6月20日消息，據(jù)Tom's hard ware報道，當(dāng)?shù)貢r間周三，處理器大廠英特爾宣布其 3nm 級制程工藝技術(shù)“Intel 3”已在兩個工廠投入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新的制程節(jié)點更多細(xì)節(jié)信息。

據(jù)介紹，Intel 3 帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持 1.2V 電壓，相比Intel 4 帶來了18%的性能提升，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點面向英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來幾年內(nèi)還將會推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多個演進(jìn)版本。

英特爾代工技術(shù)開發(fā)副總裁 Walid Hafez 表示：“我們基于Intel 3 制程的處理器正在美國俄勒岡州工廠和愛爾蘭工廠進(jìn)行大批量生產(chǎn)，其中就包括最近推出的面向服務(wù)器的Xeon 6 ‘Sierra Forest’和‘Granite Rapids’處理器?！?/p>

英特爾一直將其Intel 3 制程工藝定位于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，這些應(yīng)用需要通過改進(jìn)的晶體管（與Intel 4 相比）、具有降低的晶體管通孔電阻的供電電路以及設(shè)計協(xié)同優(yōu)化來實現(xiàn)尖端性能。該工藝節(jié)點支持 <0.6V 低壓、以及 >1.3V 高壓以實現(xiàn)最大負(fù)載。

在性能方面，英特爾承諾，與Intel 4 相比，Intel 3將在相同功率和晶體管密度下實現(xiàn) 18% 的性能提升，這個提升幅度已經(jīng)是比較大了。要知道臺積電N3制程相比N3也只提升了15%左右。

雖然Intel 3的Contacted Poly Pitch（接觸孔的多晶硅柵極間距）、Fin Pitch、M0間距參數(shù)基本一致，芯片設(shè)計人員針對Intel 3 使用了 240nm 高性能和 210nm 高密度庫的組合，另外M2間距和M4間距均減少了2nm，從而提升了整體的密度和性能。

此外，英特爾客戶可以在三種金屬堆棧之間進(jìn)行選擇：14 層（成本優(yōu)化）、18 層（性能和成本之間的最佳平衡）以及 21 層（性能更高）。

目前，英特爾將使用其 3nm 級工藝技術(shù)來制造其 Xeon 6 處理器數(shù)據(jù)中心處理器。最終，英特爾代工廠也將利用該生產(chǎn)節(jié)點為其它客戶制造數(shù)據(jù)中心級一類的高性能處理器。

另外，正如前面所指出的，除了基礎(chǔ)版的Intel 3制程，英特爾還將提供支持硅通孔并可用作基礎(chǔ)芯片的Intel 3-T。后續(xù)英特爾還將為芯片組和存儲應(yīng)用提供功能增強型Intel 3-E，以及性能增強型Intel 3-PT，增加9um間距TSV和混合鍵合，可以用于各種工作負(fù)載，例如 AI/HPC 和通用計算。