放大器是一種電子設(shè)備，用于增強(qiáng)輸入信號的幅度，它是唱片播放器或CD播放器等音頻源以及均衡器、前置放大器和揚聲器等其他設(shè)備的重要組成部分。放大器的子類別是MOSFET放大器，它使用MOSFET技術(shù)以更少的功率處理數(shù)字信號。目前，MOSFET放大器是全球99%的微芯片的設(shè)計選擇。

　　MOSFET放大器由Dawon Kahng和Mohamed Atalla于1959 年發(fā)明和制造，并于1960年初在賓夕法尼亞州匹茲堡的“卡內(nèi)基梅隆大學(xué)”舉行的固態(tài)器件會議上將其作為“硅-二氧化硅場感應(yīng)表面器件”推出。

　　MOSFET放大器概念

　　使用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 技術(shù)的放大器稱為MOSFET放大器。MOSFET也稱為MOS（金屬氧化物硅）晶體管，是一種絕緣柵場效應(yīng)晶體管，所以這個晶體管是通過硅材料制造的。

　　MOSFET放大器是最常用的FET放大器，用于放大目的的場效應(yīng)晶體管主要優(yōu)點是具有較小的o/p阻抗和最大的i/p阻抗。

　　MOSFET放大器電路及工作原理

　　MOSFET放大器簡單電路圖如下圖所示，在該電路中，漏極電壓 （VD）、漏極電流 （ID）、柵源電壓 （VGS） 以及柵極、源極和漏極的位置通過字母“G”、“S”和“ D”。

　　通常情況下，MOSFET在線性/歐姆、截止以及飽和三個區(qū)域工作。在這三個區(qū)域中，當(dāng)MOSFET用作放大器時，它們應(yīng)該工作在歐姆區(qū)域，當(dāng)施加的電壓增加時，流經(jīng)器件的電流會增加。

　　MOSFET可在許多應(yīng)用中用作小信號線性放大器。通常，在放大器電路中，場效應(yīng)晶體管工作在飽和區(qū)。因此，在該區(qū)域中，電流的流動不取決于漏極電壓 （VD）。簡單來說，電流是柵極電壓 （VG） 的主要函數(shù)。在這些放大器中，通常工作點在飽和區(qū)域內(nèi)。

　　在MOSFET放大器中，柵極電壓的微小變化將在漏極電流中產(chǎn)生很大的變化，就像在JFET中一樣。因此，MOSFET會增加微弱信號的強(qiáng)度，所以它可以充當(dāng)放大器。

　　MOSFET放大器工作過程

　　通過將源極、漏極、負(fù)載電阻和耦合電容連接到上述電路，可以設(shè)計一個完整的MOSFET放大器電路，MOSFET放大器的偏置電路如下所示：

　　上述偏置電路包括分壓器，其主要作用是對晶體管進(jìn)行單向偏置。因此，這是晶體管中最常用的偏置方法。它使用兩個電阻器來確認(rèn)電壓是否分離并以正確的電平分配到MOSFET中。它是通過兩個R1和R2并聯(lián)電阻實現(xiàn)的。電路中的C1和C2耦合電容器保護(hù)偏置直流電壓免受要放大的交流信號的影響。最后，將輸出提供給由RL電阻形成的負(fù)載。偏置或柵極電壓可以由下式給出：

　　VG = Vsupply x （R2/R1+R2）

　　其中，R1和R2的值通常會很大，以增強(qiáng)放大器的輸入阻抗并降低歐姆功率損耗。

　　輸入和輸出電壓（Vin和Vout）

　　為了簡單起見，需要考慮沒有負(fù)載與漏極分支并聯(lián)。輸入電壓 （Vin） 可以通過柵極 （G） 提供給源 （S） 電壓，即VGS。RS電阻上的電壓降可由RS×ID給出。

