中國，2021年4月14日——意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換應用的設計。

作為意法半導體MasterGaN系列的最新產(chǎn)品，MasterGaN4解決了復雜的柵極控制和電路布局難題，簡化了寬帶隙GaN功率半導體的應用設計。MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。

GaN晶體管開關性能出色，工作頻率更高，能效更高，散熱發(fā)熱更少，設計人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器，設計更小、更輕的電源、充電器和適配器。MasterGaN4非常適用于對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲，例如，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。

4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現(xiàn)有電源軌。內(nèi)置保護功能包括柵極驅(qū)動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護，可進一步簡化應用設計。還有一個專用的關斷引腳。

作為這次產(chǎn)品發(fā)布的一部分，意法半導體還推出一個MasterGaN4原型開發(fā)板(EVALMASTERGAN4)。這塊評估板提供使用單一或互補信號驅(qū)動MasterGaN4的全部功能，以及一個可調(diào)的死區(qū)時間發(fā)生器。用戶可以靈活地施加一個單獨輸入信號或PWM信號，插入一個外部自舉二極管，隔離邏輯器件和柵極驅(qū)動器電源軌，以及使用一個低邊電流采樣電阻設計峰值電流模式拓撲。

MasterGaN4現(xiàn)已投產(chǎn)，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應用中的使用安全。