三菱電機(jī)于11 月 9 日舉行了功率器件業(yè)務(wù)的業(yè)務(wù)說(shuō)明會(huì)，并宣布將在未來(lái)五年內(nèi)向功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資 1300 億日元，直至 2025 年。該公司計(jì)劃在廣島縣福山市新建一條 12 英寸晶圓生產(chǎn)線，并計(jì)劃到 2025 年將其產(chǎn)能比 2020 年翻一番。

根據(jù)官方消息披露，三菱電機(jī)目前正在福山工廠建設(shè) 8 英寸和 12 英寸生產(chǎn)線。8英寸生產(chǎn)線將于2021年11月開(kāi)始試運(yùn)行，并計(jì)劃于2022年春季開(kāi)始量產(chǎn)。12英寸線的量產(chǎn)目標(biāo)是2024年。

三菱電機(jī)表示，新的12英寸生產(chǎn)線具有通過(guò)增加硅片直徑和通過(guò)自動(dòng)化提高生產(chǎn)力的優(yōu)勢(shì)，以及通過(guò)在內(nèi)部增加載流子存儲(chǔ)層實(shí)現(xiàn)低損耗的獨(dú)特“CSTBT cell結(jié)構(gòu)”晶圓。通過(guò)這種改進(jìn)，三菱電機(jī)希望能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗和提高生產(chǎn)率，三菱電機(jī)也將把它應(yīng)用到 RC-IGBT 上，以實(shí)現(xiàn)其產(chǎn)品的差異化，而汽車領(lǐng)域和消費(fèi)領(lǐng)域?qū)⑹枪具@些產(chǎn)品的首個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)。

此外，據(jù)日媒報(bào)導(dǎo)，關(guān)于使用碳化硅（SIC）的次世代功率半導(dǎo)體，三菱電機(jī)常務(wù)執(zhí)行董事齋藤讓于9日舉行的事業(yè)說(shuō)明會(huì)上表示，在熊本工廠擁有充足產(chǎn)能、今后將視汽車業(yè)界動(dòng)向來(lái)評(píng)估是否進(jìn)行追加投資。