　　根據(jù)跨導(dǎo) （gm） 定義，當(dāng)施加恒定的漏源電壓時，ID（漏極電流）與 VGS（柵源電壓）的比值，即：

　?。╣m） = ID/VGS

　　因此，ID = gm×VGS，并且輸入電壓 （Vin） 可以由 VGS 分解，如下所示：

　　Vin = V GS x （1+gmRs）

　　o/p電壓 （Vout） 簡單地通過漏極電阻 （RD） 上的電壓降給出：

　　Vout = – RD x ID = -gmVGS RD

　　此外，電壓增益 （AV） 是輸入電壓與輸出電壓的比值。簡化后，方程將變?yōu)椋?/p>

　　Av = – RD/Rs=1/gm

　　在上述等式中，符號“-”來自MOSFET放大器與BJT CE放大器等效地反轉(zhuǎn)o/p信號這一原理。因此，相移為180°或π rad。

　　MOSFET放大器的類型

　　MOSFET放大器有共源極 （CS）、共柵極 （CG） 和共漏極 （CD） 三種類型，下面分別討論每種類型及其配置。

　　1、共源MOSFET放大器

　　共源放大器可以定義為當(dāng) i/p信號在柵極 （G） 和源 （S） 的兩端給出時，o/p電壓可以通過漏極內(nèi)負(fù)載處的電阻器放大和獲得。在此配置中，源端子充當(dāng)i/p和o/p之間的公共端子。

　　共源MOSFET放大器與BJT的CE（common-emitter）放大器有關(guān)。由于高增益和可以實現(xiàn)更大的信號放大，這非常受歡迎。

　　在以下小信號共源MOSFET放大器中，“RD”電阻測量漏極 （D） 和接地 （G） 之間的電阻。這個小信號電路可以用下圖所示的混合π模型代替。因此，在o/p端口內(nèi)感應(yīng)的電流為i = -g m v gs，也就是通過電流源指定的那樣。

　　所以，vo = -g m v gs R D，通過觀察可以發(fā)現(xiàn)：

　　Rin = ∞， vi = v sig , v gs = v i，所以開路電壓增益為：

　　A vo = vo/vi = -g m R D

　　在小信號電路中，可以通過諾頓或戴維南等價來改變電路中的輸出分?jǐn)?shù)。在這種情況下，使用諾頓等式更方便。為了驗證諾頓等效電阻，設(shè)置 vi = 0，這樣電路將是開路，因此沒有電流流動。通過測試電流技術(shù)，得知o/p電阻為：

　　R 0 = R D

　　負(fù)載電阻（RL）通過RD連接到o/p，則通過分壓器公式的端電壓增益可以表示為；

　　Av = Avo （R L /R L + Ro） = -gm （R D R L /R L + R D ） = -gm（R D ||RL）

　　根據(jù) Rin =∞的信息，之后 vi = vsig。因此，電壓增益 （Gv） 與電壓增益準(zhǔn)確度 （Av） 相似，即：Gv = v o /v sig = -gm（R D || R L ）

　　因此，共源MOSFET放大器具有無限 i/p阻抗、高o/p電阻和高電壓增益。輸出電阻可以通過降低RD來降低，而電壓增益也可以降低。與大多數(shù)晶體管放大器一樣，共源MOSFET放大器的高頻性能較差。

　　2、共柵極 （CG） 放大器

　　共柵 （CG） 放大器通常用作電壓放大器或電流緩沖器。在CG配置中，晶體管的源極端子 （S） 像輸入一樣工作，而漏極端子像輸出一樣工作，柵極端子連接到地 （G）。共柵極放大器配置主要用于在i/p和o/p之間提供高度隔離，以防止振蕩或減小輸入阻抗。

　　共柵放大器等效電路的小信號模型和T模型如下所示。在“T”模型中，柵極電流始終為零。

　　如果施加的電壓為“Vgs”且源電流為“Vgs*gm”，則有：

　　R=V/I=>R=Vgs/Vgsgm=1/gm

　　由于共柵放大器的輸入電阻較小，可以表示為Rin = 1/gm。輸入電阻通常為幾百歐姆，所以o/p電壓可以表示為：

　　vo = -iR D

　　其中：i = -vi/1/gm = -gmvi，因此，開路電壓可以表示為：

　　Avo = vo/vi = g m R D

　　電路的輸出電阻為 Ro = RD，因為小的 i/p阻抗對放大器增益有害。所以通過分壓器的公式，可以得到：

　　Vi/vsig = Rin/ Rin + Rsig = 1/gm/1/gm + Rsig

　　與vsig 相比，‘vi' 被衰減，因為 'Rsig' 通常優(yōu)于1/gm。一旦負(fù)載電阻“RL”連接到o/p，那么正確的電壓增益就是：Av = gmR D ||，因此電壓增益表示為：

