美國商務(wù)部周五發(fā)布一項臨時最終規(guī)定，對設(shè)計GAAFET（全柵場效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路所必須的ECAD(EDA)軟件；兩種超寬帶隙半導(dǎo)體襯底：金剛石和氧化鎵；燃?xì)鉁u輪發(fā)動機使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項技術(shù)實施新的出口管制。并稱這些技術(shù)對其國家安全至關(guān)重要。生效日期為 2022 年 8 月 15 日。

GAAFET晶體管技術(shù)是相對于FinFET晶體管更先進(jìn)的技術(shù)，F(xiàn)inFET技術(shù)最多能做到3nm，而GAAFET可以實現(xiàn)3nm及以下制程。氧化鎵(Ga2O3）、金剛石則是被普遍關(guān)注的第四代半導(dǎo)體材料。

此次對GAAFET EDA軟件的管制可以認(rèn)為是對3nm以下制程所用EDA工具軟件的管制。

這四項技術(shù)是 42 個參與國在2021年12月會議上達(dá)成共識控制的項目之一。美國的出口管制涵蓋了比國際協(xié)議更廣泛的技術(shù)，包括用于生產(chǎn)半導(dǎo)體的額外設(shè)備、軟件和技術(shù)。

美國商務(wù)部表示，此舉涵蓋的“新興和基礎(chǔ)技術(shù)”包括氧化鎵和金剛石，因為“使用這些材料的設(shè)備顯著增加了軍事潛力”。

另外，美國商務(wù)部工業(yè)和安全部副部長Alan Estevez表示：“允許半導(dǎo)體和發(fā)動機等技術(shù)更快、更高效、更長時間和更惡劣條件下運行的技術(shù)進(jìn)步可能會改變商業(yè)和軍事領(lǐng)域的游戲規(guī)則?！?/p>

以下是四項被禁技術(shù)的進(jìn)一步解釋：

氧化鎵和金剛石是允許半導(dǎo)體使用它們的材料在更惡劣的條件下工作，例如在更高的電壓或更高的條件下工作溫度。使用這些材料的設(shè)備顯著增加了軍用潛力。

ECAD 是一類軟件工具（更多的被稱為EDA軟件），用于設(shè)計、分析、優(yōu)化和驗證集成電路或印刷電路板的性能。電子計算機輔助設(shè)計軟件被用于軍事和航空航天防御的各種應(yīng)用中用于設(shè)計復(fù)雜集成電路的行業(yè)。GAAFET技術(shù)方法是擴展到 3 納米及以下技術(shù)節(jié)點的關(guān)鍵。GAAFET技術(shù)實現(xiàn)更快、更節(jié)能、更耐輻射的集成電路，推進(jìn)許多商業(yè)和軍事應(yīng)用，包括國防和通信衛(wèi)星。由于現(xiàn)代半導(dǎo)體芯片可以包含數(shù)十億個組件，因此 EDA 工具對其設(shè)計至關(guān)重要；

PGC 技術(shù)在陸地和航空航天應(yīng)用方面具有廣泛的潛力，包括火箭和高超音速系統(tǒng)。BIS 增加了對開發(fā)和未在美國軍需品清單上描述的燃燒器的生產(chǎn)技術(shù)。

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