據(jù)外媒報(bào)道指美國(guó)已開(kāi)始關(guān)注中國(guó)剛剛崛起的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)，甚至還點(diǎn)名了長(zhǎng)江存儲(chǔ)，意圖限制歐美設(shè)備商為這些中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)供應(yīng)芯片生產(chǎn)設(shè)備；與此同時(shí)美國(guó)方面已推出了芯片補(bǔ)貼計(jì)劃，給美國(guó)的芯片提供數(shù)百億美元的補(bǔ)貼，如此蠻橫的態(tài)度無(wú)疑是希望提升美國(guó)芯片的競(jìng)爭(zhēng)，然而筆者認(rèn)為美國(guó)的做法無(wú)助于美國(guó)芯片的發(fā)展。

一、美國(guó)芯片不思進(jìn)取

美國(guó)芯片的競(jìng)爭(zhēng)力日益被削弱的主要原因在于美國(guó)芯片自身，近10多年美國(guó)芯片已有點(diǎn)不思進(jìn)取，其中又以美國(guó)芯片龍頭Intel表現(xiàn)最為明顯。Intel執(zhí)全球芯片行業(yè)牛耳已有20多年時(shí)間，然而近幾年它在營(yíng)收方面不時(shí)被三星超越，在技術(shù)方面則被AMD和臺(tái)積電趕超。

三星趕超Intel在于存儲(chǔ)芯片行業(yè)的興起，近幾年存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，作為全球NAND flash和DRAM龍頭的三星由此取得了營(yíng)收的快速增長(zhǎng)，隨著存儲(chǔ)芯片行業(yè)的興起，近幾年Intel又再次轉(zhuǎn)身進(jìn)入存儲(chǔ)芯片行業(yè)，也曾取得不小的市場(chǎng)份額，但是今年初Intel已決定將存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)賣給SK海力士，由此退出存儲(chǔ)芯片行業(yè)。

Intel的主要業(yè)務(wù)則是PC處理器和服務(wù)器芯片，Intel和AMD都采用X86架構(gòu)，不過(guò)Intel的處理器研發(fā)卻一直被詬病擠牙膏，AMD則以Zen架構(gòu)異軍突起；臺(tái)積電也幫了AMD大忙，從10nm工藝以來(lái)，臺(tái)積電就已在工藝制程方面領(lǐng)先于Intel，而AMD的處理器正是交給臺(tái)積電代工，兩者合力下推動(dòng)AMD在桌面處理器擊敗Intel，在服務(wù)器芯片市場(chǎng)也已取得一成多市場(chǎng)份額，Intel在服務(wù)器芯片市場(chǎng)則首次跌穿九成。

Intel可謂美國(guó)芯片不思進(jìn)取的代表，Intel自身并不缺錢，在2016年之前它的凈利潤(rùn)高于臺(tái)積電，營(yíng)收也比臺(tái)積電多近200億美元，而AMD更是持續(xù)虧損，在錢足夠多的情況下，Intel在芯片架構(gòu)和工藝研發(fā)方面都先后被AMD和臺(tái)積電超越。

美國(guó)的其他芯片企業(yè)也與Intel類似，在利潤(rùn)豐厚的情況下卻不舍得投入，導(dǎo)致如今在諸多芯片行業(yè)逐漸落后，乃至被亞洲地區(qū)的芯片企業(yè)超越，這才是美國(guó)芯片競(jìng)爭(zhēng)力下滑的主要原因。

二、美國(guó)的做法無(wú)助美國(guó)芯片提升競(jìng)爭(zhēng)力

為了扶持美國(guó)芯片，美國(guó)如今一方面是對(duì)中國(guó)芯片采取行動(dòng)，一方面是提出了數(shù)百億美元芯片補(bǔ)貼計(jì)劃，這些舉措其實(shí)起到了反作用。

由于美國(guó)的做法，近幾年來(lái)中國(guó)大舉發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)，由此中國(guó)的芯片產(chǎn)能迅速?gòu)娜蚯拔逯馓嵘寥缃竦娜虻谌?，并且中?guó)的芯片制造產(chǎn)能還在快速上升，工藝研發(fā)也在加快推進(jìn)，正在縮短與中國(guó)大陸以外的芯片企業(yè)的差距。

在芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)，由于美國(guó)芯片被限制向華為供應(yīng)5G射頻芯片，由此中國(guó)的射頻芯片企業(yè)看到了機(jī)會(huì)，富滿微、卓勝微等都已研發(fā)出國(guó)產(chǎn)的5G射頻芯片，成功打破了空白，相比起射頻芯片，影響更大的存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展更快。

幾年前中國(guó)才開(kāi)始發(fā)展存儲(chǔ)芯片，當(dāng)時(shí)全球已發(fā)展96層NAND flash存儲(chǔ)芯片，而中國(guó)研發(fā)的還是落后的32層NAND flash，但是3年時(shí)間過(guò)去，中國(guó)已研發(fā)出128層NAND flash存儲(chǔ)芯片，達(dá)到全球主流水平，如今192層NAND flash存儲(chǔ)芯片技術(shù)已研發(fā)成功并正推進(jìn)量產(chǎn)，可望達(dá)到世界領(lǐng)先水平。

在中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的努力下，它們當(dāng)前正在推進(jìn)二期工程，二期工程可望推動(dòng)中國(guó)的NAND flash和DRAM的產(chǎn)能再增加兩倍，如此中國(guó)可望成為繼韓國(guó)、美國(guó)、日本之后的第四大存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)國(guó)。

如此情況下，美國(guó)芯片企業(yè)卻依然沉浸在以往的厚利中躺著賺錢而不愿意持續(xù)創(chuàng)新保持領(lǐng)先技術(shù)優(yōu)勢(shì)，美國(guó)提出的芯片補(bǔ)貼計(jì)劃只不過(guò)是讓這些美國(guó)芯片企業(yè)額外得到更多利潤(rùn)，有了更豐厚的利潤(rùn)，它們沒(méi)有感受到生存危機(jī)自然更不會(huì)努力創(chuàng)新。

由此形成了鮮明對(duì)比，在美國(guó)的做法下，中國(guó)制造認(rèn)識(shí)到了芯片的重要性而竭力推進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，具有強(qiáng)大的發(fā)展動(dòng)力；美國(guó)芯片企業(yè)本就過(guò)得太舒服，美國(guó)的補(bǔ)貼讓他們可以更舒服地躺著過(guò)日子，自然更不思進(jìn)取，所以美國(guó)的做法可謂進(jìn)一步將美國(guó)芯片培養(yǎng)成阿斗，而激發(fā)中國(guó)芯片奮斗，這應(yīng)該是它所沒(méi)有預(yù)料到的。

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