　　Gv = （1/gm/Rsig + 1/gm） gm（RD||RL） = RD||RL/Rsig + 1/gm

　　當(dāng)i/p阻抗較小時，由最大功率定理可知，共柵 （CG） 放大器非常適合通過較小i/p阻抗匹配源，但它會消耗額外的電流，涉及信號源的高功率利用率。

　　因此，共柵極MOSFET放大器具有較小的i/p電阻“1/gm”。所以，這是不可取的，因為一旦通過輸入電壓驅(qū)動它就會消耗巨大的電流。當(dāng)RD||RL比Rsig + 1/gm大，共柵極MOSFET放大器的電壓增益就可以在幅度上與共源放大器的電壓增益相關(guān)。當(dāng)RO = RD 時，o/p電阻可以很高，這樣可以看出該放大器的頻率性能很高。

　　3、公共漏極放大器或源極MOSFET跟隨器

　　共漏極 （CD） 放大器是將輸入信號提供給柵極端子并從源極端子獲得輸出，從而使漏極 （D） 端子為兩者共用。CD放大器經(jīng)常用作電壓緩沖器來驅(qū)動小型o/p負(fù)載。這種配置提供了極高的i/p阻抗和低的o/p阻抗。

　　共漏極放大器電路類似于BJT的射極跟隨器電路。因此，它被用作電壓緩沖器。該放大器是一個單位增益放大器，包括非常大的輸入阻抗，盡管它的o/p阻抗較小。因此，它非常適合與低阻抗電路匹配的高阻抗電路，否則適用于以較大電源電流工作的電路。

　　共漏極放大器的小信號和T型等效電路如下圖所示。在該電路中，i/p輸入源可以通過戴維寧 （vsig） 和電阻器 （Rsig） 的等效電壓來表示。負(fù)載電阻器 （RL） 可以連接到源 （S） 和地 （G） 之間的o/p。

　　由于上述電路的柵極電流 （IG） 為零，所以：

　　Rin = ∞

　　通過使用分壓器的公式，注意到電壓增益正確或端電壓增益為：Av = vo/vi = RL/RL + 1/gm

　　開路電壓增益：（RL = ∞） & Avo = 1

　　o/p電阻可以通過戴維南等價改用合適的MOSFET放大器元件來獲得。通過在此端使用測試電流技術(shù)，將Vi值設(shè)置為 0，因此：Ro = 1/gm

　　由于無限輸入阻抗 （Rin），vi = vsig 和總電壓增益，當(dāng)電壓增益適當(dāng)Av時，Gv相似，即有：

　　Gv = Av = RL/RL + 1/gm

　　由于Ro = 1/gm通常通過大負(fù)載電阻“RL”很小，因此增益低于單位增益，但接近單位增益。因此，它也是一個源極跟隨器，因為源極電壓隨器i/p電壓，但是，它可以向o/p提供比i/p電流更大的電流。

　　BJT和MOSFET放大器的區(qū)別

　　下面列出了Mosfet放大器與晶體管放大器之間的區(qū)別：

　　MOSFET放大器與普通放大器的區(qū)別

　　MOSFET放大器與普通放大器的區(qū)別在于，放大器是一種電子電路，用于放大提供給其i/p端子的信號幅度并產(chǎn)生高幅度信號作為輸出。而MOSFET放大器是放大器中的一個子類別，它使用MOSFET或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管技術(shù)以相當(dāng)?shù)偷墓奶幚頂?shù)字信號。

　　MOSFET放大器的優(yōu)缺點

　　MOSFET放大器的優(yōu)點包括以下幾個方面內(nèi)容：

　　Mosfet放大器具有低損耗。

　　通信速度很高。

　　與晶閘管，IGBT等其他器件相比，它更好。

　　Mosfet放大器占用空間小，速度快。

　　與BJT相比，功耗更低。

　　FET放大器具有非常高的i/p阻抗和低的o/p阻抗。

　　MOSFET放大器的缺點包括以下幾個方面內(nèi)容：

　　設(shè)計比較昂貴

　　增益很小

　　MOSFET放大器的主要應(yīng)用

　　MOSFET放大器的應(yīng)用 包括以下內(nèi)容：

　　用于信號放大。

　　用于小信號線性放大器，因為它們的高輸入阻抗使得這些放大器的偏置很容易。

　　廣泛用于射頻應(yīng)用。

　　是最常用的FET放大器。

　　總結(jié)

　　以上就是關(guān)于MOSFET放大器原理、種類及其應(yīng)用特點的相關(guān)內(nèi)容，可以看出，在這個放大器中，命令信號是一個柵極信號，用于控制源極 （S） 和漏極 （D） 之間的電流流動。

　　當(dāng)然，與JFET一樣，柵極電壓的微小變化會在漏極電流中產(chǎn)生巨大的變化，所以這個理論事實會使MOSFET放大一個微弱的信號，因此它起到了放大器的作用。

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