

　　High-NA現(xiàn)在已經(jīng)從PowerPoint幻燈片發(fā)展到工程設計，再到構(gòu)建模塊和框架。預計首批High-NA工具（0.55NA）將于2022年下半年交付。這些EXE：5000系統(tǒng)可能與EXE：5200系統(tǒng)一起用于研發(fā)，原因是EXE：5200系統(tǒng)將于2025/2026年成為第一批High-NA生產(chǎn)系統(tǒng)。（見圖3）。

　　當前的0.33NA系統(tǒng)一次曝光即可打印到大約30nm的間距?，F(xiàn)在正在進行工作以一次曝光來演示28nm以及最終26nm的線條和空間。臺積電目前正在生產(chǎn)的5nm工藝的M0間距為28nm，我們認為這一層在當前生產(chǎn)中可能是雙圖案的EUV，而其余使用EUV的層則是單圖案。對于將于今年晚些時候開始出現(xiàn)風險試產(chǎn)的的臺積電3nm工藝，我們預計將有幾個EUV雙圖案金屬層。目前估計0.55NA系統(tǒng)進入生產(chǎn)的時間大約在2025/2026時間范圍內(nèi)，我們可能會看到2nm的代工廠和Intel的5nm工藝正在生產(chǎn)，然后再進行廣泛的EUV雙重打樣。055NA EUV可能會首先出現(xiàn)在晶圓廠的生產(chǎn)中。

　　圖5展示了高NA EUV的技術(shù)價值。

　　與0.33NA EUV相比，0.55NA EUV的另一個值是較高的對比度，這就讓他們可以以低得多的劑量打印出密集的特征，從而提高了通量（圖3是特定劑量的通量，不考慮降低劑量）。圖6展示了0.55NA的優(yōu)勢。

　　還正在進行改進的EUV掩模吸收層的工作，以提高對比度和分辨率，請參見圖7，并要改進光刻膠，請參見圖8。

　　當前，他們正在制造用于高NA工具的模塊和框架。

　　ASML繼續(xù)在其整個DUV和EUV系統(tǒng)產(chǎn)品組合中提高吞吐量和分辨率。隨著高NA系統(tǒng)制造的進行，通往1.5nm邏輯及更高工藝的道路正在醞釀之中。