近日，英特爾再次曝光了其Intel 4 EUV工藝的最新進展。根據(jù)官方放出的48秒視頻展示了基于該工藝生產的晶圓的測試過程，最后的測試結果顯示，整個晶圓上的芯片幾乎通過了所有測試，內部的SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規(guī)范，芯片性能較優(yōu)。這也意味著Intel 4工藝進展順利，良率已經(jīng)達到了較高的水平。
在今年10月底，英特爾發(fā)布了12代酷睿，該芯片不僅采用了全新的“大小核”架構，制程工藝也升級到了Intel 7（之前的10nm SuperFin工藝，相當于臺積電7nm工藝）。根據(jù)英特爾的規(guī)劃，預計將會在明年下半年量產全新的Intel 4工藝。
根據(jù)英特爾之前公布的信息顯示，與Intel 7相比，Intel 4的每瓦性能提高了約20% ，同時它也將是首個完全采用EUV光刻技術的英特爾FinFET節(jié)點。此前臺積電的7nm EUV工藝也只是少部分環(huán)節(jié)采用了EUV工藝。
目前，Intel沒有公布這個晶圓的具體情況，不過結合之前的信息來看，這個測試的晶圓應該是14代酷睿Meteor Lake，已經(jīng)在今年第二季度完成計算單元的流片，現(xiàn)在測試結果較為合理。
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